電磁場(chǎng)與電磁波第二章課后答案.doc
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1、第二章 靜電場(chǎng) 重點(diǎn)和難點(diǎn) 電場(chǎng)強(qiáng)度及電場(chǎng)線等概念容易接受,重點(diǎn)講解如何由物理學(xué)中積分形式的靜電場(chǎng)方程導(dǎo)出微分形式的靜電場(chǎng)方程,即散度方程和旋度方程,并強(qiáng)調(diào)微分形式的場(chǎng)方程描述的是靜電場(chǎng)的微分特性或稱為點(diǎn)特性。 利用亥姆霍茲定理,直接導(dǎo)出真空中電場(chǎng)強(qiáng)度與電荷之間的關(guān)系。通過書中列舉的4個(gè)例子,總結(jié)歸納出根據(jù)電荷分布計(jì)算電場(chǎng)強(qiáng)度的三種方法。 至于媒質(zhì)的介電特性,應(yīng)著重說明均勻和非均勻、線性與非線性、各向同性與各向異性等概念。講解介質(zhì)中靜電場(chǎng)方程時(shí),應(yīng)強(qiáng)調(diào)電通密度僅與自由電荷有關(guān)。介紹邊界條件時(shí),應(yīng)說明僅可依據(jù)積分形式的靜電場(chǎng)方程,由于邊界上場(chǎng)量不連續(xù),因而微分形式的場(chǎng)方程不成
2、立。 關(guān)于靜電場(chǎng)的能量與力,應(yīng)總結(jié)出計(jì)算能量的三種方法,指出電場(chǎng)能量不符合迭加原理。介紹利用虛位移的概念計(jì)算電場(chǎng)力,常電荷系統(tǒng)和常電位系統(tǒng),以及廣義力和廣義坐標(biāo)等概念。至于電容和部分電容一節(jié)可以從簡(jiǎn)。 重要公式 真空中靜電場(chǎng)方程: 積分形式: 微分形式: 已知電荷分布求解電場(chǎng)強(qiáng)度: 1,; 2, 3, 高斯定律 介質(zhì)中靜電場(chǎng)方程: 積分形式: 微分形式: 線性均勻各向同性介質(zhì)中靜電場(chǎng)方程: 積分形式: 微分形式: 靜電場(chǎng)邊界條件: 1,。對(duì)于兩種各向同性的線性介質(zhì),則 2,。在兩種介質(zhì)
3、形成的邊界上,則 對(duì)于兩種各向同性的線性介質(zhì),則 3,介質(zhì)與導(dǎo)體的邊界條件: ; 若導(dǎo)體周圍是各向同性的線性介質(zhì),則 ; 靜電場(chǎng)的能量: 孤立帶電體的能量: 離散帶電體的能量: 分布電荷的能量: 靜電場(chǎng)的能量密度: 對(duì)于各向同性的線性介質(zhì),則 電場(chǎng)力: 庫(kù)侖定律: 常電荷系統(tǒng): 常電位系統(tǒng): 題 解 2-1 若真空中相距為d的兩個(gè)電荷q1及q2的電量分別為q及4q,當(dāng)點(diǎn)電荷位于q1及q2的連線上時(shí),系統(tǒng)處于平衡狀態(tài),試求的大小及位置。 解 要使系統(tǒng)處于平衡狀態(tài),點(diǎn)電荷受到點(diǎn)電荷q1及q2的力應(yīng)該大小相等,方向相反,即。
4、那么,由,同時(shí)考慮到,求得 可見點(diǎn)電荷可以任意,但應(yīng)位于點(diǎn)電荷q1和q2的連線上,且與點(diǎn)電荷相距。 習(xí)題圖2-2 z x E3 E2 E1 2-2 已知真空中有三個(gè)點(diǎn)電荷,其電量及位置分別為: 試求位于點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度。 解 令分別為三個(gè)電電荷的位置到點(diǎn)的距離,則,,。 利用點(diǎn)電荷的場(chǎng)強(qiáng)公式,其中為點(diǎn)電荷q指向場(chǎng)點(diǎn)的單位矢量。那么, 在P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小為,方向?yàn)椤? 在P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小為,方向?yàn)椤? 在P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小為,方向?yàn)? 則點(diǎn)的合成電場(chǎng)強(qiáng)度為 2-3 直接利用式(2-2-14)計(jì)算電偶極子的電場(chǎng)強(qiáng)度。 解 令點(diǎn)電荷位于坐標(biāo)原點(diǎn),
