互連網(wǎng)絡(luò)電力系統(tǒng)（IMPS）MCM拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電氣特性外文文獻(xiàn)翻譯@中英文翻譯@外文翻譯
互連網(wǎng)絡(luò)電力系統(tǒng)（IMPS）MCM拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電氣特性外文文獻(xiàn)翻譯@中英文翻譯@外文翻譯,互連,網(wǎng)絡(luò),電力系統(tǒng),imps,mcm,拓?fù)?結(jié)構(gòu),電氣,特性,外文,文獻(xiàn),翻譯,中英文
N , 18, I, 995 of . W. S. . . CM be by of or X Y to or as a of to on of of a of is in an on of de ac on a of CM I. CM in to of to is to of be by CM’s or or X Y a is a of s, no if it is a or a 1994; 3, 1994. is by 3at 4, 1994. 2701 407917. x Y Y 9 (b) 1. of 300 of is to of to of 11. is a as as in It of to a of is 1. a in CM’s or of as a as a l(a), on at a to ( 10705$995 00 N 2. “, 18, 1, ,is l(a) to of or of on l(b)). a of In of is no if be be at an of be as 2. in of a “( up to of at or An be of a or nP as a of .. . 5P .. 3P ... ... 2P or at A is to a “( in 0 pm a 00 pm 0 pm be (or 20 pm 3.) in be 20 pm 3. 995 4. (a) (b) at 0 pm 160 pm 4(a)). In be or 4(b)) a 0 or to at to of on be 0 pm et F 01 5. on 5 pm 25 pm 0 pm on CM to by an ac of is in a to is if is by is to A up of on of a of be in 5(a)). be to a 5(b)). be to a on of a 5(c)). of be is or CM a to of A. CM is by an a to or of In as to di/dt on , a of In a 00 pm 20 pm is 2% of a to 0% be of to dc ac in 02 N , 18, 1, 995 111 6. is in of in a To On ET's to di/dt As 6, as as of of as as B. is 7. ac on on ac in to of in by 160 CM DR by on C. he 8 in a pm 7. on i or pm 721 pm i by a of 0 pm 5 pm to a a of 3 x 26 mm or it ET in a 256 of dc ac of D. in 50 pm at to a 50 R 0603 1.6 x 0.8 to to (on 4.6 mm 6.6 mm as a a is a of 0 pm on or 18.2 mm SG to if of on on of et F 108. to a SG is a at of on at of to be a in CM's, to or no To if a a .4 6.3 11.5 6.3 .4 SP in an .0 a 10 Z& 1 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 4 75 a 1 2 by 1, of of 2 a 6 pm of 0 of 2 is to 1 to of No 03 by to or of no 2 pm .4 pm of 1 2. t,ps/1 2 72 2 72 2 70 2 66 2 66 2 66 2 68 pm of an As we as is to to 1 2 of in Of a of on an of 2 8.5 mm of on 10 by 0 pS DR on of 04 N , 18, 1, 995 m c 12 - 1 ........................... 0 0 100 200 300 400 500 (P 4291A be a at E. P 8510 P 4291A A 5 be 510. 9 of of VX 00 of in 3.2 1.6 00 00 is to 291A, 00 as 10. of .1 pF is 0 VX in in to in in 00 00 is be by or by of to is as of 0 A of pro 1 互連網(wǎng)絡(luò)電力系統(tǒng)（ 撲結(jié)構(gòu)的電氣特性 L. W. S. . . 、 撲結(jié)構(gòu)實現(xiàn) 撲結(jié)構(gòu)用傳統(tǒng)的 藝很容易實現(xiàn)，細(xì)線條光刻和批處理文件通過制造是固有的正常生產(chǎn)。 現(xiàn)相當(dāng)實用，如果通孔制造是通過其他常規(guī)的機(jī)械鉆孔，并且通孔尺寸足夠小，不足以影響行間距。 一個兩層的過程，盡管開辟了可能性，制造導(dǎo)體的任一側(cè)上的一塊聚合物影像，可以處理卷到卷格式 （圖 5（ a）），得到的結(jié)果基片可以進(jìn)行填充和測試 ，然后申請封裝以形成剛性結(jié)構(gòu)（圖 5（ b）），廉價的絲網(wǎng)印刷的材料和方法可用于該模塊的底部上可以形成一個球柵陣列（ 提供了一個方便的系統(tǒng)接口（圖 5（ c））。這種模塊可以非常便宜，但仍然產(chǎn)生高性能。 圖 5像載體 四、 析和實驗 由于 撲是從根本上不同于傳統(tǒng)的微帶線或有固體電源和地平面 2 帶狀線的 輸線環(huán)境，進(jìn)行了一項確定電源和信號環(huán)境的特點的詳細(xì)研究。 