湖北省黃岡市2019高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)導(dǎo)學(xué)案.doc

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《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》 李仕才 一、考綱解讀 對照2017年考試大綱和2018年考試大綱，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)該兩年的考試大綱基本一致，特別是選修三《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》部分內(nèi)容完全一樣。新課標(biāo)高考中對本模塊能力要求多為理解層次，近三年考查選修Ⅲ試題難度中等，總體平穩(wěn)，呈適度創(chuàng)新的態(tài)勢。物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)這一模塊，知識抽象，理論性較強(qiáng)，知識點(diǎn)零碎。但只要復(fù)習(xí)全面、細(xì)致、到位，在考試中學(xué)生還是比較容易拿到理想分?jǐn)?shù)。 二、考情分析 考 查 內(nèi) 容 1、原子結(jié)構(gòu)，電子排布式 1、原子軌道式 1、電子排布圖 1、電子排布式、軌道式 2、原子結(jié)構(gòu)分析 2、第一電離能 2、電子對構(gòu)型 2、價(jià)層電子對數(shù)判斷 3、利用結(jié)構(gòu)判斷熔沸點(diǎn) 3、原子結(jié)構(gòu)判斷 3、軌道雜化，σ鍵和π鍵 3、利用物質(zhì)結(jié)構(gòu)判斷性質(zhì) 4、電負(fù)性 4、σ鍵和π鍵 4、第一電離能、鍵能 4、分子的立體構(gòu)型，軌道雜化理論 5、軌道雜化 5、氫鍵 5、晶胞計(jì)算 5、晶胞計(jì)算 6、晶胞計(jì)算 6、晶胞計(jì)算 三、學(xué)情分析 （2015全國卷 37）碳及其化合物廣泛存在于自然界中?；卮鹣铝袉栴}： （1）處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用形象化描述。在基態(tài)原子中，核外存在對自旋相反的電子。 （2）碳在形成化合物時(shí)，其鍵型以共價(jià)鍵為主，原因是。 （3）CS2分子中，共價(jià)鍵的類型有，C原子的雜化軌道類型是，寫出兩個(gè)與CS2具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子。 （4）CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5，該化合物的熔點(diǎn)為253K，沸點(diǎn)為376K，其固體屬于晶體。 （5）碳有多種同素異形體，其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示： ①在石墨烯晶體中，每個(gè)C原子連接個(gè)六元環(huán)，每個(gè)六元環(huán)占有個(gè)C原子。 ②在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個(gè)C原子連接個(gè)六元環(huán)，六元環(huán)中最多有個(gè)C原子在同一平面。 學(xué)生答題情況 （1）“電子云”，術(shù)專業(yè)術(shù)語，丟分的學(xué)生多是忘了名稱。 （2）描述“碳易形成共價(jià)化合物”的原因，使學(xué)生的易錯(cuò)點(diǎn)，學(xué)生很難從“價(jià)電子數(shù)”和“原子半徑”兩個(gè)角度全面回答。 （3）要求寫出CS2的兩個(gè)等電子體，部分學(xué)生很難得全分。 （5）晶體類型回歸“常規(guī)”，難度不大，但“每一個(gè)碳原子連接的六元環(huán)數(shù)”是一個(gè)難點(diǎn)，取決于評時(shí)訓(xùn)練的深廣度。 