《電磁場與電磁波》(第四版)習(xí)題集:第3章 靜態(tài)電磁場及其邊值問題的解
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1、第3章 靜態(tài)電磁場及其邊值問題的解 靜態(tài)電磁場是電磁場的一種特珠形式。當(dāng)場源(電荷、電流)不隨時間變化時,所激發(fā)的電場、磁場也不隨時間變化,稱為靜態(tài)電磁場。靜止電荷產(chǎn)生的靜電場、在導(dǎo)電媒質(zhì)中恒定運動電荷形成的恒定電場以及恒定電流產(chǎn)生的恒定磁場都屬于靜態(tài)電磁場。由麥克斯韋方程組可以看出,當(dāng)場量不隨時間變化時,電場矢量滿足的方程和磁場矢量滿足的方程是相互獨立的,也就是說在靜態(tài)情況下,電場和磁場是各自存在的,我們可以分別討論。 本章將分別介紹靜電場、恒定電場和恒定磁場的分析方法,最后介紹靜電場邊值問題的解法。 3.1 靜電場分析 靜電場是靜止電荷激發(fā)的,是電磁場的一種重要的和特珠的形式。
2、 3.1.1 靜電場的基本方程和邊界條件 1. 基本方程 考慮到電磁場的源量(靜止電荷q)和場量(E、D)不隨時間變化這一特征,由麥克斯韋方程組得出靜電場的基本方程為 積分形式 微分形式 以及 (3.1.5) 基本方程表明靜電場是有源(通量源)無旋場,靜止電荷是產(chǎn)生靜電場通量源;電力線(E線)從正的靜止電荷發(fā)出,終于負(fù)的靜止電荷。 2. 邊界條件 在兩種電介質(zhì)的分界面上,電場強度滿足以下關(guān)系式 或 (3.1.6) 表明電場強度的切向分量是連續(xù)的。
3、 電位移矢量滿足的關(guān)系式是 或 (3.1.7) 表明在兩種媒質(zhì)的分界面上存在自由面電荷分布時,電位移矢量的法向分量是不連續(xù)的。 若分界面上不存在面電荷,即,則 或 (3.1.8) 此時,在分界面上,D的法向分量是連續(xù)的。式(3.1.8)可改寫為 可見,當(dāng)時E的法向分量是不連續(xù)的,這是因為分界面上存在束縛電荷密度。 3.1.2 電位函數(shù) 1. 電位和電位差 由靜電場的基本方程和矢量恒等式可知,電場強度矢量E可以表示為標(biāo)量函數(shù)的梯度,即 (3.1.9
4、) 式中的標(biāo)量函數(shù)稱為靜電場的電位函數(shù),簡稱為電位,單位為V(伏特)。此式適用于任何靜止電荷產(chǎn)生的靜電場,即靜電場的電場強度矢量等于負(fù)的電位梯度。 對于點電荷的電場 考慮到以下梯度運算結(jié)果 則有 與式(3.1.9)比較,可得到點電荷q產(chǎn)生的電場的電位函數(shù)為 (3.1.10) 式中為任意常數(shù)。 應(yīng)用疊加原理,根據(jù)式(3.1.10)可得到點電荷系、線電荷、面電荷以及體電荷產(chǎn)生的電場的電位函數(shù)分別為 (3.1.11) (3.1.12)
5、 (3.1.13) (3.1.14) 通常用等位面形象地描述電位的空間分布。例如,點電荷電場的等位面是同心球面族。根據(jù)和標(biāo)量函數(shù)梯度的性質(zhì)可知,E線垂直于等位面,且總是指向電位下降最快的方向。 若已知電荷分布,則可利用式(3.1.11)~(3.1.14)求得電位函數(shù),再利用求得電場強度。這樣做比直接求要簡單些。 在的兩端點乘,得 對上式兩端從點P到點Q沿任意路徑進行積分,得 可見,點P、Q之間的電位差的物理意義是把一個單位正電荷從點P沿任意路徑移動到點Q的過程中,電場力所做的功。 為了使電場中每一點電位具有確定的值,必須選定場中某一固定
6、點作為電位參考點,即規(guī)定該固定點的電位為零。例如,若選定Q點為電位參考點,即規(guī)定,則P點的電位為 (3.1.15) 若場源電荷分布在有限區(qū)域,通常選定無限遠(yuǎn)處為電位參考點,此時 (3.1.16) 2. 靜電位的微分方程 在均勻、線性和各向同性電介質(zhì)中,是一個常數(shù)。因此將代入中,得 故得 (3.1.17) 即靜電位滿足標(biāo)量泊松方程。若空間內(nèi)無自由電荷分布,即,則滿足拉普拉斯方程 (3.
7、1.18) 在通過解泊松方程或拉普拉斯方程求時,需應(yīng)用邊界條件來確定常數(shù)。下面介紹電位的邊界條件。 設(shè)和是介質(zhì)分界面兩側(cè)、緊貼分界面的相鄰兩點,其電位分別為和。由于在兩種介質(zhì)中E均為有限值,當(dāng)和都無限貼近分界面,即其間距時,。因此,分界面兩側(cè)的電位是相等的,即 (3.1.19) 又由可導(dǎo)出 (3.1.20) 若分界面上不存在自由面電荷,即,則上式變?yōu)? (3.1.21) 若第二種媒質(zhì)為導(dǎo)體,因達(dá)到靜電平衡后導(dǎo)
8、體內(nèi)部的電場為零,導(dǎo)體為等位體,故導(dǎo)體表面上,電位的邊界條件為 (3.1.22) 例3.1.1 求如圖2.2.3所示電偶極子的電位 解 空間任一點處的電位等于兩個點電荷的電位疊加,即 式中 , 對遠(yuǎn)離電偶極子的場點,,則 故得 (3.1.23) 應(yīng)用球面坐標(biāo)系中的梯度公式,可得到電偶極子的遠(yuǎn)區(qū)電場強度 (3.1.24) 顯然,此處的運算要比例2.2.1中直接計算電場強度E要簡單得多。 例3.1.2 求均勻電場的電
9、位分布。 解 選定均勻電場空間中的一點o為坐標(biāo)原點,而任意點P的位置矢量為r,則 若選擇點o為電位參考點,即,則 在球坐標(biāo)系中,取極軸與的方向一致,即,則有 在圓柱面坐標(biāo)系中,取與x軸方向一致,即,而,則有 例3.1.3 兩塊無限大接地導(dǎo)體平板分別置于x=0和x=a處,在兩板之間的x=b處有一面密度為的均勻電荷分布,如圖3.1.1所示。求兩導(dǎo)體平板之間的電位和電場。 解 在兩塊無限大接地導(dǎo)體平板之間,除x=b處有均勻面電荷分布外,其余空間均無電荷分布,故電位函數(shù)滿足一維拉普拉斯方程 o b a x y 圖3.1.1 兩塊無限大平行板