正常 率分布是由固體金屬的電源和地平面，有時具有介于其間的創(chuàng)建的平行板的去耦電容，提供所有或部分的瞬時電流需 求的薄介電。在大多數(shù)情況下，然而，表面安裝的陶瓷電容需要為充電水庫，以保持這些瞬態(tài)的 di/聲低于可接受的利潤率。傳統(tǒng)的貼片電容具有相對較高的寄生電感和低共振頻率，但是。特別低電感電容 初設(shè)計用于 傳導(dǎo)模塊，提供了更好的去耦。平行板 P/G 本身形成了一個低電感分布結(jié)構(gòu)。引線鍵合從這些芯片的，盡管許多并聯(lián)，有助于更多的電感和批判影響片上的噪音。 圖 6 測試車輛功率瞬態(tài)測量設(shè)置 撲結(jié)構(gòu)取代了堅實的平面網(wǎng)狀導(dǎo)線。在雙網(wǎng)平面寬 100 點，導(dǎo)線 320 點的間距，降低至 62％，純金屬覆蓋了堅實 的平面。即使有大量的電源和接地的導(dǎo)體切割，以適應(yīng)信號線，金屬覆蓋為 40％，可以實現(xiàn)的。增加 3 電阻和電感因此，預(yù)測寄生效應(yīng)。然而，由于貢獻(xiàn)這些寄生到 在堅實的平面上的情況下，往往是微不足道的，這種性能下降在幾乎所有的情況下都是可控的。附件的正常及低以傳統(tǒng)的方式的電感的去耦電容在很寬的的頻率范圍內(nèi)提供了必要的去耦電容。 要檢查有效性 電，兩個測試車輛設(shè)計和建造一個與固體 在每四個 n 溝道功率 安排連接模塊上的阻性負(fù)載電源和地之間，從而誘導(dǎo)到大的 di/電結(jié)構(gòu)。如該圖所示。有幾個 網(wǎng)站所提供的正常的陶瓷，以及低電感片狀電容器。為清楚起見，該測試車的其他功能，用于信號傳輸?shù)臏y量，還沒有被證明，對電容器和負(fù)載的各種組合，以及電流上升時間，進(jìn)行了測試。測量結(jié)果將在后面介紹。 圖 7 中所示的的 號傳輸環(huán)境。每根信號線之間交流接地導(dǎo)體相同的金屬平面上，通過正交功率，接地和信號導(dǎo)體上的其它金屬平面。由于交流接地導(dǎo)體，在所述第二平面還到信號線正交，返回電流流僅在共面導(dǎo)體 ;正交導(dǎo)體適度降低線路阻抗，通過電容加載。這初步證明了建設(shè)大型物理模型（ 寸大小的 160 倍）做 量 ，并已被證實 試車輛上的測量如下所述。 圖 7號的傳輸環(huán)境 示于圖的則該測試車輛，在一個發(fā)達(dá)的 設(shè)計及金屬制品業(yè)的，具有四種掩模過程中使用鋁中導(dǎo)體和光可聚酰亞胺介電 5 硅襯底。 硅片上用 積，或杜邦 2721 聚酰亞胺層制造工藝。并通過光刻法和 4 濕法刻蝕定義。接著，將聚酰亞胺的層上旋轉(zhuǎn)，曝光，和發(fā)展。金屬重復(fù)沉積和圖案化，以形成第二金屬層和一個最終的聚酰亞胺的步驟形成了保護(hù)大衣，對幾個中間層和基礎(chǔ)層厚度介質(zhì)進(jìn)行了比較。 33 x 26 毫米基板填充去耦電 容和端接電阻器和使用的，無包裝的，傳輸線和配電阻抗測量接收功率 片，去耦電容器，和負(fù)載電阻器，并且被安裝在一個 256 引領(lǐng) 和 量 配電噪聲。用于固體平面版本同樣配置的功率分布測量。兩個基板的制作中，使用相同的四個掩模，與板占據(jù)六個八個可能的， 5 晶圓網(wǎng)站，和固體的平面基片的其余兩個網(wǎng)絡(luò)。 有幾種不同的信號傳輸測試結(jié)構(gòu)被列入在 驗車輛。所有有微波探頭墊 150 點間距在任一端，并提供終止該行使用 50 R 0603 尺寸（ 導(dǎo)電基 體結(jié)合的片式電阻器環(huán)氧樹脂。對于所有的傳輸線測量，去 圖 8 試車輛 耦電容，足以容納配電阻抗下面 從 1 1 安裝。（請參閱以 5 下部分配電阻抗）第二水平金屬線無論是 米或 米長配置為信號電源和地線之間（ 信號分割內(nèi)電力導(dǎo)體（ 信號內(nèi)部分裂的接地導(dǎo)體（ 這里還設(shè)有一個串?dāng)_測量線設(shè)置，下午 80 點間距，從動線躺在電源和地之間，與受害人線內(nèi)相鄰的分割接地導(dǎo)體。第一級線（躺在聚酰亞胺介電） 米長，配置 進(jìn)行了測量，看是否線阻抗不同于第二金屬。 撲的一個方面，提出了特別的關(guān)注。這是對阻抗的影響，特別是在傳播速度，改變從，例如，一個 X 去 的 的。有一個不連續(xù)返回電流路徑變化的點，其中有一些效果根據(jù) P 和 G 頻率脫鉤的興趣。這還沒有出現(xiàn)的一個問題在許多 信號層，其中經(jīng)常引用電源或接地平面沒有效果。如果要判斷 存在問題，五段創(chuàng)建路徑， 米 米 米， 米 米的 分串聯(lián)。 層間和大衣聚酰亞胺基板厚度為 ， 下午 2 點和初始 質(zhì)厚度，建立和計量。實驗采用泰克 10 互連參數(shù)分析儀。該結(jié)果如下表所示。 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 錯誤 !未 找 到 引 用源。 54 75 這些測量結(jié)果表明之間的重大差異 傳輸線，所造成的薄介 6 電 下，將得到的字段存在于部分導(dǎo)電的硅襯底。的阻抗 是高于預(yù)期，因為面具錯誤導(dǎo)致線的寬度，而不是所期望的。 傳播延遲確定的值 肯定是類似于其他 板 ;貨幣供應(yīng)量 數(shù)字均高于由于在基板的接近。沒有問題，所造成的被引用到電源或接地的信號延遲，五段線是從其他 沒有什么不同。 掩模組進(jìn)行了修改和重復(fù)實驗以 8 分厚的聚酰亞胺的初始介電層，并 間 的聚酰亞胺。下面結(jié)果，得到： 2 70 2 70 2 70 2 66 2 66 2 66 錯誤 !未 找 到 引 用源。 52 68 即使 有一個 8 點層的聚酰亞胺中，所述半導(dǎo)體硅仍然具有效果。由于我們目前使用的測試作為基板的晶片，晶片的電阻率是未知的。進(jìn)一步制作將使用測得的電阻率硅片確定的電阻率要消除的區(qū)別 傳輸線。詳細(xì)的模擬線上述半導(dǎo)體基板也正在進(jìn)行中。當(dāng)然，不同的實現(xiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，對一個不會有低介電常數(shù)的絕緣基板的這個問題。 串?dāng)_測量 米耦合長度。受害者線兩端終止。測量是在 “近期 7 行動計劃 ”310 注入 20上升時間 沖，從動線和測量的受害者線。串?dāng)_峰值小于這一套耦合線長 這一結(jié)果表明，串?dāng)_以合理的時鐘 不應(yīng)該是一個問題頻率和線的長度。 