2020年半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)研究報告

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1、2020年半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)研究報告 光刻膠是光刻工藝中最關(guān)鍵材料，國產(chǎn)替代需求緊迫。光刻工藝是指在光照作用下，借助 光刻膠將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，隨著集成電路線寬縮 小、集成度大為提升，光刻工藝技術(shù)難度大幅提升，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)之一。同時，器件和走線的復(fù)雜度和密集度大幅度提升，高端制程關(guān)鍵層次需要兩次甚至多次曝 光來實現(xiàn)。其中，光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。目前，日本和美國光刻膠巨頭完全主導(dǎo)了高端光刻膠市場。2019 年 7 月的日韓貿(mào)易摩擦 中，日本通過限制對韓出口光刻膠，引發(fā)韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈震蕩。中美貿(mào)易摩擦大背景

2、下， 光刻膠也成為深刻影響中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈安全的關(guān)鍵材料。 光刻膠是光刻工藝的核心材料 光刻膠又稱光致抗蝕劑，它是指由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分構(gòu)成的對光敏感 的混合液體。在紫外光、電子束、離子束、X 射線等輻射的作用下，其感光樹脂的溶解度 及親和性由于光固化反應(yīng)而發(fā)生變化，經(jīng)適當(dāng)溶劑處理，溶去可溶部分可獲得所需圖像。生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體及其 他助劑等。數(shù)據(jù)顯示，樹脂占光刻膠總成本的 50%，在光刻膠各成分的中占比最大， 其次是占 35%的單體和占 15%的光引發(fā)劑及其他助體。 半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)壁壘明顯，市場遭遇國外壟斷

3、 半導(dǎo)體光刻膠屬高精尖材料，隨光刻工藝演進細分種類繁多 光刻膠所屬產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋范圍廣泛，從上游的基礎(chǔ)化工材料行業(yè)和精細化學(xué)品行業(yè)，到中游 光刻膠制備，再到下游電子加工商和電子產(chǎn)品應(yīng)用終端。光刻膠是微電子領(lǐng)域微細圖形加 工核心上游材料，占據(jù)了電子材料至高點。 光刻膠專用化學(xué)品具有市場集中度高、技術(shù)壁壘高、客戶壁壘高的特點。相同用途的光刻 膠需要大量投資，行業(yè)退出壁壘較大，同時光刻膠專用化學(xué)品相似特征較多，例如品種多， 用量少，品質(zhì)要求高等特點。又由于市場相比下游行業(yè)的市場份額小，因此行業(yè)的集中度 高；光刻膠用于微小圖形的加工，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘較高。多重技術(shù)因素綜合考慮 使光刻膠的技術(shù)壁壘

4、較高；光刻膠的客戶壁壘較高，市場上光刻膠產(chǎn)品的更新速度較快， 光刻膠廠家為了實現(xiàn)技術(shù)保密性，從而會與上游的原料供應(yīng)商保持密切合作關(guān)系，共同研 發(fā)新技術(shù)，增大了客戶的轉(zhuǎn)換成本。因此，光刻膠行業(yè)的上下游合作處于互相依賴互相依 存的關(guān)系，使得客戶的進入壁壘較高。 為了匹配集成電路對密度和集成度水平，制備光刻膠的分辨率水平由紫外寬譜逐步至 g 線 （436nm）、i 線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先進 的 EUV(<13.5nm)線水平。同時，雙重曝光（Double-Patterning）在 16nm 制程被臺積電 引入，多重曝光（Multi

5、ple-Patterning）在之后的先進制程被相繼采用實現(xiàn)更小的線寬， 先進制程需要更多的曝光層數(shù)為光刻膠用量提供增長空間。 全球半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)演進，光刻膠發(fā)展空間擴大 隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)發(fā)展，半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模持續(xù)擴大，技術(shù)上發(fā)展出了適配 EUV 光刻的光刻膠。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，2016 年全球半導(dǎo)體用光刻膠及配套材料市場分別達到 14.5 億美元和 19.1 億美元，分別較 2015 年同比增長 9.0%和 8.0%。2017 和 2018 年全 球半導(dǎo)體用光刻膠市場已分別達到 16.0 億美元和 17.3 億美元，2019 年，全球半導(dǎo)體光 刻膠市場達到 17.7 億