10、 方程的解為 利用邊界條件,得 處, 處, 于是有 由此解得 最后得 3.1.3 導(dǎo)體系統(tǒng)的電容 電容是導(dǎo)體系統(tǒng)的一種基本屬性,它是描述導(dǎo)體系統(tǒng)儲存電荷能力的物理量。我們定義兩導(dǎo)體系統(tǒng)的電容為任一導(dǎo)體上的總電荷與兩導(dǎo)體之間的電位差之比,即 (3.1.25) 電容的單位是F(法拉)。電容的大小與電荷量、電位差無關(guān),因為該比值為常數(shù)。電容的大小只是導(dǎo)體系統(tǒng)的物理尺度及周圍電介質(zhì)的特性參數(shù)的函數(shù)。 本節(jié)介紹雙導(dǎo)體系統(tǒng)的電容計算及多導(dǎo)體系統(tǒng)的部分電容的概念。 1.雙導(dǎo)體的電容計算 在電子與電
11、氣工程中常用的傳輸線,例如平行板線、平行雙線、同軸線都屬于雙導(dǎo)體系統(tǒng)。通常,這類傳輸線的縱向尺寸遠(yuǎn)大于橫向尺寸。因而可作為平行平面電場(二維場)來研究,只需計算傳輸線單位長度的電容。其計算步驟如下:(1)根據(jù)導(dǎo)體的幾何形狀,選取合適的坐標(biāo)系;(2)假定兩導(dǎo)體上分別帶電荷+q和-q;(3)根據(jù)假定的電荷求出E;(4)由求得電位差;(5)求出比值。 圖3.1.2 平行雙線傳輸線 例3.1.4 平行雙線傳輸線的結(jié)構(gòu)如圖3.1.2所示,導(dǎo)線的半徑為a,兩導(dǎo)線軸線相距為D,且,設(shè)周圍介質(zhì)為空氣。試求傳輸線單位長度的電容。 解:設(shè)兩導(dǎo)線單位長度帶電量分別為和。由于,
12、故可近似地認(rèn)為電荷分別均勻分布在兩導(dǎo)線的表面上。應(yīng)用高斯定理和疊加原理,可得到兩導(dǎo)線之間德平面上任一點P的電場強度為 兩導(dǎo)線間的電位差 故得平行雙線傳輸線單位長度的電容為 (3.1.26) 圖3.1.3 同軸線 b 例3.1.5 同軸線的內(nèi)導(dǎo)體半徑為、外導(dǎo)體的內(nèi)半徑為,內(nèi)外導(dǎo)體間填充介電常數(shù)為的均勻電介質(zhì),如圖3.1.3所示。試求同軸線單位長度的電容。 解 設(shè)同軸線的內(nèi)、外導(dǎo)體單位長度帶電量分別為和,應(yīng)用高斯定律求得內(nèi)外導(dǎo)體間任意點電場強度為 內(nèi)外導(dǎo)體間的電壓為 同軸線單位長度的電容
13、 (3.1.27) 2. 部分電容 在工程應(yīng)用中,經(jīng)常遇到由三個或更多的導(dǎo)體系統(tǒng)組成的多導(dǎo)體系統(tǒng)。譬如,計及大地作用的架空平行雙線傳輸線、耦合帶狀線、屏蔽多芯電纜等。在多導(dǎo)體系統(tǒng)中,任何兩個導(dǎo)體間的電壓都要受到其余導(dǎo)體上的電荷的影響。因此,研究多導(dǎo)體系統(tǒng)時,必須將電容的概念推廣,引入部分電容的概念。所謂部分電容,是指多導(dǎo)體系統(tǒng)中,一個導(dǎo)體在其余導(dǎo)體的影響下,與另一個導(dǎo)體構(gòu)成的電容。 圖3.1.4 多導(dǎo)體系統(tǒng) 大地 1 2 N (1)電位系數(shù) 圖3.1.4表示N個導(dǎo)體和大地構(gòu)成的多導(dǎo)體系統(tǒng),各導(dǎo)體的位置、形狀及周圍介質(zhì)均是固定的,取大地為電位參考點(零電位點)。當(dāng)
14、這個導(dǎo)體系統(tǒng)中的任何一個導(dǎo)體上充以一電荷時,它將以一定的方式使所有導(dǎo)體(包括充以電荷的導(dǎo)體本身)具有一定的電位。由于電位與各導(dǎo)體所帶電荷量之間成線性關(guān)系,所以各導(dǎo)體的電位為 (3.1.28a) 或表示為 (3.1.28b) 式中的稱為電位系數(shù)。下標(biāo)相同的稱為自電位系數(shù);下標(biāo)不同的稱為互電位系數(shù)。電位系數(shù)有以下特點: (a)在數(shù)值上等于第j個導(dǎo)體上的總電量為一個單位,而其余導(dǎo)體上的總電量都為零時,第i個導(dǎo)體上的電位。即 (b)只與各導(dǎo)體的形狀、尺寸、相互位置以及導(dǎo)體周圍的介質(zhì)參數(shù)有關(guān),而與各導(dǎo)體的電位和帶電量無關(guān)
15、; (c)所有電位系數(shù),且具有對稱性,即。 (2)電容系數(shù) 對方程(3.1.28a)求解,可得各導(dǎo)體上的電荷量 (3.1.29a) 或表示為 (3.1.29b) 式中稱為電容系數(shù)或感應(yīng)系數(shù)。下標(biāo)相同的系數(shù)稱為自電容系數(shù)或自感應(yīng)系數(shù),下標(biāo)不同的系數(shù)稱為互電容系數(shù)或互感應(yīng)系數(shù)。電容系數(shù)具有以下特點: (a)在數(shù)值上等于第j個導(dǎo)體的電位為一個單位、而其余導(dǎo)體接地時,第i個導(dǎo)體上的電量,即 (b)只與各導(dǎo)體的形狀、尺寸、相互位置以及導(dǎo)體周圍的介質(zhì)參數(shù)有關(guān),而與各導(dǎo)體的電位和帶電量無關(guān); (c)具有對稱性,即;互電容系
16、數(shù),自電容系數(shù); (d)電容系數(shù)與電位系數(shù)的關(guān)系為: 式中△是方程組(3.1.28)的電位系數(shù)組成的行列式,是行列式的余子式。 (3)部分電容 引入符號和,則方程組(3.1.29)可改寫為 (3.1.30a) 或表示為 (3.1.30b) 上式表明多導(dǎo)體系統(tǒng)中的任何一個導(dǎo)體的電荷是由N部分電荷組成。例如,導(dǎo)體1的電荷的第一部分與導(dǎo)體1的電位(即導(dǎo)體1與地之間的電壓)成正比,比值是導(dǎo)體與地之間的部分電容;第二部分與導(dǎo)體1、2間的電壓成正比,比值則為導(dǎo)體1、2間的部分電容;……。 多導(dǎo)體系統(tǒng)中,每一導(dǎo)體與地之間以及與其它導(dǎo)體之間都存在部分電容。是導(dǎo)