同時使用功率分布測量阻抗 510 網(wǎng)絡(luò)分析儀和 291A 阻抗米?？梢詼y量 45 1 一系列 8510 。圖 9 示出了測量的阻抗為幾種 圖 9 使用 510 網(wǎng)絡(luò)分析儀測出的配電阻抗頻率特性 8 圖 10 使用 抗測量儀測出的功率分布阻抗頻率特性 底物的各種組合去耦電容。即使是低電感 效果電容只出現(xiàn)高于這個頻率低于 300 固有電容，無論是固體（ 版本中，占主導(dǎo)地位的測量 阻抗。阻抗的上升，從 600 到 900 于電感的影響。 4291A，測量從 1 至 500 圖所示。共振 0.1 片電容是清楚地看到大約 20些測量是在不 容放置，以便確認(rèn)的 測阻抗的上升，與正常上限之間 200 和 300 兆赫。 結(jié)果表明，有什么區(qū)別 電結(jié)構(gòu)和一個使用固體。任何平面效果的附件或?qū)⒈黄帘我€鍵合阻抗的數(shù)量和類型使用的電容器。該程序用來連接芯片電容器是極其重要的，因為在襯底的鋁系迅速形成原生的三氧化二鋁，甚至這大約 80 A 的氧化物能產(chǎn)生可測量功率電阻路 徑。這可能占到無法實現(xiàn)極其低阻抗。 圖中所示的測試車。 6 始建于兩個 固體平面設(shè)計。兩個 0.1 個 135 容去耦。六并聯(lián) 50R 電阻被用作負(fù)載（ 每四個功率 電阻）。在基片 110 地面組裝成 256 鉛 80 電源連接，以保證固體配電到基板上。這些軟件包被焊接到習(xí)俗，脫鉤的測試板。生成的程序集直流電壓的下降，大電流流經(jīng)負(fù)載電阻，在基板上平 9 面的交流噪聲大的 di/起的脈沖驅(qū)動 發(fā)電機(jī)。 因為裝配問題，只有三四個 載部分 可以被激活，而一些負(fù)載電阻不起作用，所以這些測試車輛的有效電阻 而，這是足夠低的，充足的電流可以得出，即使采用 10 V 最大口授去耦電容。測量直流滴 底電流和電壓降封裝的引線鍵合架的中心之間的基板，其中測試點提供。的總電壓下降分別為 12 固體飛機(jī)和 21 以固態(tài)和每架飛機(jī)的 3 效地抵抗 R?；诮饘俚牧吭谶@兩個幾何形狀，這是預(yù)料之中的。 聲進(jìn)行了測量，總基板 di/前緣處的導(dǎo)通脈沖。固體平面和 本具有峰 為 是取決于在飛機(jī)上測量了。這樣的結(jié)果，如配電阻抗的測量，是一個反射的電容和附件的方法超過它是平面配電任何固有的局限性的結(jié)構(gòu)。 五 用范圍 撲結(jié)構(gòu)可以提供，容易制造 設(shè)計規(guī)則，變量信號線密度高達(dá) 250cm/中兩個金屬層（ 80 時），這是與其他 現(xiàn)。這些被控制可以根據(jù)阻抗的阻抗線 50圍內(nèi)適當(dāng)?shù)膸缀涡螤?。由于對其間交流接地導(dǎo)體，它們具有極低的串?dāng)_。如果需要更大的密度，選擇性刪除配電連接，或者，一個四層的 構(gòu)可以產(chǎn)生。這將是一個 更有效地利用金屬比傳統(tǒng)的四層堆棧。 由這些線表現(xiàn)出的損失的函數(shù)，自己材料和橫截面。厚銅鍍線將遠(yuǎn)遠(yuǎn)比鋁薄線損耗少，內(nèi)幾個 應(yīng)商的工藝能力。 功率分布特征比較與傳統(tǒng)的固體平面，無論是在阻抗和噪音測量。直流電阻滴如與更大比固體平面，但只會是一個模塊的問題非常高的功率密度，并可以減少到較厚的電鍍金屬的無關(guān)緊要的水平。如果有 撲結(jié)構(gòu)的限制，他們的上述檢查的頻率和功率密度測試，大概以上的時鐘頻率，線密度和模塊的權(quán)力感興趣的近期高點批量應(yīng)用。盡管需要額外的工作細(xì)化這里提出的測量，它似乎沒有采用這種 有效的降低成本的大多數(shù)用的方法。 致謝 再此對設(shè)計和制造專業(yè)的 P. Y. 及 10 以誠摯謝意。 倫納德 ·沙佩爾（ S'65 M'92）獲得 1967 在紐瓦克工程學(xué)院就讀， 1968 年于麻省理工電氣工程技術(shù)研究所，博士學(xué)位于 1973年在新澤西技術(shù)研究所獲得。他在加入美國麻省理工學(xué)院之前，自 1978 年以來任教于 T 貝爾實驗室。自 1980 年以來他一直活躍在電子封裝。他于1990 年加入美鋁電子封裝，指導(dǎo)他們的活動在薄 膜的 1992 年，他在阿肯色大學(xué)的中心被任命為高密度電子 氣工程教授主任，在那里他領(lǐng)導(dǎo)的研究活動是超過 30 個研究生參與的先進(jìn)的多芯片模塊技術(shù)。他是 公司的薄膜硅 術(shù)的共同發(fā)明者。彼持有四項專利，并撰寫了大量的講座和論文。沙佩爾博士曾擔(dān)任多年 序委員會，以及 算機(jī)包裝委員會。他目前是 事的董事會成員。 西蒙 ·昂在阿肯色大學(xué)獲得了電子工程學(xué)士學(xué)位（ 分別從佐治亞理工學(xué)院和南方衛(wèi)理公會大學(xué)（ 得了 電子工程碩士學(xué)位博士學(xué)位。他于 1981 年加入了美國德州半導(dǎo)體組儀器，致力于設(shè)計功率集成電路和電壓調(diào)節(jié)器和工藝開發(fā)。他在 1983 年被晉升為科長。1988 年他加入阿肯色大學(xué)電機(jī)系，他目前是那里擁有超過 85 份在在微電子，固態(tài)材料，以及開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的簡報和會議論文期刊或合著文件的作者。他擁有三項美國專利。他出版了一部著作，題為 “電源開關(guān)轉(zhuǎn)換器 ” 馬塞爾 ·德克爾，分別于 1991 年和 1993 年在阿肯色大學(xué)獲得電工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。 1991 年，他加入 究介電鉆石 板的性能。目前，他是阿肯色大學(xué)的一 名博士生，研究信號傳輸和供電工作 撲的分布特性。 丹尼 ·奧爾德姆于 1992 年在阿肯色大學(xué)獲得電氣工程學(xué)士學(xué)位的。他一直負(fù)責(zé)聚酰亞胺 /鋁的 工藝開發(fā)，以及 板的制造和研究聚酰亞胺薄膜。他目前正在攻讀碩士學(xué)位。 外文資料譯文 1 互連網(wǎng)絡(luò)電力系統(tǒng)（ 撲結(jié)構(gòu)的電氣特性 L. W. S. . . 、 撲 結(jié)構(gòu) 實現(xiàn) 撲結(jié)構(gòu)用傳統(tǒng)的 藝很容易實現(xiàn)，細(xì)線條光刻和批處理文件通過制造是固有的正常生產(chǎn)。 