6、美元。從半導(dǎo)體光刻膠細分市場分析，根據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會的 統(tǒng)計，2018 年高端的干法和濕法 ArF 光刻膠占據(jù) 42%市場份額，KrF 和 g 線/i 線分別占 據(jù) 22%和 24%市場份額。我們認為隨著 12 寸先進技術(shù)節(jié)點生產(chǎn)線的興建和多次曝光工藝 的大量應(yīng)用，193nm ArF 及其它先進光刻膠的需求量將快速增加。 器件尺寸隨摩爾定律縮小，光刻膠不斷革新，多重曝光帶來用量提升 邏輯制程跟隨摩爾定律，器件線寬由原來的微米級水平進入納米級水平，帶動光刻膠不斷 革新來適配更短的曝光光源。2019 年臺積電在 N7+引入了四層 EUV 光罩，而在 N5 將 EUV 層數(shù)提升到 14-15

7、 層，EUV 光刻膠隨之進入商用。 隨著芯片集成度提升，電路層數(shù)不斷增加，光刻層數(shù)不斷增加，光刻膠用量隨之提升。同 時，多重曝光也被引入制造關(guān)鍵層。2014 年，臺積電將雙重曝光（double patterning）引 入 20nm 制程，通過兩次曝光制造一層電路，之后多重曝光被引入更先進工藝，臺積電在 14nm 至第一代 N7 制程使用 DUV 進行多重曝光。 DRAM 工藝演進方向類似邏輯制程，同樣推動光刻膠革新。DRAM 由于芯片設(shè)計相對簡 單、標準化程度高、工藝制程轉(zhuǎn)變快，如同邏輯制程一樣緊跟摩爾定律，通過構(gòu)件縮小增 加器件密度以提高存儲容量。目前，隨著處理圖形的尺度不斷縮小，線寬

8、減少越來越困難， 需要通過 193nm 浸沒式光刻多重曝光滿足需求。2019 年美國 DRAM 巨頭美光科技的 DRAM 技術(shù)路線圖公布該公司所有 10nm 級節(jié)點都依賴于雙重、三重或四重 patterning 的 深紫外光刻技術(shù)(DUVL)。2020 年 3 月，全球 DRAM 龍頭三星電子宣布，該公司已成功交 付基于極紫外光刻 (EUV) 技術(shù)的 10 納米級 (D1x) DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)速率）DRAM 模塊，將 EUV 光刻引入 DRAM 生產(chǎn)。 NAND Flash 堆疊層數(shù)大幅增加，為光刻膠用量帶來增長機會 為了增加器件密度以提高存儲容量，NAND Flash 工

9、藝從 2D 架構(gòu)轉(zhuǎn)向 3D 堆疊架構(gòu)，由 于堆疊層數(shù)不斷增加以提高存儲容量，光刻工藝次數(shù)增加，光刻膠用量隨之增加。截至 2020 年，三星、鎧俠、美光、英特爾、西部數(shù)據(jù)、SK 海力士、長江存儲已經(jīng)推出或量產(chǎn) 3D NAND 產(chǎn)品。128 層是目前已經(jīng)量產(chǎn)的最高層數(shù)，三星、SK 海力士已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，并 且三星計劃 2021 年量產(chǎn) 176 層 3D NAND Flash，而 SK 海力士也正在研發(fā) 176 層 3D NAND Flash。 日企壟斷半導(dǎo)體光刻膠市場，高端市場頭部聚集效應(yīng)越發(fā)明顯 全球半導(dǎo)體光刻膠市場主要被日本企業(yè)高度壟斷，并且在越高端市場壟斷地位越明顯。目 前，全球半