四、課時(shí)設(shè)計(jì) 本專題計(jì)劃課時(shí)22~24課時(shí)（含機(jī)動(dòng)課時(shí)） ①原子結(jié)構(gòu)——構(gòu)造原理（1-36號元素的核外電子排布、價(jià)電子軌道示意圖）——元素性質(zhì)（原子半徑、主要化合價(jià)、原子第一電離能、電負(fù)性周期性變化規(guī)律） 要點(diǎn)梳理：3課時(shí) 鞏固訓(xùn)練：2課時(shí) 自我整理：1課時(shí) 共6課時(shí) ②分子結(jié)構(gòu)——共價(jià)鍵（包括極性鍵、非極性鍵、配位鍵、σ鍵和π鍵）——鍵參數(shù)（鍵能、鍵長、鍵角）——分子立體結(jié)構(gòu)（等電子體、價(jià)層電子互斥理論、雜化軌道理論）——分子的極性——分子間的作用力（氫鍵、范德華力）——分子的穩(wěn)定性、熔沸點(diǎn)、溶解性、酸性的大小判斷） 要點(diǎn)梳理：3課時(shí) 鞏固訓(xùn)練：3課時(shí) 自我整理：1課時(shí) 共7課時(shí) ③晶體結(jié)構(gòu)——晶體微粒（晶胞）——典型晶體（金剛石、石墨的原子晶體、冰、CO2的分子晶體、NaCl、CsCl、CaF2的離子晶體、鉀、鎂、銅、簡單立方的金屬晶體）結(jié)構(gòu)——微粒間作用——晶體性質(zhì)（硬度、熔點(diǎn)、導(dǎo)電性） 要點(diǎn)梳理：4課時(shí) 鞏固訓(xùn)練：3課時(shí) 自我整理：1課時(shí) 共8課時(shí) 五、教學(xué)內(nèi)容 高考選修Ⅲ 《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》常考考點(diǎn)分析及應(yīng)對策略： 高考復(fù)習(xí)應(yīng)該有的放矢，根據(jù)考情和學(xué)情合理安排復(fù)習(xí)內(nèi)容和練習(xí)，做到有備無患，針對高考要求和本校學(xué)生基本情況，我們重點(diǎn)復(fù)習(xí)內(nèi)容作如下安排： （1） 電子排布式（圖）的書寫，如： 【2016】(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]　　　　　_； 【2017 II】（1）氮原子價(jià)層電子對的軌道表達(dá)式（電子排布圖）為_____________。。 【2018 Ⅰ】（1）下列Li原子電子排布圖表示的狀態(tài)中，能量最低和最高的分別為_____、_____（填標(biāo)號）， 【2018 II】（1）基態(tài)Fe原子價(jià)層電子的電子排布圖（軌道表達(dá)式）為__________，基態(tài)S原子電子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖為_________形。 1.電子排布式（圖）的書寫是選修3出現(xiàn)的一種新的化學(xué)用語，是高考熱點(diǎn)，需關(guān)注 。涉及元素?cái)U(kuò)充到前36號元素，即第一過渡系元素成為高考命題的熱點(diǎn)：Fe、Cu、Co、Ni、Zn，及常見的貴金屬金等。復(fù)習(xí)中要求學(xué)生能熟練寫出1-36號元素的電子排布式，注意按照構(gòu)造原理中電子填充能級的先后順序把握電子排布規(guī)律性和特殊性。 2. 化學(xué)基本用語的規(guī)范性很強(qiáng)，解答此類題目的關(guān)鍵是：細(xì)審題→明要求→重規(guī)范，看清題目要寫電子排布式、價(jià)層電子排布式還是某一能層電子排布式，是寫電子排布式還畫電子排布圖。二要熟記兩個(gè)特殊原子Cu、Cr的價(jià)層電子排布。 關(guān)注21-30元素名稱和符號 （2） 微粒的空間構(gòu)型和原子雜化方式，如： 【2016】(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為　　　　　, 【2018 Ⅰ】（3）LiAlH4是有機(jī)合成中常用的還原劑，LiAlH4中的陰離子空間構(gòu)型是______ 【2018II】（4）氣態(tài)三氧化硫以單分子形式存在，其分子的立體構(gòu)型為_____形， 微粒的空間構(gòu)型和原子雜化方式判斷的核心內(nèi)容是價(jià)層電子對互斥理論，復(fù)習(xí)中要求學(xué)生熟練掌握價(jià)層電子對的計(jì)算方法，再由價(jià)層電子對推及粒子的空間構(gòu)型或其中心原子雜化軌道數(shù)及雜化軌道形式。 