ATC單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)基礎(chǔ).ppt

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第二章AT89C51單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)基礎(chǔ),,,2.1內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳功能2.2時(shí)鐘電路和復(fù)位電路2.3存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu),2.1內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳功能,2.1.1單片機(jī)內(nèi)部主要部件中央處理器：完成控制運(yùn)算和控制功能內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器：地址范圍00H~7FH21個(gè)特殊功能寄存器：地址為80H~FFH程序計(jì)數(shù)器PC：獨(dú)立的16位專(zhuān)用寄存器4KB內(nèi)部程序存儲(chǔ)器：存儲(chǔ)程序等4個(gè)8位可編程I/O口一個(gè)串行通信口2個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器5個(gè)中斷源，兩個(gè)中斷源優(yōu)先級(jí)的中斷控制系統(tǒng)一個(gè)片內(nèi)振蕩器和時(shí)鐘電路,,2.1.2引腳功能1.電源引腳GND：接地端VCC：電源腳，一般工作電壓為5V2、時(shí)鐘引腳XTAL1:振蕩輸入端XTAL2:振蕩輸出端3、控制線(xiàn)RST:復(fù)位輸入端ALE:地址鎖存允許/編程脈沖PSEN:外部ROM讀選通信號(hào)EA：內(nèi)外ROM選擇/編程電源4、4個(gè)I/O口可作輸入和輸出端,2.2時(shí)鐘電路和復(fù)位電路,2.2.1時(shí)鐘電路單片機(jī)內(nèi)有時(shí)鐘電路，與振蕩器共同產(chǎn)生單片機(jī)工作所需要的時(shí)鐘信號(hào)。它使單片機(jī)在唯一的時(shí)鐘信號(hào)控制下，嚴(yán)格地按一定的節(jié)拍進(jìn)行工作（按一定的時(shí)序進(jìn)行工作）。振蕩器可由單片機(jī)內(nèi)振蕩元件外接振蕩元件實(shí)現(xiàn)，構(gòu)成內(nèi)部時(shí)鐘方式，即在XTAL1和XTAL2引腳跨接振蕩器元件（如晶振），則可構(gòu)成一個(gè)穩(wěn)定的自激振蕩器。如果振蕩器元件是晶振，則在晶振兩個(gè)引腳上接上兩個(gè)電容。電容主要是起頻率微調(diào)和穩(wěn)定的作用。電容容量一般為30pf.,,,,圓柱11.0592MHZ晶振11.0592MHZ,,當(dāng)時(shí)鐘精度要求不高時(shí)，也可以用陶瓷諧振蕩器、電感電容電路等代替晶振。若用陶瓷諧振蕩器，則兩個(gè)電容的容量為47pf設(shè)計(jì)電路板時(shí)，晶振、電容應(yīng)盡可能地靠近單片機(jī)，以減少分布電容的影響，從而保證振蕩器穩(wěn)定、可靠地工作。,,片晶體諧振器26.000MHZ,陶瓷晶振4.000MHZ,,振蕩器也可以是外振蕩源，將其信號(hào)接單片機(jī)XTAL1腳，XTAL2腳懸空，構(gòu)成外部時(shí)鐘方式。見(jiàn)P15時(shí)鐘方式方框圖,,2.2.2復(fù)位電路1復(fù)位復(fù)位是令單片機(jī)初始化的操作，其主要功能是初始化單片機(jī)的工作狀態(tài)。例如，把程序計(jì)數(shù)器PC的值初始化為0000H，這樣單片機(jī)在復(fù)位后就從程序存儲(chǔ)器ROM的0000H單元開(kāi)始執(zhí)行程序。另外，當(dāng)程序運(yùn)行出錯(cuò)或因操作錯(cuò)誤而使系統(tǒng)處于死鎖狀態(tài)時(shí)，按復(fù)位鍵來(lái)重新初始化單片機(jī)。,,2、復(fù)位信號(hào)RST引腳是復(fù)位信號(hào)的輸入端。實(shí)現(xiàn)復(fù)位操作，必須使RST引腳至少保持兩個(gè)機(jī)器周期的高電平（一般用手按下去再放開(kāi)，都能達(dá)到兩個(gè)機(jī)器周期），再?gòu)母唠娖阶優(yōu)榈碗娖?，完成?fù)位。復(fù)位后，單片機(jī)從ROM中的0000H單元開(kāi)始執(zhí)行程序。,,3復(fù)位電路復(fù)位操作有上電自動(dòng)復(fù)位、按鍵復(fù)位等方式。