10、導(dǎo)體光刻膠主要龍頭是 TOK（東京應(yīng)化）、信越化學(xué)、JSR（日本合成橡膠）、 住友化學(xué)、富士膠片等日本公司和美國的陶氏化學(xué)，這些龍頭企業(yè)總計占據(jù)各半導(dǎo)體光刻 膠細分領(lǐng)域超過 85%市場份額，其中頭部日企在各個細分領(lǐng)域都占據(jù)主導(dǎo)地位。根據(jù)前瞻 產(chǎn)業(yè)研究院整理統(tǒng)計，2019 年 g/i 線光刻膠市場上，來自日本的 TOK、JSR、住友化學(xué)和 富士膠片分別占據(jù) 26%、15%、15%、8%的份額，總計達到 64%的全球 g 線和 i 線光刻 膠市場份額。而來自美國的陶氏化學(xué)、韓國的東進半導(dǎo)體和其他公司分別占據(jù) 18%、13% 和 5%的市場份額。 全球 KrF 光刻膠市場份額向日本頭部企業(yè)

11、集聚效應(yīng)較 g/i 線光刻膠更加明顯。根據(jù)前瞻產(chǎn) 業(yè)研究院整理統(tǒng)計，2019 年日本龍頭企業(yè) TOK、信越化學(xué)和 JSR 在全球 KrF 光刻膠細分 市場分別占據(jù) 34%、22%和 18%份額，總計達到 74%。美國的陶氏化學(xué)和其他廠商分別 占據(jù) 11%和 15%的市場份額。在其他企業(yè)中，韓國企業(yè)占據(jù) 5%的市場份額。 在目前先進邏輯制程和先進存儲器的主力 ArF 光刻膠市場，日本企業(yè)壟斷地位進一步增 強。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院整理統(tǒng)計，2019 年日本龍頭企業(yè) JSR、信越化學(xué)、TOK 和住友 化學(xué)包攬前四，分別占據(jù)全球 ArF 光刻膠細分市場 25%、23%、20%和 15%市場份額， 總計

12、市場份額達到 83%。而第五名的美國陶氏化學(xué)在 ArF 光刻膠領(lǐng)域只占據(jù) 4%的市場份 額。 最先進的 EUV 光刻膠領(lǐng)域則完全被日本企業(yè)所主導(dǎo)，日本的 JSR、TOK、信越化學(xué)成為 EUV 光刻膠市場上僅有的實現(xiàn)量產(chǎn)廠商。目前引入 EUV 工藝的僅有三星電子和臺積電兩 家公司，日本企業(yè)將工廠布局到韓國和中國臺灣，以便保證以地理優(yōu)勢的保持市場份額。2020 年 7 月，TOK 宣布在韓國仁川松島工廠開始生產(chǎn) EUV 光刻膠，方便供應(yīng)三星和 SK 海力；2020 年 10 月 15 日，日經(jīng)新聞報道信越化工計劃在中國臺灣云林縣和日本江津興 建廠房，借此提升中國臺灣工廠產(chǎn)能 5 成和日本

13、工廠產(chǎn)能 2 成，并利用中國臺灣工廠生產(chǎn) EUV 光刻膠，來應(yīng)對臺積電對 EUV 光刻膠持續(xù)增長的需求。根據(jù)該報道，富士膠片和住 友化學(xué)也計劃進軍 EUV 光刻膠市場。 由此可見，日本這些頭部企業(yè)在全球半導(dǎo)體光刻膠市場上，不僅在總體市場份額和技術(shù)層 面領(lǐng)先行業(yè)，并且各自在不同細分領(lǐng)域占據(jù)廣泛市場，建立起完善的產(chǎn)品線。例如東京應(yīng) 化，產(chǎn)品涵蓋從橡膠類光刻膠到 g 線到 i 線、KrF、ArF 到 EUV，以及離子束光刻膠；信 越化學(xué)產(chǎn)品線同樣全面涵蓋主流半導(dǎo)體光刻膠。 國產(chǎn)光刻膠產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不平衡，高端半導(dǎo)體光刻膠依賴進口 近幾年全球光電產(chǎn)業(yè)、消費電子產(chǎn)業(yè)向我國轉(zhuǎn)移的趨勢愈加明顯，下游產(chǎn)品 P