現(xiàn)相當(dāng)實用，如果通孔制造是通過其他常規(guī)的機(jī)械鉆孔，并且通孔尺寸足夠小，不足以影響行間距。 一個兩層的過程，盡管開辟了可能性，制造導(dǎo)體的任一側(cè)上的一塊聚合物影像，可以處理卷到卷格式 （圖 5（ a）），得到的結(jié)果基片可以進(jìn)行填充和測試，然后申請封裝以形成剛性結(jié)構(gòu)（圖 5（ b）），廉價的絲網(wǎng)印刷的材料和方法可用于該模塊的底部上可以形成一個球柵陣列（ 提供了一個方便的系統(tǒng)接口（圖 5（ c））。這種模塊可以非常便宜，但仍然產(chǎn)生高性能。 圖 5 像載體 四、 析和實驗 由于 撲是從根本上不同于傳統(tǒng)的微帶線或有固體電源和地平面外文資料譯文 2 帶狀線的 輸線環(huán)境，進(jìn)行了一項確定電源和信號環(huán)境的特點的詳細(xì)研究 。 正常 率分布是由固體金屬的電源和地平面 ， 有時具有介于其間的創(chuàng)建的平行板的去耦電容，提供所有或部分的瞬時電流需求的薄介電 。在大多數(shù)情況下，然而，表面安裝的陶瓷電容需要為充電水庫，以保持這些瞬態(tài)的 di/聲 低于可接受的利潤率。傳統(tǒng)的貼片電容具有相對較高的寄生電感和低共振頻率，但是。特別低電感電容 初設(shè)計用于 傳導(dǎo)模塊，提供了更好的去耦。平行板 P/G 本身形成了 一個低電感分布結(jié)構(gòu)。引線鍵合從這些 芯片的，盡管許多并聯(lián)，有助于更多的電感和批判影響片上的噪音。 圖 6 測試車輛功率瞬態(tài)測量設(shè)置 撲結(jié)構(gòu)取代了堅實的平面網(wǎng)狀導(dǎo)線。在雙網(wǎng)平面寬 100 點，導(dǎo)線 320 點的間距，降低至 62％，純金屬覆蓋了堅實的平面。即使有大量的電源和接地的導(dǎo)體切割，以適應(yīng)信號線，金屬覆蓋為 40％，可以實現(xiàn)的。增加外文資料譯文 3 電阻和電感因此，預(yù) 測 寄生效應(yīng)。然而，由于貢獻(xiàn)這些寄生到 在堅實的平面上的情況下，往往是微不足道的，這種性能下降 在幾乎所有的情況下 都 是可控的。附件的正常及低以傳統(tǒng)的方式的電感的去耦電容 在很寬的的頻率范圍內(nèi)提供了必要的去耦電容 。 要檢查有效性 電，兩個測試車輛設(shè)計和建造一個與固體 在每四個 n 溝道功率 安排連接模塊上的阻性負(fù)載電源和地之間，從而誘導(dǎo)到大的 di/電結(jié)構(gòu)。如該圖所示。有幾個網(wǎng)站所提供的正常的陶瓷，以及低電感片狀電容器。為清楚起見，該測試車的其他功能，用于信號傳輸?shù)臏y量，還沒有被證明 ，對 電容器和負(fù)載 的各種組合 ，以及電流上升時間，進(jìn)行了 測 試。測量結(jié)果 將 在后面介紹。 圖 7 中所示的的 號傳輸環(huán)境。每根信號線之間交流接地導(dǎo)體相同的金屬平面上，通過正交功率，接地和信號導(dǎo)體上的其它金屬平面。由于交流接地導(dǎo)體，在所述第二平面還到信號線正交，返回電流流僅在共面導(dǎo)體 ;正交導(dǎo)體適度降低線路阻抗，通過電容加載。這初步證明了建設(shè) 大型物理模型（ 寸大小的 160 倍）做 量，并已被證實 試車輛上的測量如下所述。 圖 7 號的傳輸環(huán)境 示于圖的則該測試車輛 ，在一個發(fā)達(dá)的 設(shè)計及金屬制品業(yè)的，具有四種掩模過程中使用鋁中導(dǎo)體和光可聚酰亞胺介電 5 硅襯底。 硅片上用 積，或 杜邦 2721 聚酰亞胺層 制造工藝。并通過光刻法和外文資料譯文 4 濕法刻蝕定義。接著，將聚酰亞胺的層上旋轉(zhuǎn)，曝光，和發(fā)展 。 金屬重復(fù)沉積和圖案化，以形成第二金屬層和一個最終的聚酰亞胺的步驟形成了保護(hù)大衣 ，對 幾個中間層和基礎(chǔ)層厚度介質(zhì)進(jìn)行了比較。 33 x 26 毫米基板填充去耦電容和端接電阻器和使用的，無包裝的，傳輸線和配電阻抗測量接收功率 片，去耦電容器，和負(fù)載電阻器，并且被安裝在一個 256 引領(lǐng) 和 量 配電噪聲。用于固體平面版本同樣配置的功率分布測量。兩個基板的制作中，使用相同 的四個掩模，與板占據(jù)六個八個可能的， 5 晶圓網(wǎng)站，和固體的平面基片的其余兩個網(wǎng) 絡(luò) 。 有幾種不同的信號傳輸測試結(jié)構(gòu)被列入在 驗車輛。所有有微波探頭墊 150 點間距在任一端，并提供終止該行使用 50 R 0603 尺寸（ 導(dǎo)電基體結(jié)合的片式電阻器環(huán)氧樹脂。對于所有的傳輸線測量，去 圖 8 試車輛 耦電容，足以容納配電阻抗下面 從 1 1 安裝。（請參閱以外文資料譯文 5 下部分配電阻抗）第二水平金屬線無論是 米或 米長配置為信號電源和地線之間（ 信號分割內(nèi)電力導(dǎo)體（ 信號內(nèi)部分裂的接地導(dǎo)體（ 這里還設(shè)有一個串?dāng)_測量線設(shè)置，下午 80 點間距，從動線躺在電源和地之間，與受害人線內(nèi)相鄰的分割接地導(dǎo)體。第一級線（躺在聚酰亞胺介電） 米長，配置 進(jìn)行了測量，看是否線阻抗不同于第二金屬。 撲的一個方面，提出了特別的關(guān)注。這是對阻抗的影響，特別是在傳播速度，改變從，例如，一個 X 去 的 的。有一個不連續(xù)返回電流路徑變化的點，其中有一些效果根據(jù) P 和 G 頻率脫鉤的興趣。這還沒有出現(xiàn)的一個問題在許多 信號層，其中經(jīng)常引用電源或接地平面沒有效果。如果要判斷 存在問題，五段創(chuàng)建路徑， 米 米 米， 米 米的 分串聯(lián)。 層間和大衣聚酰亞胺基板厚度為 午 2 點和初始 質(zhì)厚度，建立和計量。實驗采用泰克 10 互連參數(shù)分析儀。該結(jié)果如下表所示。 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 54 75 這些測量結(jié)果表明之間的重大差異 傳輸線，所造成的薄介電 下，將得到的字段存在于部分導(dǎo)電的硅襯底。的阻抗 是高于預(yù)期，因為面具錯誤導(dǎo)致線的寬度，而不是所期望的。 傳播延遲確定的值肯定是類似于其他 板 ;貨幣供應(yīng)量 數(shù)字均高于由于在基外文資料譯文 6 板的接近。沒有問題，所造成的被引用到電源或接地的信號延遲 ， 五段線是從其他 沒有什么不同。 掩模組進(jìn)行了修改和重復(fù)實驗以 8 分厚的聚酰亞胺的初始介電層，并 間 的聚酰亞胺。