17、體i與地之間的部分電容,稱為導(dǎo)體i的自有部分電容。是導(dǎo)體i與導(dǎo)體j之間的部分電容,稱為導(dǎo)體i與導(dǎo)體j之間互有部分電容。部分電容有以下特點: (a)在數(shù)值上等于全部導(dǎo)體的電位都為一個單位時,第個導(dǎo)體上總電荷量的值; (b)在數(shù)值上等于第個導(dǎo)體上的電位為一個單位、其余導(dǎo)體都接地時,第個導(dǎo)體上感應(yīng)電荷的大小; (c)所有部分電容都大于零,即; (d)部分電容具有對稱性,即。 大地 1 2 圖3.1.5 大地上空的平行雙導(dǎo)線 由個導(dǎo)體構(gòu)成的系統(tǒng)共有個部分電容,這些部分電容形成一個電容網(wǎng)絡(luò)。以計及大地影響的平行雙線傳輸線為例,如圖3.1.5所示,有三個部分電容。導(dǎo)線1、2間
18、的等效輸入電容為;導(dǎo)線1和大地間的等效輸入電容為;導(dǎo)線2和大地間的等效輸入電容為;通過實驗測得和,就可計算出各個部分電容。多數(shù)實際的多導(dǎo)體系統(tǒng)的各個部分電容只有通過實驗測量得到。 3.1.4 靜電場的能量 靜電場最基本的性質(zhì)是對靜止電荷有作用力,這表明靜電場有能量。電場能量來源于建立電荷系統(tǒng)的過程中外界提供的能量。例如給導(dǎo)體充電時,外電源要對電荷做功,提高電荷的電位能,這就構(gòu)成了電荷系統(tǒng)的能量。 本節(jié)要討論的是靜電場的能量,故假設(shè)導(dǎo)體和介質(zhì)都是固定的,且介質(zhì)是線性和各向同性的。 1. 靜電場的能量 因為要討論的是系統(tǒng)被充電并達(dá)到穩(wěn)定后的電場能量,故應(yīng)與充電過程無關(guān)。我們假設(shè)系統(tǒng)從零開
19、始被充電,充電完畢后的最終電荷分布為、電位函數(shù)為。如果在充電過程中使各點的電荷密度按最終值的同一比例因子增加,則各點的電位也將按同一比例因子增加。也就是說,充電過程中某一時刻的電荷分布為,其電位分布就為。令從0到1,把充電過程用無數(shù)次增加微分電位的過程的疊加來表示,則當(dāng)時,對于某體積元,其電位為,欲送入微分電荷,外電源需要作的功是。因此對整個空間,外電源所作的總功為 根據(jù)能量守恒定律,外電源所作的功轉(zhuǎn)換為電場的能量,因此整個空間增加的電場能量為 充電過程完成后,系統(tǒng)的總能量為 (3.1.31) 電場能量的單位是J(焦耳)。 如果電荷是以面密度分布在曲
20、面上,則式(3.1.31)變?yōu)? (3.1.32) 注意,式(3.1.31)、(3.1.32)中,分別是電荷元、所在點的電位,積分遍及整個有電荷的區(qū)域。 對于多導(dǎo)體組成的帶電系統(tǒng),因為每個導(dǎo)體上的電位為常數(shù),則式(3.1.32)變?yōu)? (3.1.33) 例如,雙導(dǎo)體系統(tǒng)被充電后,導(dǎo)體1帶電荷為+q,導(dǎo)體2帶電荷為-q;電位分別為是和,則電場能量為 (3.1.34) 2. 能量密度 電場能量存在于整個電場空間。下面導(dǎo)出用電場矢量表示的計算電場能量的公式。將代入式(3.1.31)得 上式
21、中應(yīng)用了矢量公式和高斯散度定理。 在式(3.1.31)中的體積分是對整個空間的積分,因為只有那些存在電荷的空間才對積分有貢獻(xiàn),故我們把積分區(qū)域無限擴大并不會影響積分的結(jié)果。當(dāng)積分的體積無限擴大時,包圍該體積的表面積也將無限擴大。只要電荷是分布在有限區(qū)域內(nèi),當(dāng)閉合面無限擴大時,有限區(qū)域內(nèi)的電荷就可近似為一個點電荷。這樣,就可利用點電荷產(chǎn)生的電位、電位移矢量D的以下關(guān)系 , 故,而閉合面,故當(dāng)時,必有 則得 (3.1.35) 對于線性和各向同性介質(zhì),,故上式可表示為 (3.1.36
22、) 上式表明電場能量儲存在電場不為零的空間,能量密度為 (3.1.37) 能量密度的單位是。 例3.1.6 半徑為a的球形空間均勻分布著體電荷密度為的電荷,試求電場能量。 解 方法之一:利用公式(3.1.36)計算 根據(jù)高斯定律求得電場強度 故 方法之二:利用公式(3.1.31)計算。 先求出電位分布 故 3.1.5 靜電力 在靜電場中,各個帶電體都要受到電場力作用。原則上,帶電體之間的靜電力可用庫侖定律來計算,但對于電荷分布形狀較為復(fù)雜的帶電體,這種計算往往是很困難的。這里介紹用虛
23、位移法來計算靜電力。 采用虛位移法計算靜電力,要用到廣義坐標(biāo)和廣義力的概念。所謂廣義坐標(biāo),是指確定系統(tǒng)中各帶電導(dǎo)體的形狀、尺寸和位置的一組獨立幾何量;而企圖改變某一廣義坐標(biāo)的力,就稱為對應(yīng)于該坐標(biāo)的廣義力。廣義力乘上由它引起的廣義坐標(biāo)的增量,就等于所作的功。 在由N個導(dǎo)體組成的系統(tǒng)中,假設(shè)只有第i個帶電導(dǎo)體在電場力的作用下有一個廣義坐標(biāo)g發(fā)生位移,則電場力做功,系統(tǒng)的靜電能量增加量為,根據(jù)能量守恒定律,該系統(tǒng)的功能關(guān)系為 (3.1.38) 式中的是與各帶電體相連接的外電源所提供的能量??煞譃橐韵聝煞N情況: 1. 假設(shè)各帶電體的電
