半導體存儲器

1、半導體存儲器,2,主要內(nèi)容,引言 半導體存儲器的主要指標和類型 幾種半導體存儲器的工作原理 浮柵存儲器的失效表征 浮柵存儲器的可靠性問題 浮柵存儲器的失效機理,3,存儲器的產(chǎn)生及發(fā)展,1967年 Kahng、S. Sze 非揮發(fā)存儲器 1968年 Dennard單晶體管DRAM 1971年 第一個浮柵器件問世 1987年 Flash存儲器提出 1993年 16Mb flash EEPROM 問世,4,引言,什么是存儲器？ 存儲器是一種能存放數(shù)據(jù)程序的部件。它必須具備的基本功能就是保存所讀入的代碼，在需要時可以取出(讀出)。 存儲器不僅是各種電子數(shù)字計算機的主要組成部分，也為其他電子技術廣泛。

2、第七章 半導體存儲器,半導體存儲器分類,RAM特點：工作中，可隨機對存儲器的任意單元進行讀、寫。,按功能 分：RAM 可分為 靜態(tài)、動態(tài)兩類；,按所用器件分：可分為雙極型和 MOS型兩種。,7.1 隨機讀寫存儲器( RAM ),按讀寫方式分：可分為單口形和雙口型兩種。,靜態(tài)：數(shù)據(jù)寫入后，不掉電數(shù)據(jù)不會丟； 動態(tài)：指數(shù)據(jù)寫入后，要定時刷新，否則不掉電數(shù)據(jù)也會丟失。,單口形：不能同時讀、寫；雙口型。

3、數(shù)字電子技術基礎,7.1 概述 7.2 只讀存儲器( ROM ) 7.3 隨機存儲器( RAM ) 7.4 存儲器容量的擴展 7.5 用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù),第七章 半導體存儲器,內(nèi)容提要,本章系統(tǒng)地介紹各種半導體存儲器的工作原理及其應用。重點內(nèi)容有： 1、存儲器的基本工作原理、分類和每種類型存儲器的特點； 2、擴展存儲器容量的方法； 3、用存儲器設計組合邏輯電路的原理和方法。,7.1 概 述。

4、第 6章 半 導 體 存 儲 器 本 章 要 點 本 章 主 要 介 紹 靜 態(tài) 隨機 存 儲 器 與 動 態(tài) 隨 機 存 儲器 的 電 路 結 構 特 點 和 工 作原 理 ， 并 且 概 括 地 介 紹 了只 讀 存 儲 器 的 結 構。

5、第 六 章 半 導 體 存 儲 器 6.1 概 述 6.2 順 序 存 取 存 儲 器 SAM 6.3 隨 機 存 取 存 儲 器 RAM 6.4 只 讀 存 儲 器 ROM 第 六 章 半 導 體 存 儲 器6.1 概 述 存 儲 器 是。

6、第 四 章 半 導 體 存 儲 器第 一 節(jié) 概 述一 存 儲 器 的 分 類按 存 取 速 度 和 用 途內(nèi) 存外 存 ： 通 過 系 統(tǒng) 總 線 直 接 與 CPU相 連： 通 過 IO接 口 與 CPU相 連二 半 導 體 存 儲 器。