下面結(jié)果，得到： 2 70 2 70 2 70 2 66 2 66 2 66 52 68 即使有一個 8 點層的聚酰亞胺中，所述半導(dǎo)體硅仍然具有效果。由于我們目前使用的測試作為基板的晶片，晶片的電阻率是未知的。進(jìn)一步制作將使用測得的電阻率硅片確定的電阻率要消除的區(qū)別 傳輸線。詳細(xì)的模擬線上述半導(dǎo)體基板也正在進(jìn)行中。當(dāng)然，不同的實現(xiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，對一個不會有低介電常數(shù)的絕緣基板的這個問題。 串?dāng)_測量 米耦合長度。受害者線兩端終止。測量是在 “近期行動計劃 ”310 注入 20上升時間 沖，從動線和測量的受害者線。串?dāng)_峰值小于這一套耦合線長 這一結(jié)果表明，串?dāng)_以合理的時鐘不應(yīng)該是一個問題頻率和線的長度。 同時使用功率分布測量阻抗 510 網(wǎng)絡(luò)分析儀和 291A 阻抗米?？梢詼y量 45 1 一系列 8510 。 圖 9 示出了測量的阻抗為幾種 外文資料譯文 7 圖 9 使用 510 網(wǎng)絡(luò)分析儀測出的配電阻抗頻率 特性 圖 10 使用 291A 阻抗測量儀 測出的 功率分布 阻抗頻率特性 底物的各種組合去耦電容。即使是低電感 效果電容只出現(xiàn)高于這個頻率低于 300 固有電容，無論是固體（ 版本中，占主導(dǎo)地位的測量阻抗。阻抗的上升，從 600 到 900 于電感的外文資料譯文 8 影響。 4291A，測量從 1 至 500 圖所示。共振 0.1 片電容是清楚地看到大約 20些測量是在不 容放置，以便確認(rèn)的 測阻抗的上升，與正常上限之間 200 和 300 兆赫。 結(jié)果表明，有什么區(qū)別 電結(jié)構(gòu)和一個使用固體。任何平面效果的附件或?qū)⒈黄帘我€鍵合阻抗的數(shù)量和類型使用的電容器。該程序用來連接芯片電容器是極其重要的，因為在襯底的鋁系迅速形成原生的三氧化二鋁，甚至這大約 80 A 的氧化物能產(chǎn)生可測量功率電阻路徑。這可能占到無法實現(xiàn)極其低阻抗。 圖中所示的測試車。 6 始建于兩個 固體平面設(shè)計。兩個 0.1 個 135 容 去耦。六并聯(lián) 50R 電阻被用作負(fù)載（ 每四個功率 電阻）。在基片 110 地面組裝成 256 鉛 80 電源連接，以保證固體配電到基板上。這些軟件包被焊接到習(xí)俗，脫鉤的測試板。生成的程序集直流電壓的下降，大電流流經(jīng)負(fù)載電阻，在基板上平面的交流噪聲大的 di/起的脈沖驅(qū)動 發(fā)電機(jī)。 因為裝配問題，只有三四個 載部分可以被激活，而一些負(fù)載電阻不起作用，所以這些測試車輛的有效電阻 然而，這是足夠低的，充足的電流可以得出，即使采用 10 V 最大口授去耦電容。測量直流滴 底電流和 電壓降封裝的引線鍵合架的中心之間的基板，其中測試點提供。的總電壓下降分別為 12 固體飛機(jī)和 21 以固態(tài)和每架飛機(jī)的 3 效地抵抗 R。基于金屬的量在這兩個幾何形狀，這是預(yù)料之中的。 聲進(jìn)行了測量，總基板 di/前緣處的導(dǎo)通脈沖。固體平面和 本具有峰 200是取決于在飛機(jī)上測量了。這樣的結(jié)果，如配電阻抗的測量，是一個反射的電容和附件的方法超過它是平面配電任何固有的局限性的結(jié)構(gòu)。 五 用范圍 撲結(jié)構(gòu)可以提供，容易制造 設(shè)計規(guī)則，變量信號線密度高達(dá) 250cm/中兩個金屬層（ 80 時），這是與其他 現(xiàn)。這些被控制可以根據(jù)阻抗的阻抗線 50圍內(nèi)適當(dāng)?shù)膸缀涡螤?。由于對其間外文資料譯文 9 交流接地導(dǎo)體，它們具有極低的串?dāng)_。如果需要更大的密度，選擇性刪除配電連接，或者，一個四層的 構(gòu)可以產(chǎn)生。這將是一個更有效地利用金屬比傳統(tǒng)的四層堆棧。 由這些線表現(xiàn)出的損失的函數(shù)，自己材料和橫截面。厚銅鍍線將遠(yuǎn)遠(yuǎn)比鋁薄線損耗少，內(nèi)幾個 應(yīng)商的工藝能力。 功率分布特征比較與 傳統(tǒng)的固體平面，無論是在阻抗和噪音測量。直流電阻滴如與更大比固體平面，但只會是一個模塊的問題非常高的功率密度，并可以減少到較厚的電鍍金屬的無關(guān)緊要的水平。如果有 撲結(jié)構(gòu)的限制，他們的 上述檢查的頻率和功率密度測試，大概以上的時鐘頻率，線密度和模塊的權(quán)力感興趣的 近期高點批量應(yīng)用。盡管需要額外的工作細(xì)化這里提出的測量，它似乎沒有采用這種有效的降低成本的 大多數(shù)用的方法。 致謝 再此對 設(shè)計和制造專業(yè)的 P. Y. 及 以誠摯謝意。 倫納德 ·沙佩爾（ S'65 M'92） 獲得 1967 在 紐瓦克工程學(xué)院 就讀 ， 1968 年于 麻省理工電氣工程技術(shù)研究所，博士 學(xué)位于 1973年 在新澤西技術(shù)研究所 獲得 。他 在加入 美國麻省理工學(xué)院之前， 自 1978 年以來任教于 T 貝爾實驗室。 自 1980 年以來 他一直活躍在電子封裝。他 于1990 年 加入美鋁電子封裝，指導(dǎo)他們的活動在薄膜的 1992 年，他 在阿肯色大學(xué)的中心 被任命為 高密度電子 氣工程教授主任，在那里他領(lǐng)導(dǎo)的研究活動 是 超過 30 個研究生 參與的 先進(jìn)的多芯片模塊技術(shù)。他 是 公司的薄膜硅 術(shù)的共同發(fā)明者。彼持有四項專利，并撰寫了大量的講座和論文。沙佩爾博士曾擔(dān)任多年 序委員會，以及 算機(jī)包裝委員會。他目前是 事的董事會成員。 西蒙 ·昂 在阿肯色大學(xué) 獲得了電子工程學(xué)士學(xué)位（ 分別從佐治亞理工學(xué)院和南方衛(wèi)理公會大學(xué)（ 獲得 了 電子工程碩士學(xué)位博士學(xué)位。他 于 1981 年 加入了美國德州半導(dǎo)體組儀器，致力于設(shè)計 功率集成電路 和電壓調(diào)節(jié)器和工藝開發(fā)。他 在 1983 年 被晉升為科長。1988 年他加入 阿肯色大 學(xué) 電機(jī)系，他目前 是那里擁有 超過 85 份在在微電子，外文資料譯文 10 固態(tài)材料，以及開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的簡報和會議論文 期刊 或合著文件 的作者。