5、為點(diǎn)電荷至場(chǎng)點(diǎn)P的距離。再令點(diǎn)電荷位于+坐標(biāo)軸上,為點(diǎn)電荷至場(chǎng)點(diǎn)P的距離。兩個(gè)點(diǎn)電荷相距為,場(chǎng)點(diǎn)P的坐標(biāo)為(r,,f)。 根據(jù)疊加原理,電偶極子在場(chǎng)點(diǎn)P產(chǎn)生的電場(chǎng)為 考慮到r >> l,= er,,那么上式變?yōu)? 式中 以為變量,并將在零點(diǎn)作泰勒展開。由于,略去高階項(xiàng)后,得 利用球坐標(biāo)系中的散度計(jì)算公式,求出電場(chǎng)強(qiáng)度為 2-4 已知真空中兩個(gè)點(diǎn)電荷的電量均為C,相距為2cm, 如習(xí)題圖2-4所示。試求:①P點(diǎn)的電位;②將電量為C的點(diǎn)電荷由無限遠(yuǎn)處緩慢地移至P點(diǎn)時(shí),外力必須作的功。 1cm P 1cm q q 1cm 習(xí)題圖2-4
6、 解 根據(jù)疊加原理,點(diǎn)的合成電位為 因此,將電量為的點(diǎn)電荷由無限遠(yuǎn)處緩慢地移到點(diǎn),外力必須做的功為 2-5 通過電位計(jì)算有限長(zhǎng)線電荷 的電場(chǎng)強(qiáng)度。 習(xí)題圖2-5 r0 P z o dl l q1 q2 y 解 建立圓柱坐標(biāo)系。 令先電 荷沿z軸放置,由于結(jié)構(gòu)以z軸對(duì)稱,場(chǎng)強(qiáng)與無關(guān)。為了簡(jiǎn)單起見,令場(chǎng)點(diǎn)位于yz平面。 設(shè)線電荷的長(zhǎng)度為,密度為 ,線電荷的中點(diǎn)位于坐標(biāo)原 點(diǎn),場(chǎng)點(diǎn)的坐標(biāo)為。 利用電位疊加原理,求得場(chǎng)點(diǎn) 的電位為 式中。故 因,可知電場(chǎng)強(qiáng)度的z分量為 電場(chǎng)強(qiáng)度的r分
7、量為 式中,那么,合成電強(qiáng)為 當(dāng)L時(shí),,則合成電場(chǎng)強(qiáng)度為 可見,這些結(jié)果與教材2-2節(jié)例4完全相同。 2-6 已知分布在半徑為a的半圓周上的電荷線密度,試求圓心處的電場(chǎng)強(qiáng)度。 習(xí)題圖2-6 a y x o E 解 建立直角坐標(biāo),令線電荷位于xy平面,且以y軸為對(duì)稱,如習(xí)題圖2-6所示。那么,點(diǎn)電荷在圓心處產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度具有兩個(gè)分量Ex和Ey。由于電荷分布以y軸為對(duì)稱,因此,僅需考慮電場(chǎng)強(qiáng)度的分量,即 考慮到,代入上式求得合成電場(chǎng)強(qiáng)度為 2-7 已知真空中半徑為a的圓
8、環(huán)上均勻地分布的線電荷密度為,試求通過圓心的軸線上任一點(diǎn)的電位及電場(chǎng)強(qiáng)度。 習(xí)題圖2-7 x y z P r o a dl y 解 建立直角坐標(biāo),令圓環(huán)位于坐標(biāo)原點(diǎn),如習(xí)題圖2-7所示。那么,點(diǎn)電荷在z軸上點(diǎn)產(chǎn)生的電位為 根據(jù)疊加原理,圓環(huán)線電荷在點(diǎn)產(chǎn)生的合成電位為 因電場(chǎng)強(qiáng)度,則圓環(huán)線電荷在點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度為 2-8 設(shè)寬度為W,面密度為的帶狀電荷位于真空中, 試求空間任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度。 習(xí)題圖2-8 x y z o r y x dx x (a) (b) P(x,y)