,,,上電復(fù)位是通過(guò)外部復(fù)位電容充電來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)位。由于電容通交流隔直流，在上電瞬間可等效交流電，在這一瞬間RST引腳的電位與VCC的電位一樣。由于電容兩端電壓差不斷增大，則RST端的電壓逐漸變小，直至電容充電完畢。電容的充電時(shí)間必須大于兩個(gè)機(jī)器周期。,,按鍵復(fù)位是通過(guò)按鍵接通的瞬間，使RST為高電平，實(shí)現(xiàn)復(fù)位功能。有些單片機(jī)內(nèi)部設(shè)置RST接收低電平時(shí)，實(shí)現(xiàn)復(fù)位功能RST是高電平還是低電平時(shí)復(fù)位，要根據(jù)單片機(jī)的類(lèi)型而定。,,,2.3存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu),2.3.1存儲(chǔ)器組成AT89C51存儲(chǔ)器由程序存儲(chǔ)器ROM和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM組成。ROM可分為片內(nèi)ROM和片外ROM。片內(nèi)ROM為4KB，地址范圍為0000H~0FFFH.片外ROM可擴(kuò)展到64KB。RAM可分為片內(nèi)RAM和片外RAM.片內(nèi)RAM由128B（00H~7FH)的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和21個(gè)特殊功能寄存器（80H~FFH)組成；片外可擴(kuò)展到64KB。,,2.3.2程序存儲(chǔ)器ROM片內(nèi)ROM用于存儲(chǔ)編好的程序、表格、常數(shù)。當(dāng)程序內(nèi)存不夠用時(shí)，可擴(kuò)展外程序存儲(chǔ)器。單片機(jī)工作時(shí)，只能讀ROM，不能寫(xiě)ROM.單片機(jī)斷電后，存儲(chǔ)在ROM中的程序、表格、常數(shù)等不會(huì)消失。低4KB地址的程序可存儲(chǔ)在片內(nèi)ROM也可存儲(chǔ)在片外ROM.選擇片外ROM還是片內(nèi)ROM,由控制線(xiàn)EA來(lái)決定。當(dāng)EA=0時(shí)，選擇片外ROM.當(dāng)EA=1時(shí)，先執(zhí)行片內(nèi)ROM,地址滿(mǎn)時(shí)，跳轉(zhuǎn)到片外ROM.,,ROM內(nèi)5個(gè)特殊的地址，是單片機(jī)的5個(gè)中斷子程序的入口程序。,,2.3.3數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM容量為128B，地址范圍為00H~7FH.分為四個(gè)區(qū)：工作寄存器、可位尋址區(qū)、數(shù)據(jù)緩沖區(qū)和堆棧區(qū)。,,1、工作寄存器工作寄存器地址為00H~1FH,分為四個(gè)組。選用哪一組的寄存器，由PSW中的RS1和RS0來(lái)決定。一般只使用工作寄存器0組。,,2、位尋址區(qū)地址范圍為20H~2FH3、數(shù)據(jù)緩沖區(qū)地址范圍為30H~7FH,,4、堆棧區(qū)什么是堆棧？(1)是單片機(jī)內(nèi)部RAM中一個(gè)專(zhuān)用的連續(xù)存儲(chǔ)區(qū)，是一個(gè)單端讀寫(xiě)操作的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。(2)51單片機(jī)的堆棧在片內(nèi)RAM中開(kāi)辟。堆棧指針（SP）(1)8位寄存器，用來(lái)存放堆棧的棧頂。(2)單片機(jī)復(fù)位后SP=07H。堆棧的操作(1)壓入堆棧：SP自動(dòng)加1，數(shù)據(jù)進(jìn)棧；先加后進(jìn)(2)彈出堆棧：數(shù)據(jù)進(jìn)棧，SP自動(dòng)減1；先出后減舉例：假設(shè)SP=70H，將數(shù)據(jù)12H，34H依次壓入堆棧解答：(1)SP自動(dòng)加1，SP=71H；將數(shù)據(jù)12H壓入SP所指的單元（71H）。(2)SP自動(dòng)加1，SP=72H，將數(shù)據(jù)34H壓入SP所指的單元（72H）。堆棧的原則：★先進(jìn)后出，后進(jìn)先出,,周一【作業(yè)】簡(jiǎn)述時(shí)鐘電路外部時(shí)鐘和內(nèi)部時(shí)鐘方式工作原理周三【作業(yè)】1、簡(jiǎn)述上電復(fù)位和按鍵復(fù)位的工作原理（電路圖參考P18圖2-5）2、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM可分為哪四個(gè)區(qū)，它們的地址是什么?,,,THANKYOU!!,