高三化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 第5單元 原子結(jié)構(gòu)與元素周期律 第1節(jié) 原子結(jié)構(gòu)課件 魯科版.ppt

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第五單元 原子結(jié)構(gòu)與元素周期律,第1節(jié) 原子結(jié)構(gòu),-3-,考綱要求:1.了解原子構(gòu)成。了解原子序數(shù)、核電荷數(shù)、質(zhì)子數(shù)、中子數(shù)、核外電子數(shù)以及它們之間的相互關(guān)系。 2.了解元素、核素和同位素的含義。 3.了解原子核外電子排布。,-4-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,1.原子的構(gòu)成,,,,,-5-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,,,,,,,,-6-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(2)同位素的特征。 ①同一元素的各種同位素在元素周期表中占據(jù)同一位置,化學(xué)性質(zhì)幾乎完全相同,物理性質(zhì)差異較大。 ②在天然存在的某種元素里各種同位素所占的質(zhì)量分?jǐn)?shù)一般是不變的。,,,,,,,,,-7-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,,,-8-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,,,,,,,,-9-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,,,,,,-10-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,1.原子結(jié)構(gòu)中微觀粒子的數(shù)量關(guān)系,-11-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,,-12-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,-13-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,,-14-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,-15-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,-16-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,,答案,解析,-17-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,答案,解析,-18-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,3.(2015天津和平期末)月球表面土壤里有1種非常有用的資源3He——可控核聚變的原料,下列有關(guān)敘述中正確的是( ) A.3He和4He是同種原子 B.3He和4He互為同位素 C.核聚變時(shí),原子核發(fā)生了變化,發(fā)生了化學(xué)反應(yīng) D.在3He中存在:質(zhì)子數(shù)=中子數(shù)=核外電子數(shù),答案,解析,-19-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,1.原子核外電子排布 (1)在同一原子中各電子層之間的關(guān)系。,,,,,,,-20-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,2.核外電子排布與元素性質(zhì)的關(guān)系 (1)金屬元素原子的最外層電子數(shù)一般小于4,較易失去電子,形成陽離子,表現(xiàn)出金屬性,在化合物中顯正化合價(jià)。 (2)非金屬元素原子的最外層電子數(shù)一般大于或等于4,較易得到電子,活潑非金屬原子易形成陰離子。在化合物中主要顯負(fù)化合價(jià)。 (3)稀有氣體元素的原子最外層為8電子(氦為2電子)穩(wěn)定結(jié)構(gòu),不易失去或得到電子,通常表現(xiàn)為0價(jià)。,,,,,,-21-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,判斷正誤,正確的畫“√”,錯(cuò)誤的畫“”。 (1)(2014山東理綜)核外電子排布相同的微?；瘜W(xué)性質(zhì)也相同 ( ),(4)(2011全國)1 mol NaCl中,所有Na+的最外層電子總數(shù)為86.021023 ( √ ) (5)(2011山東理綜)多電子原子中,在離核較近的區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)的電子能量較高 ( ),,,,,,-22-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,,,-23-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,1.原子核外電子排布規(guī)律 (1)核外電子一般總是盡先排布在能量最低的電子層里。 (2)每個(gè)電子層最多容納的電子數(shù)為2n2。 (3)最外層最多容納電子不超過8個(gè)(K層為最外層時(shí)不超過2個(gè))。 說明:①核外電子排布的幾條規(guī)律之間既相互獨(dú)立又相互統(tǒng)一,不能孤立地應(yīng)用其中一條,如當(dāng)M層不是最外層時(shí),最多排布的電子數(shù)為232=18個(gè),而當(dāng)M層是最外層時(shí),則最多只能排布8個(gè)電子。②書寫原子結(jié)構(gòu)示意圖時(shí)要注意審題和書寫規(guī)范:看清是原子還是離子結(jié)構(gòu)示意圖,勿忘記原子核內(nèi)的“+”號。,-24-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,2.等電子微粒 (1)“10電子”微粒。,(2)“18電子”微粒。,-25-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(3)其他等電子微粒。 ②“16電子”微粒:S、O2、C2H4、HCHO等。 3.短周期元素原子的特殊結(jié)構(gòu) (1)原子核中無中子的原子:H。 (2)最外層有1個(gè)電子的元素:H、Li、Na。 (3)最外層有2個(gè)電子的元素:Be、Mg、He。 (4)最外層電子數(shù)等于次外層電子數(shù)的元素:Be、Ar。 (5)最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)2倍的元素:C;是次外層3倍的元素:O;是次外層4倍的元素:Ne。,-26-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,(6)電子層數(shù)與最外層電子數(shù)相等的元素:H、Be、Al。 (7)電子總數(shù)為最外層電子數(shù)2倍的元素:Be。 (8)次外層電子數(shù)是最外層電子數(shù)2倍的元素:Li、Si。 (9)內(nèi)層電子總數(shù)是最外層電子數(shù)2倍的元素:Li、P。 (10)電子層數(shù)是最外層電子數(shù)2倍的原子:Li。 (11)最外層電子數(shù)是電子層數(shù)2倍的原子:He、C、S。 (12)最外層電子數(shù)是電子層數(shù)3倍的原子:O。,-27-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,例2 X、Y、Z為短周期元素,X的最外層電子數(shù)是Y的最外層電子數(shù)的2倍,Y的原子序數(shù)比X的原子序數(shù)多5,Z原子的最外層電子數(shù)比Y原子最外層多3。下列敘述正確的是( ) A.原子半徑的大小順序:YXZ B.工業(yè)上,電解X和Y形成的化合物制取Y單質(zhì) C.Z單質(zhì)與X單質(zhì)直接反應(yīng)可生成兩種化合物 D.Y、Z元素的最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物不能互相反應(yīng),答案,解析,-28-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,,,,,解析,-29-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,2.(2015山東淄博模擬)某短周期元素的原子核外最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的一半,該元素( ) A.一定是非金屬元素 B.單質(zhì)常用作半導(dǎo)體材料和光導(dǎo)纖維 C.在自然界中只以化合態(tài)的形式存在 D.氣態(tài)氫化物比甲烷穩(wěn)定,答案,解析,-30-,基礎(chǔ)梳理,考點(diǎn)突破,3.(2013全國Ⅰ)短周期元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,其簡單離子都能破壞水的電離平衡的是( ) A.W2-、X+ B.X+、Y3+ C.Y3+、Z2- D.X+、Z2-,答案,解析,