1.熟悉典型分子的價(jià)層電子對模型和立體結(jié)構(gòu) 2.識記常見分子、離子的立體構(gòu)型和規(guī)律 3.對于一些難以用公式計(jì)算價(jià)層電子對數(shù)目微粒，可靈活的從中心原子核外電子排布結(jié)合成鍵情況判斷雜化軌道數(shù)和雜化方式。 4.掌握有機(jī)物C原子中雜化方式的判斷規(guī)律 在一般情況下，有機(jī)物分子中C原子是沒有孤對電子的，全部用來形成σ鍵或π鍵了。要確定C原子雜化形式，只需要看它與幾個(gè)原子結(jié)合。若結(jié)合4個(gè)原子，則為sp3雜化，如： CH4 ；若結(jié)合3個(gè)原子，則為sp2雜化，如： C2H4， C6H6，CH2O ；若結(jié)合2個(gè)原子則為sp雜化，如：C2H2 。 （三）晶體的結(jié)構(gòu)、均攤法確定晶體化學(xué)式或原子數(shù)、晶胞的有關(guān)計(jì)算，如： 【2014 I】（3）Cu2O為半導(dǎo)體材料，在其立方晶體內(nèi)部有4個(gè)氧原子，其余氧原子位于面心和頂點(diǎn)，該晶胞中有_____個(gè)銅原子。 （4）Al單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參a=0.405nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為_____，列式表示Al單質(zhì)的密度______g/cm3。 【2014 II】（4）e和c形成的一種離子化合物的晶體結(jié)構(gòu)如圖1，則e離子的電荷為 。 1.在復(fù)習(xí)晶體結(jié)構(gòu)時(shí)，可以NaCl晶體的晶胞為模型，搞清楚Na+和Cl-的排列情況，Na + 、 Cl-的配位數(shù)， 與Na+ （ Cl-）等距Na+ （ Cl-）的數(shù)目，一個(gè)NaCl晶胞含Na+ 和 Cl-個(gè)數(shù)，還可將Na+ 和Cl-用其他微粒代換，遷移轉(zhuǎn)化變成CsCl 、立方ZnS 、CaF2 、金剛石、CO2各類晶體代表物晶胞結(jié)構(gòu)，充分挖掘典型晶胞的價(jià)值，起到舉一反三的作用。 2.晶體化學(xué)式或原子數(shù)的確定、晶胞的有關(guān)計(jì)算都與均攤法的應(yīng)用有關(guān)，從學(xué)生學(xué)習(xí)情況反饋，晶體原子數(shù)的確定難度不大。晶胞的計(jì)算通常涉及晶胞的密度、體積、摩爾質(zhì)量等物理量的求算。 識記一些常見晶胞含有的粒子數(shù)： A．NaCl(含4個(gè)Na＋，4個(gè)Cl－) B．ZnS(含4個(gè)Zn 2＋，4個(gè)S2－) C．CaF2(含4個(gè)Ca2＋，8個(gè)F－) D．干冰(含4個(gè)CO2) E . 金剛石(含8個(gè)C) F．BN (含4個(gè)B和4個(gè)N) G. 體心立方(含2個(gè)原子) H. 面心立方(含4個(gè)原子) （四）粒子的相互作用力及化學(xué)鍵、用化學(xué)鍵或作用力解釋物質(zhì)性質(zhì)，如： 【2017 Ⅱ 】(2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是 【2018 I】 （2）Li+與H?具有相同的電子構(gòu)型，r(Li+)小于r(H?)，原因是______。 【2018 II】（3）圖（a）為S8的結(jié)構(gòu)，其熔點(diǎn)和沸點(diǎn)要比二氧化硫的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高很多，主要原因?yàn)開_________。 