9、 解 建立直角坐標(biāo),且令帶狀電荷位于xz平面內(nèi),如習(xí)題圖2-8所示。帶狀電荷可劃分為很多條寬度為的無限長(zhǎng)線電荷,其線密度為。那么,該無限長(zhǎng)線電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度與坐標(biāo)變量z無關(guān),即 式中 得 那么 2-9 已知均勻分布的帶電圓盤半徑為a,面電荷密度 為,位于z = 0平面,且盤心與原點(diǎn)重合,試求圓盤 軸線上任一點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度。 習(xí)題圖2-9 o x y z r dr P(0,0,z) 解 如圖 2-9所示,在圓盤上取一半徑為,寬度為的圓環(huán),該圓環(huán)具有的電荷量為。
10、由于對(duì)稱性,該圓環(huán)電荷在z軸上任一點(diǎn)P產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度僅的有分量。根據(jù)習(xí)題2-7結(jié)果,獲知該圓環(huán)電荷在P產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度的分量為 那么,整個(gè)圓盤電荷在P產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度為 2-10 已知電荷密度為及的兩塊無限大面電荷分別位于x = 0及x = 1平面,試求及區(qū)域中的電場(chǎng)強(qiáng)度。 解 無限大平面電荷產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)分布一定是均勻的,其電場(chǎng)方向垂直于無限大平面,且分別指向兩側(cè)。因此,位于x = 0平面內(nèi)的無限大面電荷,在x < 0區(qū)域中產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度,在x > 0區(qū)域中產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度。位于x = 1平面內(nèi)的無限大面電荷,在x < 1區(qū)域中產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度,在x > 1區(qū)域中產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度。 由電場(chǎng)
11、強(qiáng)度法向邊界條件獲知, 即 由此求得 根據(jù)疊加定理,各區(qū)域中的電場(chǎng)強(qiáng)度應(yīng)為 2-11 若在球坐標(biāo)系中,電荷分布函數(shù)為 試求及區(qū)域中的電通密度。 解 作一個(gè)半徑為r的球面為高斯面,由對(duì)稱性可知 式中q為閉合面S包圍的電荷。那么 在區(qū)域中,由于q = 0,因此D = 0。 在區(qū)域中,閉合面S包圍的電荷量為 因此, 在區(qū)域中,閉合面S包圍的電荷量為 因此, 2-12 若帶電球的內(nèi)外區(qū)域中的電場(chǎng)強(qiáng)度為 試求球內(nèi)外各點(diǎn)的電位。 解 在區(qū)域中,電位為 在區(qū)域中, 2-13 已知
12、圓球坐標(biāo)系中空間電場(chǎng)分布函數(shù)為 試求空間的電荷密度。 解 利用高斯定理的微分形式,得知在球坐標(biāo)系中 那么,在區(qū)域中電荷密度為 在區(qū)域中電荷密度為 2-14 已知真空中的電荷分布函數(shù)為 式中r為球坐標(biāo)系中的半徑,試求空間各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度。 解 由于電荷分布具有球?qū)ΨQ性,取球面為高斯面,那么根據(jù)高斯定理 在區(qū)域中 在區(qū)域中 2-15 已知空間電場(chǎng)強(qiáng)度,試求(0,0,0)與(1,1,2)兩點(diǎn)間的電位差。 解 設(shè)P1點(diǎn)的坐標(biāo)為(0,0,0,), P2點(diǎn)的坐標(biāo)為(1,1,2,),那么,兩點(diǎn)間的電位差為 式中 ,因此電位差為 2-1