24、荷保持不變(恒電荷系統(tǒng)) 當(dāng)?shù)趇個導(dǎo)體發(fā)生虛位移時,所有帶電體都不和外電源連接,此時,則由式(3.1.38)得 故得 (3.1.39) 式中的“-”號表明此時電場力做功是靠減少系統(tǒng)的電場能量來實現(xiàn),因為系統(tǒng)與外電源斷開,沒有提供能量。 2.假設(shè)各帶電導(dǎo)體的電位保持不變(恒電位系統(tǒng)) 當(dāng)?shù)趇個導(dǎo)體發(fā)生虛位移時,所有導(dǎo)體應(yīng)分別與外部電源相連接。此時外部電壓源供給的能量為 根據(jù)式(3.1.33)得到系統(tǒng)的靜電能量增量為 可見,外電壓源向系統(tǒng)提供給系統(tǒng)的能量只有一半是用于靜電能量的增加,另一半則是用于電場力做功,即電場力做功等
25、于靜電能量的增量
故得
(3.1.40)
以上兩種情況得到的結(jié)果應(yīng)該是相同的。因為事實上帶電體并沒有發(fā)生位移,電場分布當(dāng)然也沒有發(fā)生變化,由式(3.1.39)和(3.1.40)求得的是所討論的系統(tǒng)在當(dāng)時狀態(tài)下的電荷和電位所對應(yīng)的靜電力。
圖3.1.6 部分填充介質(zhì)的平行板電容器
例3.1.7 有一平行板電容器,極板面積為,板間距離為,用一塊介電常數(shù)為的介質(zhì)片填充在兩極板之間(x 26、
故電容器儲存的電場能量為
當(dāng)電容器與電源相連接時,保持不變,設(shè)位移變量為x,由式(3.1.40),可得介質(zhì)片受到的靜電力為
因為,所以介質(zhì)片所受到的力有把介質(zhì)片拉入電容器極板間的趨勢。
當(dāng)電容器被充電后與電源斷開,則極板上的電荷q保持不變,電容器的儲能為
則由式(3.1.39)求得介質(zhì)片受到的靜電力為
考慮到下面的關(guān)系
同樣得到
3.2導(dǎo)電媒質(zhì)中的恒定電場分析
若電流密度矢量不隨時間變化,它僅是空間坐標(biāo)的函數(shù),則構(gòu)成一個恒定電流場。要在導(dǎo)電媒質(zhì)中維持恒定電流,必須存在一個恒定電場。本節(jié)將討論恒定電場的基本性質(zhì),并將它與靜電場比較。
3.2.1 27、 恒定電場的基本方程和邊界條件
1. 基本方程
電流密度和電場強度是恒定電場的基本場矢量。我們討論的是恒定電流,要維持電流不隨時間變化,則空間的電場也必須是恒定不變的,這就要求電荷的空間分布也不隨時間變化,所以有。根據(jù)電流連續(xù)性方程,得
(3.2.1a)
相應(yīng)的微分形式
(3.2.1b)
式(3.2.1a)表明從閉合面穿出的電流恒為零,因而閉合面包圍的體積內(nèi)的電量也不隨時間改變。故我們可以得出結(jié)論:盡管電流是電荷的運動,但在恒定電流的狀態(tài)下電荷分布并不隨時間 28、改變。由此我們可以認(rèn)定恒定電場也是保守場,電場強度沿任一閉合路徑的線積分恒為零,即
(3.2.2a)
相應(yīng)的微分形式
(3.2.2b)
因而,恒定電場也可用電位梯度表示
(3.2.3)
式(3.2.1a)和(3.2.2a)是恒定電場基本方程的積分形式;式(3.2.1b)和(3.2.2b)則是對應(yīng)的微分形式。
將代入,可以導(dǎo)出均勻?qū)щ娒劫|(zhì)(常數(shù))中的電位滿足拉普拉斯方程,即
29、 (3.2.4)
2. 邊界條件
將恒定電場基本方程的積分形式(3.2.1a)和(3.2.2a)應(yīng)用到兩種不同導(dǎo)電媒質(zhì)的分界面上,可導(dǎo)出恒定電場的邊界條件為
或 (3.2.5)
或 (3.2.6)
由于,因此,電位函數(shù)的邊界條件為
(3.2.7)
(3.2.8)
應(yīng)該注意,由于導(dǎo)體內(nèi)存在恒定電場,根據(jù)邊界條件可知 30、,在導(dǎo)體表面上的電場既有法向分量,又有切向分量,電場矢量E并不垂直于表面,因而此時的導(dǎo)體表面不是等位面。由式(3.2.5)和(3.2.6)可導(dǎo)出場矢量在分界面上的折射關(guān)系
(3.2.9)
3.2.2 恒定電場與靜電場的比擬
縱觀前面的討論,我們看到均勻?qū)щ娒劫|(zhì)中的恒定電場(電源外部)和均勻電介質(zhì)中的靜電場(電荷密度的區(qū)域)有很多相似之處,表3.2.1列出兩種場的基本方程和邊界條件。
表3.2.1 恒定電場與靜電場的比擬
均勻?qū)щ娒劫|(zhì)中的恒定電場(電源外部)
均勻電介質(zhì)中的靜電場(的區(qū)域)
基本方程
31、
本構(gòu)關(guān)系
位函數(shù)方程
邊界條件
從表3.2.1可看出,兩種場的各個物理量之間有以下一一對應(yīng)關(guān)系:、、、。因為兩種場的電位都是拉普拉斯方程的解,所以當(dāng)兩種場用電位表示的邊界條件相同時,則兩種場的解的形式必定是相同的。因此,對于欲求解的恒定電場問題,如果對應(yīng)的具有相同邊界形狀的靜電場問題的解為已知,則恒定電場的解便可利用上面的對偶關(guān)系直接寫出,無需重新求解,這個方法也稱為靜電比擬法。
在靜電場中,兩導(dǎo)體間充滿介電常數(shù)為的均勻電介質(zhì)時的電容為
(3.2.10)
式中的q是帶正電荷的導(dǎo)體1上的電量,U是 32、兩導(dǎo)體間的電壓。
在恒定電場中兩個電極間充滿電導(dǎo)率為的均勻?qū)щ娒劫|(zhì)時的電導(dǎo)為
(3.2.11)
式中的I是從導(dǎo)體1(電極1)表面流出的電流。注意,電極是由良導(dǎo)體構(gòu)成,電極內(nèi)的電場可視為零,電極表面可視為等位面,從而導(dǎo)出式(3.2.11)。比較式(3.2.10)和(3.2.11)可看出,如果在靜電場中兩導(dǎo)體的電容為已知,則用同樣的兩個導(dǎo)體作電極時,填充均勻?qū)щ娒劫|(zhì)的電導(dǎo)就可直接從電容的表達(dá)式中將換成而得到。
靜電比擬法也在實驗中得到應(yīng)用,為了用實驗研究靜電場,常采用恒定電流來模擬靜電場,因為在恒定電場中進行測量要比在靜電場中測量容易得多。
例3.2.1 同 33、軸線的內(nèi)導(dǎo)體半徑為a,外導(dǎo)體的內(nèi)半徑為b,內(nèi)外導(dǎo)體之間填充一種非理想介質(zhì)(設(shè)其介電常數(shù)為,電導(dǎo)率為);試計算同軸線單位長度的絕緣電阻。