14、CB、LCD、 半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)鏈迅速發(fā)展。中國的光刻膠產(chǎn)品需求格局與全球光刻膠市場類似，PCB、LCD、 半導(dǎo)體和其他光刻膠市場份額占比平衡。然而，由于我國光刻膠行業(yè)發(fā)展和起步時間較晚 以及高端光刻膠行業(yè)壁壘高企，造成國產(chǎn)光刻膠應(yīng)用結(jié)構(gòu)較為單一，主要集中于 PCB 光 刻膠、TN/STN-LCD光刻膠中低端產(chǎn)品。高端產(chǎn)品則需要從國外大量進口，例如TFT-LCD、 半導(dǎo)體光刻膠等。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，從下游市場應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看，2018 年我國 PCB 光刻膠產(chǎn)值占比為 94.4%，而 LCD 和半導(dǎo)體用光刻膠產(chǎn)值占比分別僅為 2.7%和 1.6%。 半導(dǎo)體光刻膠作為光刻膠中最高端的組成部分，我

15、國本土企業(yè)目前僅占有較低的市場份額。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，2017 年我國是全球最大的半導(dǎo)體光刻膠市場，份額占全球 32%， 我們認為隨著國內(nèi)半導(dǎo)體制造份額提升，我國半導(dǎo)體光刻膠需求將持續(xù)提升。然而半導(dǎo)體 光刻膠自給率低，適用于 6 英寸硅片的 g 線和 i 線光刻膠的自給率約為 20%，適用于 8 英 寸硅片的 KrF 光刻膠的自給率不足 5%，而適用于 12 寸硅片的 ArF 光刻膠則完全依靠進 口。目前國內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠的市場主要被日本、美國企業(yè)所占據(jù)，主要體現(xiàn)在高分辨率的 KrF 和 ArF 光刻膠核心技術(shù)基本被壟斷，產(chǎn)品也出自壟斷公司。 以史為鑒，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移激發(fā)中國光刻

16、膠產(chǎn)業(yè)機遇 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和分工，日本光刻膠崛起 1970 年代，日本成為全球電子產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體市場中心，日本企業(yè)抓住本土產(chǎn)業(yè)機遇切入 光刻膠市場。1990 年代，持續(xù)投入的日本企業(yè)成功取代歐美廠商成為半導(dǎo)體光刻膠主導(dǎo)， TOK、信越化學(xué)、JSR、住友化學(xué)富士膠片等企業(yè)在 g 線、i 線、KrF、ArF 和 EUV 光刻 膠市場都占據(jù)主導(dǎo)。 在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上，歐美廠商領(lǐng)導(dǎo)了前期光刻膠產(chǎn)品的研發(fā) 1950 年代貝爾實驗室嘗試開發(fā)全球首塊集成電路的過程中，采用了重鉻酸鹽明膠體系， 半導(dǎo)體光刻膠由此誕生。柯達尋找具備強附著力的材料，并最終開發(fā)出環(huán)化橡膠-雙疊氮體 系：該體系由環(huán)化

17、聚異戊二烯橡膠與雙疊氮 2,6-二(4-疊氮苯)-4-甲基環(huán)己酮混合而成?？?達將此光刻膠命名為 Kodak Thin Film Resist（柯達薄膜抗蝕劑），也即 KTFR 光刻膠。該體系在 1957-1972 年間一直為半導(dǎo)體工業(yè)的主力體系，為半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展立下了汗 馬功勞。直至 1972 年，半導(dǎo)體工藝制程節(jié)點發(fā)展到 2μm，觸及 KTFR 光刻膠分辨率的 極限。 1970 年代，美國 Azoplate 發(fā)明重氮萘醌-酚醛樹脂光刻膠，并命名為“AZ 光刻膠”。AZ 光刻膠在 1972 年已經(jīng)基本占據(jù)全部市場，并在此后 25 年間維持了 90%以上的市場份額。伴隨著光刻技術(shù)的發(fā)展，重

18、氮萘醌系光刻膠的性能也在不斷提升，其曝光光源可以采用 g 線、i 線。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移與分工細化，日本光刻膠借機崛起 1970 年代，隨著日本電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)頭的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全面崛起，日本廠商在光刻膠研發(fā)方面 開始起步。1968 年，東京應(yīng)化研發(fā)出首個環(huán)化橡膠系光刻膠產(chǎn)品 MOR-81，1972 年其 開發(fā)出日本首個重氮醌類光刻膠 OFPR-2。1980 年代東京應(yīng)化進入到 g 線/i 線光刻膠業(yè) 務(wù)-TSMR 產(chǎn)品。JSR 于 1979 年進入半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)，開始銷售首個光刻膠產(chǎn)品 CIR。 1980 年代到 1990 年代，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在日美貿(mào)易摩擦影響下開始沒落。然而，日本的 光刻膠產(chǎn)業(yè)