13、6 已知同軸圓柱電容器的內(nèi)導(dǎo)體半徑為a,外導(dǎo)體的內(nèi)半徑為b。若填充介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)。試求在外導(dǎo)體尺寸不變的情況下,為了獲得最高耐壓,內(nèi)外導(dǎo)體半徑之比。 解 已知若同軸線單位長(zhǎng)度內(nèi)的電荷量為q1,則同軸線內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度。為了使同軸線獲得最高耐壓,應(yīng)在保持內(nèi)外導(dǎo)體之間的電位差V不變的情況下,使同軸線內(nèi)最大的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到最小值,即應(yīng)使內(nèi)導(dǎo)體表面處的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到最小值。因?yàn)橥S線單位長(zhǎng)度內(nèi)的電容為 則同軸線內(nèi)導(dǎo)體表面處電場(chǎng)強(qiáng)度為 令b不變,以比值為變量,對(duì)上式求極值,獲知當(dāng)比值時(shí),取得最小值,即同軸線獲得最高耐壓。 2-17 若在一個(gè)電荷密度為,半徑為a的均勻帶電球中,存在一個(gè)半
14、徑為b的球形空腔,空腔中心與帶電球中心的間距為d,試求空腔中的電場(chǎng)強(qiáng)度。 習(xí)題圖2-17 o b a P r d r o 解 此題可利用高斯定理和疊加原理求解。首先設(shè)半徑為的整個(gè)球內(nèi)充滿電荷密度為的電荷,則球內(nèi)點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為 式中是由球心o點(diǎn)指向點(diǎn)的位置矢量, 再設(shè)半徑為的球腔內(nèi)充滿電荷密度為的電荷,則其在球內(nèi)點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為 式中是由腔心點(diǎn)指向點(diǎn)的位置矢量。 那么,合成電場(chǎng)強(qiáng)度即是原先空腔內(nèi)任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度,即 式中是由球心o點(diǎn)指向腔心點(diǎn)的位置矢量??梢?,空腔內(nèi)的電場(chǎng)是均勻的。 2-18 已知介質(zhì)圓柱體的半徑為a,
15、長(zhǎng)度為l,當(dāng)沿軸線方向發(fā)生均勻極化時(shí),極化強(qiáng)度為,試求介質(zhì)中束縛x y z a 習(xí)題圖2-18 P l y 電荷在圓柱內(nèi)外軸線上產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度。 解 建立圓柱坐標(biāo),且令圓柱的下端面位于xy平面。由于是均勻極化,故只考慮面束縛電荷。而且該束縛電荷僅存在圓柱上下端面。已知面束縛電荷密度與極化強(qiáng)度的關(guān)系為 式中en為表面的外法線方向上單位矢量。由此求得圓柱體上端面的束縛電荷面密度為,圓柱體下端面的束縛面電荷密度為。 由習(xí)題2-9獲知,位于xy平面,面電荷為的圓盤在其軸線上的電場(chǎng)強(qiáng)度為 因此,圓柱下端面束縛電荷在z軸上產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度為 而圓柱上端面束縛電荷
16、在z軸上產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度為 那么,上下端面束縛電荷在z軸上任一點(diǎn)產(chǎn)生的合成電場(chǎng)強(qiáng)度為 2-19 已知內(nèi)半徑為a,外半徑為b的均勻介質(zhì)球殼的介電常數(shù)為,若在球心放置一個(gè)電量為q的點(diǎn)電荷,試求:①介質(zhì)殼內(nèi)外表面上的束縛電荷;②各區(qū)域中的電場(chǎng)強(qiáng)度。 解 先求各區(qū)域中的電場(chǎng)強(qiáng)度。根據(jù)介質(zhì)中高斯定理 在區(qū)域中,電場(chǎng)強(qiáng)度為 在區(qū)域中,電場(chǎng)強(qiáng)度為 在區(qū)域中,電場(chǎng)強(qiáng)度為 再求介質(zhì)殼內(nèi)外表面上的束縛電荷。 由于,則介質(zhì)殼內(nèi)表面上束縛電荷面密度為 外表面上束縛電荷面密度為 2-20 將一塊無限大的厚度為d的介質(zhì)板放在均勻電場(chǎng)中,周圍媒質(zhì)為真空。已知介質(zhì)板的
