數(shù)字電子技術(shù)2

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1、1 VCC0V第二章 門 電 路第一節(jié) 概述門電路：實(shí)現(xiàn)基本邏輯運(yùn)算和復(fù)合邏輯運(yùn)算的單元電路。 門電路的兩種輸入，輸出電平：高電平、低電平。它們分別對(duì)應(yīng)邏輯電路的1,0狀態(tài)。正邏輯：1代表高電平；0代表低電平。負(fù)邏輯：0代表高電平；1代表低電平。VCC0V高電平低電平 I OVCC 2 根據(jù)制造工藝不同可分為單極型和雙極型兩大類。門電路中晶體管均工作在開關(guān)狀態(tài)。首先介紹晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)特性。然后介紹兩類門電路。注意：各種門電路的工作原理，只要求一般掌握； 而各種門電路的外部特性和應(yīng)用是要求重點(diǎn)。當(dāng)代門電路（所有數(shù)字電路）均已集成化。【題2.1】（b），【題2.5】 ，【題2.10】，【題

2、2.16】，【題2.18】，【題2.19】，【題2.21】，【題2.22】。 3 第二節(jié) 半導(dǎo)體二極管和三極管的開關(guān)特性一、二極管的開關(guān)特性1.開關(guān)電路舉例2.靜態(tài)特性伏安特性等效電路 在數(shù)字電路中重點(diǎn)在判斷二極管開關(guān)狀態(tài)，因此必須把特性曲線簡(jiǎn)化。 （見右側(cè)電路圖）有三種簡(jiǎn)化方法：輸入信號(hào)慢變化時(shí)的特性。VCC OI i 21TVSi I e 4 第一種第三 種+ - 0.5V 第二種VON 0.7V 5 i tt3.動(dòng)態(tài)特性 當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r(shí)，二極管會(huì)短時(shí)間導(dǎo)通。tre這段時(shí)間用tre表示，稱為反向恢復(fù)時(shí)間。輸入信號(hào)快變化時(shí)的特性。 D RLi 它是由于二極管正向?qū)〞r(shí)PN結(jié)兩

3、側(cè)的多數(shù)載流子擴(kuò)散到對(duì)方形成電荷存儲(chǔ)引起的。 6 二、半導(dǎo)體三極管的開關(guān)特性（一）雙極型三極管的開關(guān)特性1.靜態(tài)特性可用輸入輸出特性來(lái)描述?；鹃_關(guān)電路如圖：可用圖解法分析電路：輸入特性 BE BEBi Bi輸出特性Bi CiCi CE CEBi CiI O 7 條 件 特 點(diǎn)BE結(jié)BC結(jié)截止導(dǎo)通放大飽和BE VON (0.7V)Ib iBS,三極管深飽和，=VCE(sat) 0V。iB =i1 i2 19 第四節(jié) TTL門電路 一、TTL反相器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理 1961年美國(guó)德克薩斯儀器公司首先制成集成電路。英文Integrated Circuit,簡(jiǎn)稱IC。 集成電路的優(yōu)點(diǎn)：體積小、重

4、量輕、可靠性高，功耗低。目前單個(gè)集成電路上已能作出數(shù)千萬(wàn)個(gè)三極管，而其面積只有數(shù)十平方毫米。按集成度分類：小規(guī)模集成電路SSI: Small Scale Integration;中規(guī)模集成電路MSI: Medium Scale Integration;大規(guī)模集成電路LSI: Large Scale Integration;超大規(guī)模集成電路VLSI: Very Large Scale Integration,按制造工藝分類：雙極型集成電路；單極型集成電路；我們介紹TTL電路。我們介紹MOS電路。 TTL (Transistor-Transistor Logic):三極管三極管邏輯電路。 20 1

5、.電路結(jié)構(gòu)（以74系列非門為例）2.工作原理輸入級(jí)中間級(jí)輸出級(jí)推拉式（push-pull）、圖騰柱（totem-pole）輸 出電路VCC=5V,VIH=3.4V,VIL=0.2VT1導(dǎo)通，深飽和T2,T5截止。因?yàn)門5有漏電流，可等效為大電阻。T4導(dǎo)通，忽略R2壓降，可求出=3.6V=VOHO =VIH:II =VIL: 0.90.3 0.71.42.14.1?3.40.2T1的BE結(jié)截止、BC結(jié)導(dǎo)通；T2、T5導(dǎo)通。T4截止，因此T5飽和。T2: ICS=4V/1.6K=2.5mA; iB=2.9v/4k=0.72mA =20 所以，T2飽和。O =0.2V 1.0 21 二、TTL反向器