19、抓住制程發(fā)展的機遇以及與韓國和中國臺灣區(qū)位優(yōu)勢，成為市場霸主。IBM 在 1980 年代早期就突破了 KrF 光刻，并在 1980 年代早期至 1995 年的十余年時間一直保 持 KrF 光刻膠技術(shù)壟斷地位。由于此期間，半導(dǎo)體工藝節(jié)點主要集中在 1.5μm-0.35μm， 這一范圍的工藝可以用 i 線光刻實現(xiàn)，因此 KrF 光刻膠的市場增速緩慢，并未大規(guī)模放 量。1995 年日本 TOK 成功突破了高分辨率 KrF 正性光刻膠并實現(xiàn)了商業(yè)化銷售，打破 了 IBM 對于 KrF 光刻膠的壟斷，而當(dāng)時的半導(dǎo)體工藝節(jié)點發(fā)展到了 0.25-0.35μm，逼 近了 i 線光刻的極限。 雖然伴隨半導(dǎo)體第

20、二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，芯片制造中心遷往韓國和中國臺灣，但是日本憑借先發(fā) 的材料和設(shè)備優(yōu)勢，以及與韓、臺地理近的優(yōu)勢，日本的 KrF 光刻膠迅速放量占據(jù)市場。此外，1986 年的半導(dǎo)體行業(yè)大衰退導(dǎo)致美國光刻機廠商遭受重創(chuàng)，光刻機市場由美國廠 商主導(dǎo)逐步演變?yōu)榧涯芎湍峥禐辇堫^的時代。半導(dǎo)體光刻膠市場由此進入日本廠商作為霸 主的時代。 如今，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)衰退，光刻機龍頭已經(jīng)旁落荷蘭光刻機公司 ASML。失去本土 半導(dǎo)體制造市場和光刻機設(shè)備市場協(xié)同的日本光刻膠產(chǎn)業(yè)憑借高度的技術(shù)壁壘和市場壁 壘，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球化分工浪潮中依然占據(jù)高端市場的壟斷地位。日本光刻膠在高端的 ArF 和 EUV 光刻膠市場，

21、日本廠商進一步鞏固霸主地位。 以日本為鑒，中國已成全球最大半導(dǎo)體市場，為光刻膠自主發(fā)展提供空間 如同 1980 年代的日本，今日的中國已成為世界電子產(chǎn)業(yè)的核心。21 世紀起，隨著個人計 算機產(chǎn)業(yè)向手機產(chǎn)業(yè)邁進，終端產(chǎn)品更加復(fù)雜多樣，中國大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了低端組 裝和制造承接、長期的技術(shù)引進和消化吸收、高端人才培育等較長的時間周期，逐步完成 了原始積累，并以國家戰(zhàn)略及政策為驅(qū)動力，推動了全產(chǎn)業(yè)鏈的高速發(fā)展。根據(jù)中國半導(dǎo) 體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2020 年上半年中國制造的計算機、手機、彩電和汽車產(chǎn)量分別占據(jù)全 球 90%、90%、70%和 32%。隨著 5G、智慧物聯(lián)網(wǎng)時代的到來，以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)

22、境完善、 人才回流、政策支持、資本青睞等眾多因素，中國大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得以在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn) 快速與全面布局，正逐步驅(qū)使全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從韓國、中國臺灣向中國大陸轉(zhuǎn)移。 伴隨著成為世界電子產(chǎn)業(yè)核心，中國目前已經(jīng)成為最大的半導(dǎo)體市場，并且繼續(xù)保持最快 的增速。根據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SIA）統(tǒng)計的數(shù)據(jù)，2019 年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為 4120 億美元，因為中美貿(mào)易摩擦和終端市場疲軟，較 2018 年的 4687 億美元同比下降 12.11%。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（CSIA）統(tǒng)計，2019 年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為 7562 億元人民幣，較 2018 年增長 16%。另據(jù) CSIA 統(tǒng)計在 20