他擁有 三項美國 專利。他 出版了一部著作 ，題為 “電源開關(guān)轉(zhuǎn)換器 ” 馬塞爾 ·德克爾， 分別于 1991 年和 1993 年在 阿肯色大學(xué) 獲得 電工程 學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位 。 1991 年，他加入 究介電鉆石 板的性能。目前，他是阿肯色大學(xué)的 一名 博士生， 研究 信號傳輸和供電工作 撲的分布特性。 丹尼 ·奧爾德姆 于 1992 年在阿肯色大學(xué) 獲得 電氣工程 學(xué)士學(xué)位的。他一直負(fù)責(zé) 聚酰亞胺 /鋁的 工藝 開發(fā)， 以及 板的制造和研究聚酰亞胺薄膜 。 他目前正在攻讀碩士學(xué)位。 N , 18, I, 995 of . W. S. . . CM be by of or X Y to or as a of to on of of a of is in an on of de ac on a of CM I. CM in to of to is to of be by CM’s or or X Y a is a of s, no if it is a or a 1994; 3, 1994. is by 3at 4, 1994. 2701 407917. x Y Y 9 (b) 1. of 300 of is to of to of 11. is a as as in It of to a of is 1. a in CM’s or of as a as a l(a), on at a to ( 10705$995 00 N 2. “, 18, 1, ,is l(a) to of or of on l(b)). a of In of is no if be be at an of be as 2. in of a “( up to of at or An be of a or nP as a of .. . 5P .. 3P ... ... 2P or at A is to a “( in 0 pm a 00 pm 0 pm be (or 20 pm 3.) in be 20 pm 3. 995 4. (a) (b) at 0 pm 160 pm 4(a)). In be or 4(b)) a 0 or to at to of on be 0 pm et F 01 5. on 5 pm 25 pm 0 pm on CM to by an ac of is in a to is if is by is to A up of on of a of be in 5(a)). be to a 5(b)). be to a on of a 5(c)). of be is or CM a to of A. CM is by an a to or of In as to di/dt on , a of In a 00 pm 20 pm is 2% of a to 0% be of to dc ac in 02 N , 18, 1, 995 111 6. is in of in a To On ET's to di/dt As 6, as as of of as as B. is 7. ac on on ac in to of in by 160 CM DR by on C. he 8 in a pm 7. on i or pm 721 pm i by a of 0 pm 5 pm to a a of 3 x 26 mm or it ET in a 256 of dc ac of D. in 50 pm at to a 50 R 0603 1.6 x 0.8 to to (on 4.6 mm 6.6 mm as a a is a of 0 pm on or 18.2 mm SG to if of on on of et F 108. to a SG is a at of on at of to be a in CM's, to or no To if a a .4 6.3 11.5 6.3 .4 SP in an .0 a 10 Z& 1 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 4 75 a 1 2 by 1, of of 2 a 6 pm of 0 of 2 is to 1 to of No 03 by to or of no 2 pm .4 pm of 1 2. t,ps/1 2 72 2 72 2 70 2 66 2 66 2 66 2 68 pm of an As we as is to to 1 2 of in Of a of on an of 2 8.5 mm of on 10 by 0 pS DR on of 04 N , 18, 1, 995 m c 12 - 1 ........................... 0 0 100 200 300 400 500 (P 4291A be a at E. P 8510 P 4291A A 5 be 510. 9 of of VX 00 of in 3.2 1.6 00 00 is to 291A, 00 as 10. of .1 pF is 0 VX in in to in in 00 00 is be by or by of to is as of 0 A of pro 1 互連網(wǎng)絡(luò)電力系統(tǒng)（ 撲結(jié)構(gòu)的電氣特性 L. W. S. . . 、 撲結(jié)構(gòu)實現(xiàn) 撲結(jié)構(gòu)用傳統(tǒng)的 藝很容易實現(xiàn)，細(xì)線條光刻和批處理文件通過制造是固有的正常生產(chǎn)。 現(xiàn)相當(dāng)實用，如果通孔制造是通過其他常規(guī)的機(jī)械鉆孔，并且通孔尺寸足夠小，不足以影響行間距。 一個兩層的過程，盡管開辟了可能性，制造導(dǎo)體的任一側(cè)上的一塊聚合物影像，可以處理卷到卷格式 （圖 5（ a）），得到的結(jié)果基片可以進(jìn)行填充和測試 ，然后申請封裝以形成剛性結(jié)構(gòu)（圖 5（ b）），廉價的絲網(wǎng)印刷的材料和方法可用于該模塊的底部上可以形成一個球柵陣列（ 提供了一個方便的系統(tǒng)接口（圖 5（ c））。這種模塊可以非常便宜，但仍然產(chǎn)生高性能。 