6、的靜態(tài)特性（一） 電壓傳輸特性CD段中點(diǎn)的輸入電壓稱為閾值電壓，用V TH 表示。 B點(diǎn)： =0.6V，AB段稱為截止區(qū)；IC點(diǎn)： =1.3V，BC段稱為線性區(qū)；ID點(diǎn)： =1.4V，CD段稱為轉(zhuǎn)折區(qū)；IDE段稱為飽和區(qū)；AB段BC段CD段輸出高電平T2通、T5=未通T5通，且逐漸飽和DE段輸出低電平 22 輸入端噪聲容限高電平噪聲容限： 低電平噪聲容限：對(duì)于74系列門電路，VNH、VNL都不小于0.4V。V OH(min)VOL(max) VIL(max) VIH(min)2.4V0.4V 0.8V 2.0V (min)(min) IHOHNH VVV (max)(max) OLILNL V

7、VV 設(shè)定VOH(min)求出VIL(max)設(shè)定VOL(max)求出VIH(min) 23 （二） 輸入特性IIL稱為輸入低電平電流。IIS稱為輸入短路電流 =0V的輸入電流。IIIH稱為輸入漏電流。 輸入電壓為負(fù)時(shí)，基本是保護(hù)二極管的伏安特性。IIH輸入為0.2V時(shí)輸入為3.4V時(shí)輸入為其他電壓時(shí)IILIIS 輸入電壓小于0.6V時(shí)，計(jì)算IIL的公式仍然成立(把VIL換為 ），是一直線方程。I ii返回OC 24 （三）輸入端負(fù)載特性當(dāng) 小于0.6V時(shí)I當(dāng) =1.4V時(shí)，T 2、T5均已導(dǎo)通，T1基極電位被鉗在2.1V而 不再隨RP增加，因 此 也不再隨RP增加。I I當(dāng)RP較小時(shí)，這是直

8、線方程返回25 25 例：計(jì)算圖中電阻RP取值范圍。已知：VOH=3.4V,VOL=0.2V, VIH(min)=2.0V, VIL(max)=0.8V，IIH0.04mA。解：當(dāng) =VOH時(shí)，要求 VIH(min)2I 1OVOH-IIHRP VIH(min)2I =V OL+ RP(VCC - VBE VOL)/(R1+RP)當(dāng) =VOL時(shí)，要求 VIL(max)2I1O VIL(max)RP 0.69K RP 35K I對(duì)于74系列，當(dāng)RP=2K 時(shí)， 就達(dá)到1.4V。綜合兩種情況RP應(yīng)按此式選取式2.4.6牢記：RP大于2K歐姆時(shí)，輸入等效為高電平；小于0.7K歐姆時(shí)，輸入等效為低電平

9、。 26 （四）輸出特性1.高電平輸出特性 T4飽和前，VOH基本不隨iL變，T4飽和后，VOH將隨負(fù)載電流增加線性下降，其斜率基本由R4決定。2.低電平輸出特性 受功耗限制，74系列門輸出高電平時(shí)最大負(fù)載電流不超過0.4mA。T 5飽和，c-e間等效電阻不超過10歐姆，因此直線斜率很小。rce 27 例：計(jì)算G1能驅(qū)動(dòng)的同類門的個(gè)數(shù)。設(shè)G1滿足：VOH=3.2V, VOL=0.2V。 16 解：N1=16/1 =16G1輸出低電平G1輸出高電平 G1輸出高電平時(shí)，最大允許輸出電流為0.4mA； 每個(gè)負(fù)載門輸入電流為IIH,不超過0.04mA;故：N 2= 0.4/0.04 =10綜合N1,N