解 方法之一:用恒定電場的基本關(guān)系式求解
假設(shè)同軸線的內(nèi)外導(dǎo)體間加恒定電壓,由于填充介質(zhì)的,介質(zhì)中的漏電流沿徑向從內(nèi)導(dǎo)體流到外導(dǎo)體。另外,內(nèi)外導(dǎo)體中有軸向電流,導(dǎo)體中存在很小的軸向電場,因而漏電介質(zhì)中也存在切向電場,但,故可忽略。介質(zhì)中任一點處的漏電流密度為
式中的I是通過半徑為的單位長度同軸圓柱面的漏電流。電場強度為
而內(nèi)外導(dǎo)體間的電壓為
則得同軸線單位長度的絕緣電阻(漏電阻)為
方法之二:用靜電比擬法求解
a
r
圖3.2 34、.1 半球形接地器
I
由例3.1.5得到同軸線單位長度的電容為
因此,同軸線單位長度的漏電導(dǎo)為
則得絕緣電阻為
例3.2.2 計算半球形接地器的接地電阻。
解 通常要求電子、電氣設(shè)備與大地有良好的連接,將金屬物體埋入地內(nèi),并將需接地的設(shè)備與該物體連接就構(gòu)成接地器。當(dāng)接地器埋藏不深時可近似用半球形接地器代替,如圖3.2.1所示。
接地電阻是指電流由接地器流入大地再向無限遠(yuǎn)處擴散所遇到的電阻,主要是接地器附近的大地電阻。
設(shè)大地的電導(dǎo)率為,流過接地器的電流為I,則大地中的電流密度為
故
則接地電阻為
也可用靜電比擬法求得接地電阻。均勻介質(zhì)中的孤立 35、球的電容為,故均勻?qū)щ娒劫|(zhì)中孤立球的電導(dǎo)為,半球的電導(dǎo)為,故半球形接地器的接地電阻為
3.3 恒定磁場分析
恒定磁場是由恒定電流激發(fā)的,是電磁場的另一種重要的和特殊的形式。
3.3.1 恒定磁場的基本方程和邊界條件
1. 基本方程
考慮到恒定磁場的源(恒定電流)和場量(B、H)不隨時間變化這一特征,由麥克斯韋方程組得出恒定磁場的基本方程為
積分形式
微分形式
以及
(3.3.5)
基本方程表明恒定磁場是無源(無通量源)、有旋場,恒定電流是產(chǎn)生恒定磁場的漩渦源;磁力線是與源電流相交鏈的閉合曲線。
2. 邊界條 36、件
在不同磁介質(zhì)的分界面上一般都存在著磁化面電流,B和H在經(jīng)過分界面時要發(fā)生突變。在分界面上B滿足的關(guān)系式為
或 (3.3.6)
表明分界面上B的法向分量是連續(xù)的。
在分界面上H滿足的關(guān)系式為
或 (3.3.7)
若分界面上不存在自由面電流,則
或 (3.3.8)
表明此時的磁場強度切向分量是連續(xù)的。
3.3.2 矢量磁位和標(biāo)量磁位
根據(jù)恒定磁場的特征,也可以在磁場中引入位函數(shù)。
1. 矢量磁位
利用磁場的無散度特征,用一矢量的旋度來代替磁感應(yīng)強度B,這是因為一個矢 37、量的旋度再取散度恒等于零,即,而,故令
(3.3.9)
式中的A為矢量磁位,或稱磁矢位,單位是(特斯拉米)或(韋伯/米),它是一個輔助量。
根據(jù)亥姆霍茲定理,要惟一地確定一個矢量必須同時給出它的旋度和散度。因此,要惟一確定磁矢位A,必須對A的散度作一個規(guī)定。對于恒定磁場,一般規(guī)定
(3.3.10)
并稱這種規(guī)定為庫侖規(guī)范。在這種規(guī)范下,磁矢位A就被惟一確定。
在均勻、線性和各向同性磁介質(zhì)中,將代入,得
又利用矢量恒等式和庫侖規(guī)范,得到
38、 (3.3.11)
上式稱為磁矢位A的泊松方程。在無源區(qū)域,有
(3.3.12)
上式稱為磁矢位A的拉普拉斯方程。
在直角坐標(biāo)系中,、,故式(3.3.11)可表示為
由于、和均為常矢量,故上式可分解為三個分量的泊松方程,即
(3.3.13)
式(3.3.13)所示的三個分量泊松方程與靜電位的泊松方程形式相同,可以確認(rèn)它們的求解方法和所得到的解的形式也應(yīng)相同,故可參照電位的形式直接寫出
( 39、3.3.14)
將以上三個分量合并即得磁矢位泊松方程的解
(3.3.15)
上式中的,它的存在不會影響B(tài)。
同樣可以寫出
(3.3.16)
(3.3.17)
可見,電流元產(chǎn)生的磁矢位是與電流元矢量平行的矢量,這是引入磁矢位的優(yōu)點之一。
根據(jù)恒定磁場在不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件
,
以及,可得到不同媒質(zhì)分界面上磁矢位A的邊界條件為
(3.3.18)
(3.3.19)
例3. 40、3.1 求小圓環(huán)電流的矢量磁位和磁場。
解 如圖3.3.1所示,小圓環(huán)的半徑為a,通過的電流為I。取小圓環(huán)位于xy平面內(nèi),圓心與球坐標(biāo)系的原點重合。由于場具有對稱性,我們?nèi)z平面內(nèi)的一點作為場點將不失一般性。圖中
圖 3.3.1小圓環(huán)電流
故得
對于遠(yuǎn)離小圓環(huán)的區(qū)域,有,所以
將以上關(guān)系式代入式(3.3.17),得
由于在面上,故上式可寫為
(3.3.20)
式中是小圓環(huán)的面積。
利用球面坐標(biāo)系中旋度的計算公式,可得到 41、小圓環(huán)電流的遠(yuǎn)區(qū)磁感應(yīng)強度為
(3.3.21)
可見,小圓環(huán)電流的遠(yuǎn)區(qū)磁場分布與電偶極子的遠(yuǎn)區(qū)電場分布相似,于是將小圓環(huán)電流稱為磁偶極子,并把稱為磁偶極子的磁矩,簡稱磁偶極矩,表示為
(3.3.22)
這樣,式(3.3.20)又可寫成
(3.3.23)
或
(3.3.24)
x
z
圖3.3.2 直線電流的矢量磁位
例3.3.2 求無限長直線 42、電流的矢量磁位。
解 先計算如圖3.3.2所示的長度為的直線電流的矢量磁位。電流元產(chǎn)生的矢量磁位
對直線l積分,得
當(dāng)時
(3.3.25)
可見,當(dāng)時,A為無限大,即無限長直線電流的矢量磁位為無限大。為了解決這一困難,我們將的點(即矢量磁位的參考點)選取在處,即令
故有