圖 5像載體 四、 析和實驗 由于 撲是從根本上不同于傳統(tǒng)的微帶線或有固體電源和地平面 2 帶狀線的 輸線環(huán)境，進(jìn)行了一項確定電源和信號環(huán)境的特點的詳細(xì)研究。 正常 率分布是由固體金屬的電源和地平面，有時具有介于其間的創(chuàng)建的平行板的去耦電容，提供所有或部分的瞬時電流需 求的薄介電。在大多數(shù)情況下，然而，表面安裝的陶瓷電容需要為充電水庫，以保持這些瞬態(tài)的 di/聲低于可接受的利潤率。傳統(tǒng)的貼片電容具有相對較高的寄生電感和低共振頻率，但是。特別低電感電容 初設(shè)計用于 傳導(dǎo)模塊，提供了更好的去耦。平行板 P/G 本身形成了一個低電感分布結(jié)構(gòu)。引線鍵合從這些芯片的，盡管許多并聯(lián)，有助于更多的電感和批判影響片上的噪音。 圖 6 測試車輛功率瞬態(tài)測量設(shè)置 撲結(jié)構(gòu)取代了堅實的平面網(wǎng)狀導(dǎo)線。在雙網(wǎng)平面寬 100 點，導(dǎo)線 320 點的間距，降低至 62％，純金屬覆蓋了堅實 的平面。即使有大量的電源和接地的導(dǎo)體切割，以適應(yīng)信號線，金屬覆蓋為 40％，可以實現(xiàn)的。增加 3 電阻和電感因此，預(yù)測寄生效應(yīng)。然而，由于貢獻(xiàn)這些寄生到 在堅實的平面上的情況下，往往是微不足道的，這種性能下降在幾乎所有的情況下都是可控的。附件的正常及低以傳統(tǒng)的方式的電感的去耦電容在很寬的的頻率范圍內(nèi)提供了必要的去耦電容。 要檢查有效性 電，兩個測試車輛設(shè)計和建造一個與固體 在每四個 n 溝道功率 安排連接模塊上的阻性負(fù)載電源和地之間，從而誘導(dǎo)到大的 di/電結(jié)構(gòu)。如該圖所示。有幾個 網(wǎng)站所提供的正常的陶瓷，以及低電感片狀電容器。為清楚起見，該測試車的其他功能，用于信號傳輸?shù)臏y量，還沒有被證明，對電容器和負(fù)載的各種組合，以及電流上升時間，進(jìn)行了測試。測量結(jié)果將在后面介紹。 圖 7 中所示的的 號傳輸環(huán)境。每根信號線之間交流接地導(dǎo)體相同的金屬平面上，通過正交功率，接地和信號導(dǎo)體上的其它金屬平面。由于交流接地導(dǎo)體，在所述第二平面還到信號線正交，返回電流流僅在共面導(dǎo)體 ;正交導(dǎo)體適度降低線路阻抗，通過電容加載。這初步證明了建設(shè)大型物理模型（ 寸大小的 160 倍）做 量 ，并已被證實 試車輛上的測量如下所述。 圖 7號的傳輸環(huán)境 示于圖的則該測試車輛，在一個發(fā)達(dá)的 設(shè)計及金屬制品業(yè)的，具有四種掩模過程中使用鋁中導(dǎo)體和光可聚酰亞胺介電 5 硅襯底。 硅片上用 積，或杜邦 2721 聚酰亞胺層制造工藝。并通過光刻法和 4 濕法刻蝕定義。接著，將聚酰亞胺的層上旋轉(zhuǎn)，曝光，和發(fā)展。金屬重復(fù)沉積和圖案化，以形成第二金屬層和一個最終的聚酰亞胺的步驟形成了保護(hù)大衣，對幾個中間層和基礎(chǔ)層厚度介質(zhì)進(jìn)行了比較。 33 x 26 毫米基板填充去耦電 容和端接電阻器和使用的，無包裝的，傳輸線和配電阻抗測量接收功率 片，去耦電容器，和負(fù)載電阻器，并且被安裝在一個 256 引領(lǐng) 和 量 配電噪聲。用于固體平面版本同樣配置的功率分布測量。兩個基板的制作中，使用相同的四個掩模，與板占據(jù)六個八個可能的， 5 晶圓網(wǎng)站，和固體的平面基片的其余兩個網(wǎng)絡(luò)。 有幾種不同的信號傳輸測試結(jié)構(gòu)被列入在 驗車輛。所有有微波探頭墊 150 點間距在任一端，并提供終止該行使用 50 R 0603 尺寸（ 導(dǎo)電基 體結(jié)合的片式電阻器環(huán)氧樹脂。對于所有的傳輸線測量，去 圖 8 試車輛 耦電容，足以容納配電阻抗下面 從 1 1 安裝。（請參閱以 5 下部分配電阻抗）第二水平金屬線無論是 米或 米長配置為信號電源和地線之間（ 信號分割內(nèi)電力導(dǎo)體（ 信號內(nèi)部分裂的接地導(dǎo)體（ 這里還設(shè)有一個串?dāng)_測量線設(shè)置，下午 80 點間距，從動線躺在電源和地之間，與受害人線內(nèi)相鄰的分割接地導(dǎo)體。第一級線（躺在聚酰亞胺介電） 米長，配置 進(jìn)行了測量，看是否線阻抗不同于第二金屬。 撲的一個方面，提出了特別的關(guān)注。這是對阻抗的影響，特別是在傳播速度，改變從，例如，一個 X 去 的 的。有一個不連續(xù)返回電流路徑變化的點，其中有一些效果根據(jù) P 和 G 頻率脫鉤的興趣。這還沒有出現(xiàn)的一個問題在許多 信號層，其中經(jīng)常引用電源或接地平面沒有效果。如果要判斷 存在問題，五段創(chuàng)建路徑， 米 米 米， 米 米的 分串聯(lián)。 層間和大衣聚酰亞胺基板厚度為 ， 下午 2 點和初始 質(zhì)厚度，建立和計量。實驗采用泰克 10 互連參數(shù)分析儀。該結(jié)果如下表所示。 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 錯誤 !未 找 到 引 用源。 54 75 這些測量結(jié)果表明之間的重大差異 傳輸線，所造成的薄介 6 電 下，將得到的字段存在于部分導(dǎo)電的硅襯底。的阻抗 是高于預(yù)期，因為面具錯誤導(dǎo)致線的寬度，而不是所期望的。 傳播延遲確定的值 肯定是類似于其他 板 ;貨幣供應(yīng)量 數(shù)字均高于由于在基板的接近。沒有問題，所造成的被引用到電源或接地的信號延遲，五段線是從其他 沒有什么不同。 掩模組進(jìn)行了修改和重復(fù)實驗以 8 分厚的聚酰亞胺的初始介電層，并 間 的聚酰亞胺。下面結(jié)果，得到： 2 70 2 70 2 70 2 66 2 66 2 66 錯誤 !未 找 到 引 用源。 52 68 即使 有一個 8 點層的聚酰亞胺中，所述半導(dǎo)體硅仍然具有效果。由于我們目前使用的測試作為基板的晶片，晶片的電阻率是未知的。進(jìn)一步制作將使用測得的電阻率硅片確定的電阻率要消除的區(qū)別 傳輸線。詳細(xì)的模擬線上述半導(dǎo)體基板也正在進(jìn)行中。當(dāng)然，不同的實現(xiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，對一個不會有低介電常數(shù)的絕緣基板的這個問題。 串?dāng)_測量 米耦合長度。受害者線兩端終止。