17、介電常數(shù)為,均勻電場(chǎng)的方向與介質(zhì)板法線的夾角為,如習(xí)題圖2-20所示。當(dāng)介質(zhì)板中的電場(chǎng)線方向時(shí),試求角度及介質(zhì)表面的束縛電荷面密度。 E e d q1 q 1 q2 q2 e0 e0 E 習(xí)題圖2-20 E2 en2 en1 解 根據(jù)兩種介質(zhì)的邊界條件獲知,邊界上電場(chǎng)強(qiáng)度切向分量和電通密度的法向分量連續(xù)。因此可得 ; 已知,那么由上式求得 已知介質(zhì)表面的束縛電荷, 那么,介質(zhì)左表面上束縛電荷面密度為 介質(zhì)右表面上束縛電荷面密度為 2-21 已知兩個(gè)導(dǎo)體球的半徑分別為6cm及12cm,電量均為C,相距很遠(yuǎn)。若以
18、導(dǎo)線相連后,試求:①電荷移動(dòng)的方向及電量;②兩球最終的電位及電量。 解 設(shè)兩球相距為d,考慮到d >> a, d >> b,兩個(gè)帶電球的電位為 ; 兩球以導(dǎo)線相連后,兩球電位相等,電荷重新分布,但總電荷量應(yīng)該守恒,即及, 求得兩球最終的電量分別為 可見,電荷由半徑小的導(dǎo)體球轉(zhuǎn)移到半徑大的導(dǎo)體球,移動(dòng)的電荷量為。 兩球最終電位分別為 2-22 已知兩個(gè)導(dǎo)體球的重量分別為m1=5g,m2=10g,電量均為C,以無重量的絕緣線相連。若絕緣線的長(zhǎng)度l = 1m,且遠(yuǎn)大于兩球的半徑,試求;①絕緣線切斷的瞬時(shí),每球的加速度;②絕緣線切斷很久以后,兩球的速度。 解 ① 絕緣線
19、切斷的瞬時(shí),每球受到的力為 因此,兩球獲得的加速度分別為 ② 當(dāng)兩球相距為l時(shí),兩球的電位分別為 ; 此時(shí),系統(tǒng)的電場(chǎng)能量為 絕緣線切斷很久以后,兩球相距很遠(yuǎn)(l>>a, l>>b),那么,兩球的電位分別為 ; 由此可見,絕緣線切斷很久的前后,系統(tǒng)電場(chǎng)能量的變化為 這部分電場(chǎng)能量的變化轉(zhuǎn)變?yōu)閮汕虻膭?dòng)能,根據(jù)能量守恒原理及動(dòng)量守恒定理可得下列方程: , 由此即可求出絕緣線切斷很久以后兩球的速度v1和v2: ; 2-23 如習(xí)題圖2-23所示,半徑為a的導(dǎo)體球中有兩個(gè)較小的球形空腔。若在空腔中心分別放置兩個(gè)點(diǎn)電荷q1及q2,在距離處放置
20、另一個(gè)點(diǎn)電荷q3,試求三個(gè)點(diǎn)電荷受到的電場(chǎng)力。 q1 q2 r q3 a 習(xí)題圖2-23 解 根據(jù)原書2-7節(jié)所述,封閉導(dǎo)體空腔具有靜電屏蔽特性。因此,q1與q2之間沒有作用力,q3對(duì)于q1及q2也沒有作用力。但是q1及q2在導(dǎo)體外表面產(chǎn)生的感應(yīng)電荷-q1及-q2,對(duì)于q3有作用力。考慮到r>>a,根據(jù)庫(kù)侖定律獲知該作用力為 2-24 證明位于無源區(qū)中任一球面上電位的平均值等于其球心的電位,而與球外的電荷分布特性無關(guān)。 解 已知電位與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系為,又知,由此獲知電位滿足下列泊松方程 利用格林函數(shù)求得泊松方程的解為 式中??紤]到
21、,代入上式得 若閉合面內(nèi)為無源區(qū),即,那么 若閉合面S為一個(gè)球面,其半徑為a,球心為場(chǎng)點(diǎn),則,那么上式變?yōu)? 考慮到差矢量的方向?yàn)樵撉蛎娴陌霃椒较?,即與 的方向恰好相反,又,則上式變?yōu)? 由于在面內(nèi)無電荷,則,那么 由此式可見,位于無源區(qū)中任一球面上的電位的平均值等于其球心的電位,而與球外的電荷分布無關(guān)。 2-25 已知可變電容器的最大電容量,最小電容量,外加直流電壓為300V,試求使電容器由最小變?yōu)樽畲蟮倪^程中外力必須作的功。 解 在可變電容器的電容量由最小變?yōu)樽畲蟮倪^程中,電源作的功和外力作的功均轉(zhuǎn)變?yōu)殡妶?chǎng)儲(chǔ)能的增量,即 式中 因此,外力必須作