這樣做是允許的,因為在A的表示式中附加一個常矢量C,并不會影響B(tài)的計算。因此,式(3.3.25)可表示為
(3.3.26)
相應(yīng)的磁感應(yīng)強度為
43、(3.3.27)
2.標(biāo)量磁位
若所研究的空間不存在自由電流,即,則此空間內(nèi)有。因此,也可以將H表示為一個標(biāo)量函數(shù)的梯度,即
(3.3.28)
式中的稱為標(biāo)量磁位,或磁標(biāo)位。
在均勻、線性和各向同性媒質(zhì)中,將、代入中,得
即
(3.3.29)
此即標(biāo)量磁位所滿足的拉普拉斯方程。
在沒有自由電流的兩種不同媒質(zhì)的分界面上,由邊界條件和可導(dǎo)出標(biāo)量磁位的邊界條件為
(3.3.30)
44、 (3.3.31)
3.3.3 電感
在線性和各向同性媒質(zhì)中,電流回路在空間產(chǎn)生的磁場與回路中的電流成正比。因此,穿過回路的磁通量(或磁鏈)也與回路中的電流成正比。在恒定磁場中,把穿過回路的磁通量(或磁鏈)與回路中的電流的比值稱為電感系數(shù),簡稱電感。與靜電場中定義的電容C、恒定電場中定義的電阻相似,電感只與導(dǎo)體系統(tǒng)的幾何參數(shù)和周圍媒質(zhì)有關(guān),與電流、磁通量無關(guān)。
電感可分為自感和互感,本節(jié)討論自感和互感的計算。
1. 自感
設(shè)回路中的電流為I,它所產(chǎn)生的磁場與回路交鏈的自感磁鏈為,則磁鏈與回路中的電流I成正比關(guān)系,其比值
45、 (3.3.32)
稱為回路的自感系數(shù),簡稱自感。自感的單位是H(亨利)。
在計算粗導(dǎo)體回路的自感時,通常將自感表示為內(nèi)自感與外自感之和。導(dǎo)體內(nèi)部的磁場僅與部分電流相交鏈,相應(yīng)的磁鏈稱為內(nèi)磁鏈,用表示,則內(nèi)自感為
(3.3.33)
全部在導(dǎo)體外部的閉合的磁鏈稱為外磁鏈,用表示,則外自感為
(3.3.34)
回路的總自感為
(3.3.35)
圖 3.3.3 同軸電纜的橫 46、截面
下面舉例說明兩種常用的雙導(dǎo)體系統(tǒng)的自感的計算。
例3.3.3 計算同軸線單位長度的電感。
解 設(shè)同軸線的內(nèi)導(dǎo)體半徑為a ,外導(dǎo)體的內(nèi)半徑為b,外導(dǎo)體的厚度可忽略不計。內(nèi)、外導(dǎo)體之間是空氣,或聚乙烯等電介質(zhì),磁導(dǎo)率為;內(nèi)、外導(dǎo)體材料一般是金屬銅,磁導(dǎo)率也是。同軸線的橫截面如圖3.3.3所示。
設(shè)同軸線中的電流為,根據(jù)安培環(huán)路定律求得內(nèi)導(dǎo)體中任一點的磁感應(yīng)強度為
穿過由軸向為單位長度、寬為構(gòu)成的矩形面積元的磁通為
因為與這一部分磁通相交鏈的電流不是導(dǎo)體中的全部電流,而只是的一部分,兩者的關(guān)系為
所以,與相應(yīng)的磁鏈為
內(nèi)導(dǎo)體中單位長 47、度的自感磁鏈總量為
由此得到單位長度的內(nèi)自感
(3.3.36)
在內(nèi)、外導(dǎo)體之間,由安培環(huán)路定律可得到任一點磁感應(yīng)強度為
故
由此得到單位長度的外自感
同軸線單位長度的自感為
圖 3.3.4 平行雙線傳輸線
1=1
例3.3.4 計算平行雙線傳輸線單位長度的電感。
解 設(shè)導(dǎo)線的半徑為a,兩導(dǎo)線的軸線相距為D,且D>>a。導(dǎo)線及其周圍媒質(zhì)的磁導(dǎo)率皆為,兩導(dǎo)線中通過的電流為。如圖3.3.4所示。
由于,故在計算導(dǎo)線外部的磁場時,可近似地認(rèn)為電流集 48、中于導(dǎo)線的幾何軸線上。根據(jù)安培環(huán)路定理和疊加原理,可求得雙兩導(dǎo)線之間的平面上任一點的磁感應(yīng)強度為
穿過兩導(dǎo)線之間軸線方向為單位長度的面積的外磁鏈為
由此得到平行雙線傳輸線單位長度的外自感為
(3.3.37)
而兩根導(dǎo)線單位長度的內(nèi)自感為
故得平行雙線傳輸線單位長度的電感為
2. 互感
如圖3.3.5所示的兩個彼此靠近的導(dǎo)線回路和,回路中的電流產(chǎn)生的磁場除了與回路本身交鏈外,還與回路相交鏈。由回路的電流產(chǎn)生的磁場與回路相交鏈的磁鏈,稱為回路與回路間的互感磁鏈,用表示。比值
49、 (3.3.38)
稱為回路對回路間的互感系數(shù),簡稱互感?;ジ械膯挝皇荋(亨利)。同理,回路對回路間的互感為
(3.3.39)
O
圖 3.3.5兩回路間的互感
利用矢量磁位可導(dǎo)出計算互感的一般公式。圖3.3.5中,回路中的電流在回路上的任一點產(chǎn)生的矢量磁位為
則由電流產(chǎn)生磁場與回路相交鏈的磁鏈為
故
(3.3.40)
同樣,可導(dǎo)出回路對回路電流的互感為
(3. 50、3.41)
式(3.3.40)和(3.3.41)稱為紐曼公式,這是計算互感的一般公式。比較該兩式可看出,即兩個導(dǎo)線回路之間只有一個互感值。
例3.3.5 如圖3.3.6所示,長直導(dǎo)線與三角形導(dǎo)線回路共面,試計算它們之間的互感。
解 設(shè)長直導(dǎo)線中通過電流I,根據(jù)安培環(huán)路定理,得
圖3.3.6 長直導(dǎo)線與三角形回路
o
穿過三角形回路面積的磁通為
式中的,故
則得長直導(dǎo)線與三角形導(dǎo)線回路間的互感為
例3.3.6 兩個互相平行且共軸的圓線圈,半徑分別為和,中心相距為,設(shè)(或),求兩線圈之間的互感。
圖 3.3.7 兩個平行且共軸 51、的線圈
解 如圖3.3.7所示,,與之間的夾角,,,以及
由紐曼公式得
一般情況下,上述積分只能用橢圓積分來表示。但是若時,可進行近似
于是
本題還可以在時的條件下,利用例3.3.1的結(jié)果來求得互感M。半徑為的小圓線圈中由電流時,它在遠(yuǎn)區(qū)的矢量磁位為
在半徑為的線圈上,的值為常數(shù),故
式中的,故
3.3.4 恒定磁場的能量
1. 磁場能量