測量是在 “近期 7 行動計劃 ”310 注入 20上升時間 沖，從動線和測量的受害者線。串?dāng)_峰值小于這一套耦合線長 這一結(jié)果表明，串?dāng)_以合理的時鐘 不應(yīng)該是一個問題頻率和線的長度。 同時使用功率分布測量阻抗 510 網(wǎng)絡(luò)分析儀和 291A 阻抗米?？梢詼y量 45 1 一系列 8510 。圖 9 示出了測量的阻抗為幾種 圖 9 使用 510 網(wǎng)絡(luò)分析儀測出的配電阻抗頻率特性 8 圖 10 使用 抗測量儀測出的功率分布阻抗頻率特性 底物的各種組合去耦電容。即使是低電感 效果電容只出現(xiàn)高于這個頻率低于 300 固有電容，無論是固體（ 版本中，占主導(dǎo)地位的測量 阻抗。阻抗的上升，從 600 到 900 于電感的影響。 4291A，測量從 1 至 500 圖所示。共振 0.1 片電容是清楚地看到大約 20些測量是在不 容放置，以便確認(rèn)的 測阻抗的上升，與正常上限之間 200 和 300 兆赫。 結(jié)果表明，有什么區(qū)別 電結(jié)構(gòu)和一個使用固體。任何平面效果的附件或?qū)⒈黄帘我€鍵合阻抗的數(shù)量和類型使用的電容器。該程序用來連接芯片電容器是極其重要的，因為在襯底的鋁系迅速形成原生的三氧化二鋁，甚至這大約 80 A 的氧化物能產(chǎn)生可測量功率電阻路 徑。這可能占到無法實現(xiàn)極其低阻抗。 圖中所示的測試車。 6 始建于兩個 固體平面設(shè)計。兩個 0.1 個 135 容去耦。六并聯(lián) 50R 電阻被用作負(fù)載（ 每四個功率 電阻）。在基片 110 地面組裝成 256 鉛 80 電源連接，以保證固體配電到基板上。這些軟件包被焊接到習(xí)俗，脫鉤的測試板。生成的程序集直流電壓的下降，大電流流經(jīng)負(fù)載電阻，在基板上平 9 面的交流噪聲大的 di/起的脈沖驅(qū)動 發(fā)電機(jī)。 因為裝配問題，只有三四個 載部分 可以被激活，而一些負(fù)載電阻不起作用，所以這些測試車輛的有效電阻 而，這是足夠低的，充足的電流可以得出，即使采用 10 V 最大口授去耦電容。測量直流滴 底電流和電壓降封裝的引線鍵合架的中心之間的基板，其中測試點提供。的總電壓下降分別為 12 固體飛機(jī)和 21 以固態(tài)和每架飛機(jī)的 3 效地抵抗 R?；诮饘俚牧吭谶@兩個幾何形狀，這是預(yù)料之中的。 聲進(jìn)行了測量，總基板 di/前緣處的導(dǎo)通脈沖。固體平面和 本具有峰 為 是取決于在飛機(jī)上測量了。這樣的結(jié)果，如配電阻抗的測量，是一個反射的電容和附件的方法超過它是平面配電任何固有的局限性的結(jié)構(gòu)。 五 用范圍 撲結(jié)構(gòu)可以提供，容易制造 設(shè)計規(guī)則，變量信號線密度高達(dá) 250cm/中兩個金屬層（ 80 時），這是與其他 現(xiàn)。這些被控制可以根據(jù)阻抗的阻抗線 50圍內(nèi)適當(dāng)?shù)膸缀涡螤?。由于對其間交流接地導(dǎo)體，它們具有極低的串?dāng)_。如果需要更大的密度，選擇性刪除配電連接，或者，一個四層的 構(gòu)可以產(chǎn)生。這將是一個 更有效地利用金屬比傳統(tǒng)的四層堆棧。 由這些線表現(xiàn)出的損失的函數(shù)，自己材料和橫截面。厚銅鍍線將遠(yuǎn)遠(yuǎn)比鋁薄線損耗少，內(nèi)幾個 應(yīng)商的工藝能力。 功率分布特征比較與傳統(tǒng)的固體平面，無論是在阻抗和噪音測量。直流電阻滴如與更大比固體平面，但只會是一個模塊的問題非常高的功率密度，并可以減少到較厚的電鍍金屬的無關(guān)緊要的水平。如果有 撲結(jié)構(gòu)的限制，他們的上述檢查的頻率和功率密度測試，大概以上的時鐘頻率，線密度和模塊的權(quán)力感興趣的近期高點批量應(yīng)用。盡管需要額外的工作細(xì)化這里提出的測量，它似乎沒有采用這種 有效的降低成本的大多數(shù)用的方法。 致謝 再此對設(shè)計和制造專業(yè)的 P. Y. 及 10 以誠摯謝意。 倫納德 ·沙佩爾（ S'65 M'92）獲得 1967 在紐瓦克工程學(xué)院就讀， 1968 年于麻省理工電氣工程技術(shù)研究所，博士學(xué)位于 1973年在新澤西技術(shù)研究所獲得。他在加入美國麻省理工學(xué)院之前，自 1978 年以來任教于 T 貝爾實驗室。自 1980 年以來他一直活躍在電子封裝。他于1990 年加入美鋁電子封裝，指導(dǎo)他們的活動在薄 膜的 1992 年，他在阿肯色大學(xué)的中心被任命為高密度電子 氣工程教授主任，在那里他領(lǐng)導(dǎo)的研究活動是超過 30 個研究生參與的先進(jìn)的多芯片模塊技術(shù)。他是 公司的薄膜硅 術(shù)的共同發(fā)明者。彼持有四項專利，并撰寫了大量的講座和論文。沙佩爾博士曾擔(dān)任多年 序委員會，以及 算機(jī)包裝委員會。他目前是 事的董事會成員。 西蒙 ·昂在阿肯色大學(xué)獲得了電子工程學(xué)士學(xué)位（ 分別從佐治亞理工學(xué)院和南方衛(wèi)理公會大學(xué)（ 得了 電子工程碩士學(xué)位博士學(xué)位。他于 1981 年加入了美國德州半導(dǎo)體組儀器，致力于設(shè)計功率集成電路和電壓調(diào)節(jié)器和工藝開發(fā)。他在 1983 年被晉升為科長。1988 年他加入阿肯色大學(xué)電機(jī)系，他目前是那里擁有超過 85 份在在微電子，固態(tài)材料，以及開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的簡報和會議論文期刊或合著文件的作者。他擁有三項美國專利。他出版了一部著作，題為 “電源開關(guān)轉(zhuǎn)換器 ” 馬塞爾 ·德克爾，分別于 1991 年和 1993 年在阿肯色大學(xué)獲得電工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。 1991 年，他加入 究介電鉆石 板的性能。目前，他是阿肯色大學(xué)的一 名博士生，研究信號傳輸和供電工作 撲的分布特性。 丹尼 ·奧爾德姆于 1992 年在阿肯色大學(xué)獲得電氣工程學(xué)士學(xué)位的。他一直負(fù)責(zé)聚酰亞胺 /鋁的 工藝開發(fā)，以及 板的制造和研究聚酰亞胺薄膜。他目前正在攻讀碩士學(xué)位。
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