22、的功為 2-26 若使兩個(gè)電容器均為C的真空電容器充以電壓V后,斷開電源相互并聯(lián),再將其中之一填滿介電常數(shù)為的理想介質(zhì),試求:①兩個(gè)電容器的最終電位;②轉(zhuǎn)移的電量。 解 兩電容器斷開電源相互并聯(lián),再將其中之一填滿相對(duì)介電常數(shù)為理想介質(zhì)后,兩電容器的電容量分別為 兩電容器的電量分別為,且 由于兩個(gè)電容器的電壓相等,因此 聯(lián)立上述兩式,求得 , 因此,兩電容器的最終電位為 考慮到,轉(zhuǎn)移的電量為 e2 a e1 b 習(xí)題圖2-27 2-27 同軸圓柱電容器的內(nèi)導(dǎo)體 半徑為a,外導(dǎo)體半徑為b,其 內(nèi)一半填充介電常數(shù)為的介 質(zhì),另一半填充介質(zhì)
23、的介電常 數(shù)為,如習(xí)題圖2-27所示。 當(dāng)外加電壓為V時(shí),試求:①電容器中的電場(chǎng)強(qiáng)度; ②各邊界上的電荷密度;③電容及儲(chǔ)能。 解 ① 設(shè)內(nèi)導(dǎo)體的外表面上單位長(zhǎng)度的電量為,外導(dǎo)體的內(nèi)表面上單位長(zhǎng)度的電量為。取內(nèi)外導(dǎo)體之間一個(gè)同軸的單位長(zhǎng)度圓柱面作為高斯面,由高斯定理 求得 已知,在兩種介質(zhì)的分界面上電場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量必須連續(xù),即,求得 內(nèi)外導(dǎo)體之間的電位差為 即單位長(zhǎng)度內(nèi)的電荷量為 故同軸電容器中的電場(chǎng)強(qiáng)度為 ② 由于電場(chǎng)強(qiáng)度在兩種介質(zhì)的分界面上無法向分量,故此邊界上的電荷密度為零。 內(nèi)導(dǎo)體的外表面上的電荷面密度為 ; 外導(dǎo)體的內(nèi)表面上
24、的電荷面密度為 ; ③單位長(zhǎng)度的電容為 電容器中的儲(chǔ)能密度為 2-28 一平板電容器的結(jié)構(gòu)如習(xí)題圖2-28所示,間距為d,極板面積為。試求: ① 接上電壓V時(shí),移去介質(zhì)前后電容器中的電場(chǎng)強(qiáng)度、電通密度、各邊界上的電荷密度、電容及儲(chǔ)能; ② 斷開電源后,再計(jì)算介質(zhì)移去前后以上各個(gè)參數(shù)。 d l/2 K V l/2 e e 0 習(xí)題圖2-28 解 ①接上電源,介質(zhì)存在時(shí),介質(zhì)邊界上電場(chǎng)強(qiáng)度切向分量必須連續(xù),因此,介質(zhì)內(nèi)外的電場(chǎng)強(qiáng)度是相等的,即電場(chǎng)強(qiáng)度為。但是介質(zhì)內(nèi)外的電通密度不等,介質(zhì)內(nèi),介質(zhì)外。 兩部分極板表面自由電荷面密度分別為
25、 , 電容器的電量 電容量為 電容器儲(chǔ)能為 若接上電壓時(shí),移去介質(zhì),那么電容器中的電場(chǎng)強(qiáng)度為 電通密度為 極板表面自由電荷面密度為 電容器的電量為 電容量為 電容器的儲(chǔ)能為 ②斷開電源后,移去介質(zhì)前,各個(gè)參數(shù)不變。但是若移去介質(zhì),由于極板上的電量不變,電場(chǎng)強(qiáng)度為 電通密度為 極板表面自由電荷面密度為 兩極板之間的電位差為 電容量為 電容器的儲(chǔ)能為 2-29 若平板電容器的結(jié)構(gòu)如習(xí)題圖2-29所示,尺寸同上題,計(jì)算上題中各種情況下的參數(shù)。 d/2 d/2 e l e 0 習(xí)題圖2-29