電流回路在恒定磁場中要受到磁場力的作用而發(fā)生運動,表明恒定磁場儲存著能量。磁場 52、能量就是在建立電流的過程中由電源供給的,因為當(dāng)電流從零開始增加時,回路中感應(yīng)電動勢要阻止電流的增加,因而必須有外加電壓克服回路中的感應(yīng)電動勢。假設(shè)所有的電流回路都固定不動,即沒有機械功,同時假定導(dǎo)線中流過電流時產(chǎn)生的焦耳熱損耗可以忽略。這樣,外電源所做的功將全部轉(zhuǎn)換為系統(tǒng)的磁場能量。此時,回路上的外加電壓和回路中的感應(yīng)電動勢是大小相等而方向相反的。
法拉第電磁感應(yīng)定律指出,回路中的感應(yīng)電動勢等于與回路交鏈的磁鏈的時間變化率,即回路j中的感應(yīng)電動勢為
而外加電壓等于
時間內(nèi)與回路j相連接的電源所做的功為
如果系統(tǒng)包括N個回路,增加的磁能就為
53、 (3.3.42)
回路j的磁鏈為
(3.3.43)
式中的是互感系數(shù)。當(dāng)時,是回路j的自感系數(shù)。將式(3.3.43)代入式(3.3.42)得
我們假設(shè)各回路中的電流同時從零開始以相同的百分比上升,即,則,于是
(3.3.44)
例如,當(dāng)N=1時,;當(dāng)N=2時,、、,故
將式(3.3.43)代入式(3.3.44)得
(3.3.45)
式中的A是N個回路在上的合成矢量磁位。上面的結(jié)果適用于細(xì)導(dǎo)線回路的情況,對于分布電流的情形 54、,在式(3.3.45)中代入得
(3.3.46)
上式中的積分是對所有的空間進行的。當(dāng)然,我們可以把積分區(qū)域擴大到整個空間,也不會影響到積分的值。
2.能量密度
前面導(dǎo)出的計算磁場能量的公式(3.3.45)、(3.3.46)似乎會使人們認(rèn)為磁場能量只存在于有電流的導(dǎo)體內(nèi)。實際上,磁場能量儲存在整個磁場存在的空間。下面導(dǎo)出用磁場矢量表示磁能的公式。將代入式(3.3.46)中得
注意,當(dāng)令體積趨于無限大時,上式右邊第二項積分變?yōu)榱恪R驗?、、,故被積函數(shù)至少按反比變化,而面積按變化,故時,積分變?yōu)榱?。于是得?
55、 (3.3.47)
上式的積分是對整個空間取的,當(dāng)然只有磁場不等于零的那部分空間才對積分有貢獻(xiàn)。此結(jié)果表明磁場能量儲存于場空間,被積函數(shù)可視為磁場能量密度,表示為
(3.3.48)
圖 3.3.8同軸線橫截面圖
c
能量密度的單位。
例3.3.7 求同軸線單位長度內(nèi)儲存的磁場能量。
解 如圖3.3.8所示,同軸線的內(nèi)導(dǎo)體半徑為a ,外導(dǎo)體的內(nèi)半徑為b,外導(dǎo)體的外半徑為c。內(nèi)、外導(dǎo)體之間填充的介質(zhì)以及導(dǎo)體的磁導(dǎo)率均為。設(shè)電流為I,根據(jù)安培環(huán)路定律求出磁場分布
56、
由此即可求出三個區(qū)域單位長度內(nèi)的磁場能量分別為
同軸線單位長度儲存的總磁場能量為
3.3.5 磁場力
兩個載流回路間的磁場力可由安培力公式計算。但是我們常常希望與靜電力的計算類似,用磁場能量的空間變化率來計算磁場力。
為簡化討論,我們僅考慮兩個回路的情況,所得到的結(jié)果可推廣到一般情況。設(shè)回路在磁場力作用下發(fā)生了一個小的位移(這里的是一個廣義坐標(biāo)),回路保持不動。下面分別考慮當(dāng)回路位移時,兩回路磁鏈不變和電流不變這兩種情形。
(1)兩回路的磁鏈不變,即常數(shù)、常數(shù)。由于回路發(fā)生位移,兩回路中的電流必定發(fā)生改變,這樣才能維持兩回路的 57、磁鏈不變。由于和等于常數(shù),兩回路中都沒有感應(yīng)電動勢,故與回路相連接的電源不對回路輸入能量(假定導(dǎo)線的焦耳熱損耗可以忽略),所以回路發(fā)生位移所需的機械功只有靠磁場釋放能量來提供,即
故得
(3.3.49)
(2)兩回路中電流不改變,即常數(shù)、常數(shù)。由于回路發(fā)生位移,兩回路中的磁鏈必定發(fā)生改變,因此兩個回路都有感應(yīng)電動勢。此時,外接電源必然要做功來克服感應(yīng)電動勢以保持和不變。電源所做的功為,即外接電源輸入能量的一半用于增加磁場能量,另一半則用于使回路位移所需要的機械功,即
故得
(3.3.50)
58、因兩個電流回路的磁場能量為
將其代入式(3.3.50)中,得
(3.3.51)
上式表明,在和不變的情況下,磁場能量的改變(即磁力)僅是由于互感M的改變引起的。
圖3.3.9 電磁鐵的力
應(yīng)該指出,上面假設(shè)的不變和不變是在一個回路發(fā)生位移下的兩種假定情形,無論是假定不變還是不變,求出的磁場力應(yīng)該是相同的。而且,對于不止兩個回路的情形,其中任一個回路的受力都同樣可以按式(3.3.50)。
例3.3.8 如圖3.3.9所示的一個電磁鐵,由鐵軛(繞有匝線圈的鐵芯)和銜鐵構(gòu)成。鐵軛和銜鐵的橫截面積均為,平均長度分別為和。鐵軛與 59、銜鐵之間有一很小的空氣隙,其長度為。設(shè)線圈中的電流為,鐵軛和銜鐵的磁導(dǎo)率為,若忽略漏磁和邊緣效應(yīng),求鐵軛對銜鐵的吸引力。
解 作用在銜鐵上的磁場力有減小空氣隙的趨勢,可通過式(3.3.49)或式(3.3.50)計算。在忽略漏磁和邊緣效應(yīng)的情況下,若保持磁通不變,則和不變,儲存在鐵軛和銜鐵中的磁場能量也不變,而空氣隙中的磁場能量則要變化。于是作用在銜鐵上的磁場力為
式中是空氣隙中的磁場強度。
根據(jù)安培環(huán)路定律,有
由于和,考慮到,由上式可得到
故得到鐵軛對銜鐵的吸引力
若采用式(3.3.54)計算,則儲存在系統(tǒng)中的磁場能量
同樣得到鐵軛對銜鐵的吸引力為 60、
圖 3.3.10 共軸的圓形線圈
例3.3.8 兩個互相平行且共軸的圓形線圈,相距為,半徑分別為和,其中。兩線圈中分別載有電流和,如圖3.3.10所示。求兩線圈間的磁場力 。
解 利用例3.3.6的結(jié)果,當(dāng)時,兩線圈的互感為