掌握物質(zhì)中作用力的類型，學(xué)會(huì)利用共價(jià)鍵參數(shù)—鍵能、鍵長和鍵角知識比較共價(jià)鍵的強(qiáng)弱，解釋物質(zhì)的穩(wěn)定性，能用分子間氫鍵知識解釋對物質(zhì)熔沸點(diǎn)和溶解性的影響，能靈活運(yùn)用氫鍵的知識解決陌生的題目。 這就要求學(xué)生對物質(zhì)中的作用力類型和特點(diǎn)徹底的清析，能從物質(zhì)結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)的視角解釋分子的某些性質(zhì)，我們在教學(xué)中應(yīng)注意根據(jù)高考試題這一命題軌跡進(jìn)行變式訓(xùn)練，使學(xué)生能把知識融會(huì)貫通。 六、復(fù)習(xí)方法及學(xué)法指導(dǎo) 1、高頻考點(diǎn)必須重點(diǎn)落實(shí)，力爭得全分。幾乎必考的知識點(diǎn)有： （1）基態(tài)原子、離子電子（價(jià)電子）排布式（圖）。 （2）元素電負(fù)性的大小比較及其它應(yīng)用 （3）用共價(jià)鍵的鍵能、鍵長、鍵角等說明簡單分子的某些性質(zhì) 知識點(diǎn)方面涉及到解釋共價(jià)化合物的穩(wěn)定性、酸性等；考查方式方面以文字描述為主。 （4）與金剛石結(jié)構(gòu)相似的原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì) （5）常見的雜化軌道類型（sp,sp2,sp3） （6）常見的簡單分子或離子的空間結(jié)構(gòu) （7）分子晶體、原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別 （8）根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。 2、對比考試說明、高考試題、教材中出現(xiàn)但高考新課標(biāo)全國卷較少考查的知識點(diǎn)有： （1）元素周期表的分區(qū) （2）配合物理論 （3）鍵的極性和分子的極性 （4）手性 （5）分子晶體晶胞結(jié)構(gòu)分析 （6）用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì) ①“電子云、等電子原理、σ鍵和π鍵、范德華力對物質(zhì)性質(zhì)的影響、金屬晶體晶胞結(jié)構(gòu)分析”等考點(diǎn)考查頻率較低。 ②教材中提到的四種科學(xué)儀器的使用(光譜儀、質(zhì)譜儀、紅外光譜儀、X-射線衍射儀)的使用也極少考查。 這些考點(diǎn)也要引起一定重視，不能因?yàn)榭嫉纳倬秃雎浴? 3、值得重點(diǎn)關(guān)注的其它考點(diǎn)： （1）元素第一電離能(I1)的大小比較并能用以說明元素的某些性質(zhì)； （2）金屬晶體常見的堆積方式； （3）善于處理信息，能分析給定結(jié)構(gòu)的分子或離子的結(jié)構(gòu)； （4）能列舉含有氫鍵的物質(zhì)并能分析氫鍵的存在對物質(zhì)性質(zhì)的影響； （5）晶格能對離子晶體性質(zhì)的影響。 歸納起來，最終對學(xué)生能力的要求就是“四會(huì)” 1.會(huì)書寫 ①電子排布式(圖)，②電子式，③化學(xué)式、結(jié)構(gòu)式、結(jié)構(gòu)簡式 ④原子（離子）結(jié)構(gòu)示意簡圖 2.會(huì)判斷 ①鍵的極性和分子極性，②微粒的互斥模型和空間構(gòu)型，③化學(xué)鍵類型，④中心原子雜化方式，⑤手性碳，手性分子，⑥等電子體，⑦配合物內(nèi)界、外界、中心原(離)子、配體、 配位原子、配位數(shù)，⑧晶體、非晶體。 3.會(huì)比較并解釋 ①溶解性，②熔沸點(diǎn)，③第一電離能，④電負(fù)性，⑤鍵角，⑥含氧酸的酸性，⑦氫化物分子的穩(wěn)定性，⑧分子的極性。 4. 會(huì)計(jì)算 ①晶胞中微粒數(shù)目，②配位數(shù)，③空間利用率，④密度。 總之，合理的引導(dǎo)，足夠的訓(xùn)練，幫學(xué)生夯實(shí)基礎(chǔ)，這樣才能以不變應(yīng)萬變，讓學(xué)生考出理想的成績。