26、 解 ①接上電壓,介質(zhì)存在時(shí),介質(zhì)內(nèi)外的電通密度均為,因此,介質(zhì)內(nèi)外的電場(chǎng)強(qiáng)度分別為 ; 兩極板之間的電位差為。 則 則電位移矢量為 ; 極板表面自由電荷面密度為 ; 介電常數(shù)為的介質(zhì)在靠近極板一側(cè)表面上束縛電荷面密度為 介電常數(shù)為與介電常數(shù)為的兩種介質(zhì)邊界上的束縛電荷面密度為 此電容器的電量 則電容量為 電容器的儲(chǔ)能為 接上電壓時(shí),移去介質(zhì)后: 電場(chǎng)強(qiáng)度為 電位移矢量為 極板表面自由電荷面密度為 電容器的電量 電容量為 電容器的儲(chǔ)能為 (2) 斷開電源后,介質(zhì)存在時(shí),各個(gè)參數(shù)與接上
27、電源時(shí)完全相同。但是,移去介質(zhì)后,由于極板上的電量不變,電容器中電場(chǎng)強(qiáng)度為,電通密度為 極板表面自由電荷面密度為 兩極板之間的電位差為 電容量為 電容器的儲(chǔ)能為 2-30 已知兩個(gè)電容器C1及C2的電量分別為q1及q2,試求兩者并聯(lián)后的總儲(chǔ)能。若要求并聯(lián)前后的總儲(chǔ)能不變,則兩個(gè)電容器的電容及電量應(yīng)滿足什么條件? 解 并聯(lián)前兩個(gè)電容器總儲(chǔ)能為 并聯(lián)后總電容為,總電量為,則總儲(chǔ)能為 要使,即要求 方程兩邊同乘,整理后得 方程兩邊再同乘,可得 即 由此獲知兩個(gè)電容器的電容量及電荷量應(yīng)該滿足的條件為 2-31 若
28、平板電容器中介電 e (x) A d X 0 習(xí)題圖2-31 A 常數(shù)為 平板面積為A,間距為d,如 習(xí)題2-31所示。試求平板電 容器的電容。 解 設(shè)極板上的電荷密度分別為,則由高斯定理,可得電通密度,因此電場(chǎng)強(qiáng)度為 那么,兩極板的電位差為 則電容量為 d V t e 0 e 0 習(xí)題圖2-32 A 2-32 若平板空氣電容器的 電壓為V,極板面積為A, 間距為d,如習(xí)題圖2-32所 示。若將一塊厚度為 的導(dǎo)體板平行地插入該平板 電容器中,試求外力必須作 的功。 解 未插入導(dǎo)體板之前,電容量。插
29、入導(dǎo)體板后,可看作兩個(gè)電容串聯(lián),其中一個(gè)電容器的電容,另一個(gè)電容器的電容,那么總電容量為 根據(jù)能量守恒原理,電源作的功和外力作的功均轉(zhuǎn)變?yōu)殡妶?chǎng)能的增量,即 式中 則 2-33 已知線密度的無限長(zhǎng)線電荷位于(1,0, z)處,另一面密度的無限大面電荷分布在x = 0平面。試求位于處電量的點(diǎn)電荷受到的電場(chǎng)力。 x z 1 P o 0.55 y 習(xí)題圖2-33 解 根據(jù)題意,兩種電荷的位置如圖2-33所示。由習(xí)題 2-10知,無限大面電荷在P點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度為 無限長(zhǎng)線電荷在P點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度為 因此,P點(diǎn)的總電場(chǎng)
30、強(qiáng)度為 所以位于P點(diǎn)的點(diǎn)電荷受到的電場(chǎng)力為 2-34 已知平板電容器的極板尺寸為,間距為d,兩板間插入介質(zhì)塊的介電常數(shù)為,如習(xí)題圖2-34所示。試求:①當(dāng)接上電壓V時(shí),插入介質(zhì)塊受的力;②電源斷開后,再插入介質(zhì)時(shí),介質(zhì)塊的受力。 d a b S U e e 0 習(xí)題圖2-34 解 ①此時(shí)為常電位系統(tǒng),因此介質(zhì)塊受到的電場(chǎng)力為 式中x為沿介質(zhì)塊寬邊b的位移。介質(zhì)塊插入后,引起電容改變。設(shè)插入深度x,則電容器的電容為 電容器的電場(chǎng)能量可表示為 那么介質(zhì)塊受到的x方向的電場(chǎng)力為 ② 此時(shí)為常電荷系統(tǒng),因此介質(zhì)塊受到的電場(chǎng)力為 式中x為沿介質(zhì)塊寬邊b的位移。 介質(zhì)塊插入后,極板電量不變,只有電容改變。此時(shí)電容器的電場(chǎng)能量可表示為 因此介質(zhì)塊受到的x方向的電場(chǎng)力為 29
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