10、2,應(yīng)取N=10N稱為門的扇出系數(shù)。每個(gè)負(fù)載門電流G1門電流0.2V 28 三、TTL反相器的動(dòng)態(tài)特性1.傳輸延遲時(shí)間 延遲作用是由晶體管的延遲時(shí)間，電阻以及寄生電容等因素引起的。 tPLH往往比tPHL大。 經(jīng)常用平均傳輸延遲時(shí)間tPD來(lái)表示：tPD =(tPLH +tPHL)/22.交流噪聲容限 干擾信號(hào)作用時(shí)間短到與t PD相近時(shí)的噪聲容限。 此時(shí)，tW越小，允許的干擾信號(hào)幅值越大。 29 3.電源動(dòng)態(tài)尖峰電流靜態(tài)電流：ICCL=iB1+iC2=(5-2.1)/4+(5-1)/1.6=3.2mAICCH =iB1=(5-0.9)/4=1mA 在動(dòng)態(tài)情況下，會(huì)出現(xiàn)T4和T5同時(shí)導(dǎo)通的情況，

11、特別是輸出由低電平跳變?yōu)楦唠娖綍r(shí)。使電源電流出現(xiàn)尖峰脈沖。此電流最大可達(dá)30多mA.電源尖峰電流的不利影響：1.使電源平均電流增加； 2.通過電源線和地線產(chǎn)生內(nèi)部噪聲。 30 四、其他類型的TTL門電路（一）其他邏輯功能的門電路1.與非門 T1為多發(fā)射極管?？傻刃閮蓚€(gè)三極管。其工作原理可從兩方面分析：(2) 輸入有低時(shí)，輸出高電平。 此時(shí)A,B兩端并聯(lián)，T1成為一個(gè)三極管，結(jié)論成立。(1) 輸入全高時(shí)，輸出低電平。 設(shè)A端輸入0.2V，則T I基極電位為0.9V,此時(shí)無(wú)論B端狀態(tài)如何，都不會(huì)影響T1基極電位。因此輸出為高電平。0.2V 0.9V 如果輸入全懸空，輸出為低電平。因此輸入懸空等效

12、為輸入高電平。返回34 31 2.或非門 或非門的原理可從兩方面分析：(1)輸入全低，輸出為高 A端為低電平，使T2截止； B端為低電平，使 截止； 2T從而使T5截止，輸出為高電平。(2)輸入有高，輸出為低 若A端為高電平，使T 2導(dǎo)通，此時(shí)無(wú)論 為何狀態(tài)，都不會(huì)使T2截止。因此T5一定導(dǎo)通，使輸出為低電平。2T 32 3.與或非門 在或非門的基礎(chǔ)上，增加與輸入端，從而實(shí)現(xiàn)與或非邏輯。Y= AB + CD 33 4.異或門 紅框中的電路控制T7的狀態(tài)。因此，當(dāng)T7截止時(shí)，電路就是以A,B為輸入的與非門。 A,B兩輸入端的高電平分別通過T5和T4使T7截止。 說明輸入A,B有高電平，就按與非門

13、分析；當(dāng)A,B全低時(shí)，T 4,T5全截止，使T7導(dǎo)通，輸出低電平。0011 1101 1110 0100 ABBA BA 從右表可得出該電路為異或門。 34 （二）集電極開路門（電路）(OC) Open Collector Gate 目的：將門的輸出端并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)線與：Z= AB CD 普通TTL門輸出端并聯(lián)時(shí)，將產(chǎn)生過大的輸出電流導(dǎo)致器件損壞。(此電流可達(dá)30多毫安。）電路原理：R L邏輯符號(hào)使用時(shí)需外接電阻RL。當(dāng)輸入有低電平使T5截止時(shí)，只有很小的漏電流流入門里的T5的集電極?？烧J(rèn)為此時(shí)門的輸出端處于高阻狀態(tài)。電阻可接到其他電源，用 表示。如SN7407可接30V電壓CCV 很容易驗(yàn)證這是

14、一個(gè)二輸入端與非門。返回R L計(jì)算返回36 35 負(fù)載電阻RL的計(jì)算圖中電阻RL以下連線稱為總線。 這是用集電極開路門連成總線結(jié)構(gòu)的典型電路。其中負(fù)載電阻RL只需用一個(gè)即可。總線電位用 表示。o分 =VOH和 VOL兩種情況討論： o o總線。其電位 ，矩形框表示線與o當(dāng) VOH時(shí)o IOHIOHIOH IIHIIHIIHIRLIRL= nIOH+mIIH minOHLRLCCO VRIV IHOH OHCCL mInI VVR min用上式求出RL的最大值。輸入特性O(shè)C門 36 當(dāng) 總線為低電平VOL時(shí)：IR LIL V OLmIILIL= IRL+ ILMm IIL LOLCCRL RVV