23、20 年上半年，全球遭遇新 冠疫情反復(fù)和中美貿(mào)易摩擦的背景下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達到 3639 億元，逆勢同 比增長 16.1%，成為全球產(chǎn)業(yè)最大增長引擎。隨著 5G、消費電子、汽車電子等下游產(chǎn)業(yè) 的進一步興起，預(yù)計中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將會進一步增長。 中國晶圓制造產(chǎn)能持續(xù)擴張，半導(dǎo)體光刻膠迎歷史機遇 中國已進入晶圓產(chǎn)能提升周期，半導(dǎo)體光刻膠需求有望持續(xù)擴大。根據(jù) SEMI《2018 年中 國半導(dǎo)體硅晶圓展望報告》，預(yù)計到 2020 年中國晶圓制造廠產(chǎn)能將達到每月 400 萬片。另據(jù) SEMI 在 2020 年 10 月的報告預(yù)計，到 2024 年至少有 38 個新的 300mm 晶

24、圓廠投 產(chǎn)，其中中國大陸預(yù)計將建立八個新的 300mm 晶圓廠，并在 2024 年底之前將其 300mm 晶圓廠的市場份額大幅提高至 20％，而在 2015 年這數(shù)字僅為 8％。根據(jù) IC Insights 預(yù)計， 2020 年中國純晶圓代工市場規(guī)模同比實現(xiàn) 26%增長，達到 148.64 億美元，本土企業(yè)中芯 國際、華虹半導(dǎo)體和武漢新芯總計僅占 25%市場份額，提升空間依舊很大。根據(jù)智研咨詢 預(yù)測，2022 年大陸半導(dǎo)體光刻膠市場空間將會接近 55 億元，是 2019 年的兩倍。 中國半導(dǎo)體制造項目遍及多個細分領(lǐng)域，多元化需求給予國產(chǎn)光刻膠充分的市場空間。近 些年在邏輯制程上，中國從成熟制

25、程到先進制程產(chǎn)能全面鋪開，如國內(nèi)代工龍頭中芯國際 既針對成熟制程在天津8寸線進行擴產(chǎn)、在深圳進行12寸成產(chǎn)能建設(shè)，又在上海建設(shè)14nm 以下工藝生產(chǎn)線的中芯南方；在存儲器方面，長江存儲持續(xù)推近 NAND 量產(chǎn)、合肥長鑫推 進 DRAM 生產(chǎn)，涵蓋最大兩塊存儲器領(lǐng)域；以功率半導(dǎo)體、MEMS、射頻、CMOS 等為 代表特色工藝 8 寸和 12 寸項目更是在全國廣泛鋪開。另外，以 SiC、GaN 等化合物半導(dǎo) 體為代表的第三代半導(dǎo)體也成為行業(yè)熱點。國內(nèi)越加多元化的產(chǎn)品制造領(lǐng)域，激發(fā)多元化 的半導(dǎo)體光刻膠的需求，為國內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠企業(yè)提供了多樣的技術(shù)和市場發(fā)展路徑。 外部環(huán)境復(fù)雜多變，政策和大基金共同助力，半導(dǎo)體光刻膠國產(chǎn)替代正當(dāng)時 日韓貿(mào)易摩擦啟示中國在中美貿(mào)易摩擦下急需半導(dǎo)體光刻膠自主可控，為鼓勵光刻膠產(chǎn)業(yè) 發(fā)展、突破產(chǎn)業(yè)瓶頸，我國出臺了多項政策支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，為光刻膠產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提 供了良好的環(huán)境氛圍。為應(yīng)對國外技術(shù)出口管制風(fēng)險，多家中國半導(dǎo)體企業(yè)也增加了材料 國產(chǎn)化率要求，增加國產(chǎn)半導(dǎo)體光刻膠進入量產(chǎn)產(chǎn)線進行測試驗證的機會，加快了國產(chǎn)半 導(dǎo)體光刻膠研發(fā)進度。