據(jù)式(3.3.51)得兩線圈間的磁場力為
式中的負(fù)號表示當(dāng)與的方向相同時,為吸引力;當(dāng)與方向相反時,為排斥力。
3.4 靜態(tài)場的邊值問題及解的惟一性定理
靜態(tài)場問題通常分為兩大類:分布型問題和邊值型問題。由已知場源(電荷、電流)分布,直接從場的積分公式求空間各點的場分布,稱為分布型問題。如果已知場量在場域邊界上的值,求場 61、域內(nèi)的場分布,就屬于邊值型問題。我們已在前幾節(jié)介紹了一些簡單的分布型問題的解法,本章將介紹一些靜態(tài)場邊值問題的解法
靜態(tài)場邊值問題的解法可分為解析法和數(shù)值法。解析法給出的結(jié)果是場量的解析表示式,本章只介紹鏡像法和分離變量法。數(shù)值法則是通過數(shù)值計算,給出場量的一組離散數(shù)據(jù),本章只介紹有限差分法。由于電子計算機技術(shù)的發(fā)展和廣泛應(yīng)用,數(shù)值法獲得極大的發(fā)展,應(yīng)用前景廣闊。
3.4.1 邊值問題的類型
靜態(tài)場的基本方程表明,在靜態(tài)場情況下,電場可用一個標(biāo)量電位來描述,磁場可用一個矢量磁位來描述,在無源()的區(qū)域內(nèi),磁場也可用一個標(biāo)量磁位來描述。在均勻媒質(zhì)中,位函數(shù)滿足泊松方程或拉普拉斯方程。同時, 62、在場域的邊界面上位函數(shù)還應(yīng)滿足一定的邊界條件。位函數(shù)方程和位函數(shù)的邊界條件一起構(gòu)成位函數(shù)的邊值問題。因此,靜態(tài)場問題的求解,都可歸結(jié)為在給定的邊界條件下,求解位函數(shù)的泊松方程或拉普拉斯方程。位函數(shù)方程是偏微分方程,位函數(shù)的邊界條件保證了方程的解是惟一的。從數(shù)學(xué)本質(zhì)上看,位函數(shù)的邊值問題就是偏微分方程的定解問題。
在場域V的邊界面S上給定的邊界條件有以下三種類型,相應(yīng)地把邊值問題分為三類:
(1)第一類邊界條件是已知位函數(shù)在場域邊界面上各點的值,即給定
(3.4.1)
這類問題稱為第一類邊值問題或狄里赫利問題;
(2) 63、第二類邊界條件是已知位函數(shù)在場域邊界面上各點的法向?qū)?shù)值,即給定
(3.4.2)
這類問題稱為第二類邊值問題或紐曼問題;
(3)第三類邊界條件是已知一部分邊界面上位函數(shù)的值,而在另一部分邊界面上已知位函數(shù)的法向?qū)?shù)值,即給定
和 (3.4.3)
這里。這類問題稱為第三類邊值問題或混合邊值問題。
如果場域延伸到無限遠(yuǎn)處,還必須給出無限遠(yuǎn)處的邊界條件。對于源分布在有限區(qū)域的情況,在無限遠(yuǎn)處的位函數(shù)應(yīng)為有限值,即給出
有限值 64、(3.4.4)
稱為自然邊界條件。
此外,若整個場域內(nèi),同時存在幾種不同的均勻介質(zhì),則位函數(shù)還應(yīng)滿足不同介質(zhì)分界面上的邊界條件。
3.4.2 惟一性定理
惟一性定理是邊值問題的一個重要定理,表述為:在場域的邊界面上給定或的值,則泊松方程或拉普拉斯方程在場域內(nèi)具有惟一解。
下面采用反證法對惟一性定理做出證明。設(shè)在邊界面包圍的場域內(nèi)有兩個位函數(shù)和都滿足泊松方程,即
和
令,則在場域內(nèi)
由于
將上式在整個場域上積分并利用散度定理,有
(3.4.5)
對于第一類邊值問題,在整個邊界面上;對于第二類邊值問題,在整個邊界面上;對于第三 65、類邊值問題,在邊界面的部分上,在邊界面的部分上。 因此,無論是哪一類邊值問題,由式(3.4.5)都將得到
由于是非負(fù)的,要使上式成立,必須在場域內(nèi)處處有。這表明在整個場域內(nèi)恒為常數(shù),即
對于第一類邊值問題,由于在邊界面上,所以。故在整個場域內(nèi)有,即。
對于第二類邊值問題,若與取同一個參考點,則在參考點處,所以,故在整個場域內(nèi)也有。
對于第三類邊值問題,由于,所以,故在整個場域內(nèi)也有。
惟一性定理具有非常重要的意義,首先它指出了靜態(tài)場邊值問題具有惟一解的條件,在邊界面上的任一點只須給定或的值,而不能同時給定兩者的值。其次惟一性定理也為靜態(tài)場邊值問題的各種求解方法提供了理論依據(jù), 66、為求解結(jié)果的正確性提供了判據(jù)。根據(jù)惟一性定理,在求解邊值問題時,無論采用什么方法,只要求出的位函數(shù)既滿足相應(yīng)的泊松方程(或拉普拉斯方程),又滿足給定的邊界條件,則此函數(shù)就是所求出的惟一正確解。
3.5 鏡像法
在靜電場中,如果遇到電荷(稱為原電荷)附近存在一定形狀的導(dǎo)體,此時導(dǎo)體表面會出現(xiàn)感應(yīng)電荷。這樣,導(dǎo)體外部空間的總電場就等于原電荷產(chǎn)生的電場與感應(yīng)電荷產(chǎn)生的電場的疊加。在一般情況下,直接求解這類問題是困難的,這是因為導(dǎo)體表面上的感應(yīng)電荷也是未知量,它也取決于總電場。但是,如果原電荷是點電荷、線電荷,且導(dǎo)體形狀是平面、球、圓柱等簡單形狀,就可采用鏡像法來求解這類問題。
鏡像法的基本思想,是在所研究的場域以外的某些適當(dāng)?shù)奈恢蒙希靡恍┨撛O(shè)的電荷(稱為鏡像電荷)等效替代導(dǎo)體表面的感應(yīng)電荷或介質(zhì)分界面上的極化電荷。這樣就把原來的邊值問題的求解轉(zhuǎn)換為均勻無界空間中的問題來求解。根據(jù)惟一性定理,只要虛設(shè)電荷與場域內(nèi)原有的實際電荷一起所產(chǎn)生的電場滿足原問題所給定的邊界條件,所得結(jié)果就是原問題的解。
應(yīng)用鏡像法求解的關(guān)鍵在于如何確定像電荷。根據(jù)惟一性定理,鏡像電荷的確定應(yīng)遵循的兩條原則:
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