15、I max ILLM OLCCL ImI VVR max由上式求出RL的最小值。 RL在求出的范圍內(nèi)取值。取值偏大會(huì)降低工作速度；取值偏小會(huì)增加電源功耗。 為提高速度，就必須保持輸出高電平時(shí)的低內(nèi)阻特性。從而引出三態(tài)輸出門(TS)。只有一個(gè)門輸出低電平是最不利情況。輸入端34 37 （三）三態(tài)輸出門電路（TS）Three-State Output GateEN為使能端，高電平有效。EN為高電平時(shí):若A,B都為高電平： 二極管D截止，對(duì)電路無(wú)影響，輸出為低電平；若A,B中有低電平： T2,T5截止，二極管D導(dǎo)通,T 4基極電位被鉗在4.3V，T4導(dǎo)通，輸出高電平，但電位為2.9V。3.6V4.3

16、V 2.9VEN為低電平時(shí): T5截止；T4基極電位被鉗在1V,因此，T4截止。從而輸出端出現(xiàn)高阻狀態(tài)。如EN端只有一個(gè)非門，則為低電平有效。0.3V 38 在總線傳輸方面的應(yīng)用如圖。接成總線方式時(shí)，在n個(gè)EN端中，每次最多只能有一個(gè)有效。雙向總線 39 多余輸入端如何處理：以與非門為例，欲實(shí)現(xiàn)Y=AB=A 方法有2方法1：應(yīng)使B=1，途徑：1.接高電平；2.接VCC；3.懸空；4.接大電阻，大于2K歐姆；5.與A端并聯(lián)。若為或非門，情況則不同。方法2：B=A 40 四、TTL電路的改進(jìn)系列（一）74H系列 除了74系列外，TTL電路還有74H、74S、74LS、74AS和74ALS等系列。又

17、稱為高速系列。 各改進(jìn)系列都圍繞提高速度和降低功耗兩點(diǎn)進(jìn)行。減小電阻值可提高速度，但是會(huì)明顯增加功耗。 可見其各電阻值明顯小于74系列。加上采用了復(fù)合管T 3、T4，因此速度明顯提高。但功耗增大更明顯。可參考表2.4.1。 41 （二）74S系列又稱為肖特基系列。與74H系列比，有兩點(diǎn)改進(jìn)：1.使用肖特基勢(shì)壘二極管 (Schottkey Barrer Diode)簡(jiǎn)稱SBD;2.采用有源泄放電路。SBD特點(diǎn)：導(dǎo)通壓降0.40.5V；無(wú)電荷存儲(chǔ)；工藝與TTL兼容。 使用SBD后，三極管不會(huì)進(jìn)入深飽和狀態(tài)，從而提高速度； 42有源泄放電路 T6和RB,RC構(gòu)成有源泄放電路。其作用有二：提高速度；改

18、善電壓傳輸特性。 當(dāng)T2,T5由截止轉(zhuǎn)入導(dǎo)通時(shí)，T5早于T6導(dǎo)通，加速T5導(dǎo)通；縮短tPHL。 當(dāng)T 2,T5由導(dǎo)通轉(zhuǎn)入截止時(shí)，處于飽和的T6為T5基極提供反向泄放電流，加速T5截止?？s短tPLH。有源泄放電路還改善了電壓傳輸特性，因?yàn)橛辛薚6后，T2不再先于T5導(dǎo)通。 43 （三）74LS系列特點(diǎn)：增加電阻值以減小功耗；使用SBD以提高速度；采用有源泄放電路以提高速度；將T1改為SBD與門以提高速度；增加D 3,D4以提高速度。缺點(diǎn)： 傳輸特性曲線轉(zhuǎn)折區(qū)左移使閾值電壓VTH降為1.1V左右； 輸出低電平偏高，最大可達(dá)0.5V。74S系列也具有這一缺點(diǎn)。 44 第六節(jié) CMOS門電路一、反相器

19、（非門）（一）工作原理N溝道管開啟電壓VGS(th)N記為VTN;P溝道管開啟電壓VGS(th)P記為VTP;要求滿足VDD VTN+|VTP|;輸入低電平為0V；高電平為V DD;（1）輸入為低電平0V時(shí)；（2）輸入為高電平VDD時(shí)；T1截止；T2導(dǎo)通。iD = 0， =0V;O輸入與輸出間是邏輯非關(guān)系。Complementary-Symmetry MOS .互補(bǔ)對(duì)稱式MOS電路。要求兩管特性完全一樣T2截止；T1導(dǎo)通。iD = 0， =VDD;O 45 特點(diǎn)：靜態(tài)功耗近似為0；電源電壓可在很寬的范圍內(nèi)選取。 在正常工作狀態(tài)，T1與T2輪流導(dǎo)通，即所謂互補(bǔ)狀態(tài)。CC4000系列CMOS電路的

20、VDD可在318V之間選取。 46 （二）靜態(tài)特性1.電壓傳輸特性VVT2截止，T1導(dǎo)通T1截止，T2導(dǎo)通T1，T2都導(dǎo)通閾值電壓轉(zhuǎn)折區(qū)變化率大，特性更接近理想開關(guān)。 閾值電壓為V DD 的一半，特性對(duì)稱，因而輸入端噪聲容限較大。CC4000系列CMOS電路的噪聲容限為：（允許輸出電壓變化百分之十）VNH=VNL=30%VDD特點(diǎn)： 47 2.電流傳輸特性A當(dāng)T1,T2都導(dǎo)通時(shí)，iD不為0；輸入電壓為VDD/2時(shí)，iD較大，因此不應(yīng)使其長(zhǎng)期工作在BC段。 在動(dòng)態(tài)情況下，電路的狀態(tài)會(huì)通過BC段，使動(dòng)態(tài)功耗不為0； 而且輸入信號(hào)頻率越高，動(dòng)態(tài)功耗也越大；若有負(fù)載電容，動(dòng)態(tài)功耗也會(huì)增加，這也成為限制

21、電路扇出系數(shù)的主要因素。 48 3.輸入特性 由于MOS管柵極絕緣，輸入電流恒為0，但CMOS門輸入端接有保護(hù)電路，從而輸入電流不為0。AiI I 由曲線可看出，輸入電壓在0V DD間變化時(shí)，輸入電流為0；當(dāng)輸入電壓大于VDD時(shí)，二極管D1導(dǎo)通；當(dāng)輸入電壓小于0V時(shí)，二極管D2導(dǎo)通。二極管D2和電阻RS串聯(lián)電路的特性二極管D1的特性 49 4 .輸出特性(1) 輸出低電平 DSDi0 VDD增加相當(dāng)于T2的VGS增加 T2工作在可變電阻區(qū)，有較小的導(dǎo)通電阻，當(dāng)負(fù)載電流增加時(shí)，該電阻上的壓降將緩慢增加。 對(duì)于CC4000系列門電路，當(dāng)V DD=5V時(shí)，IOL的最大值為0.51mA；而在74HC系

22、列中，該值為4mA。 50 (2) 輸出高電平DS DSDi00 IOH VDDVOHVOH= + VDDDS 與輸出低電平類似，此時(shí)T1工作在可變電阻區(qū)；當(dāng)負(fù)載電流增加時(shí)，T1的VDS加，導(dǎo)致輸出下降。 此時(shí)，IOH的最大值，與輸出低電平時(shí)相同。 51 （三）動(dòng)態(tài)特性1.傳輸延遲時(shí)間(1) MOS管在開關(guān)過程中無(wú)電荷存儲(chǔ)，有利于縮短延遲時(shí)間； (2) MOS管的導(dǎo)通電阻比TTL電路大的多，所以其內(nèi)部電容和負(fù)載電容對(duì)傳輸延遲時(shí)間的影響非常顯著。導(dǎo)通電阻受V DD影響，所以，VDD也影響傳輸延遲時(shí)間； (3)C MOS門的輸入電容比TTL電路大的多，因此負(fù)載個(gè)數(shù)越多，延遲時(shí)間越大；CMOS門的扇

23、出系數(shù)就是受傳輸延遲時(shí)間和下面要介紹的動(dòng)態(tài)功耗等動(dòng)態(tài)特性限制的。 52 2. 交流噪聲容限3.動(dòng)態(tài)功耗 與TTL電路類似，當(dāng)噪聲電壓作用時(shí)間tW小于電路的傳輸延遲時(shí)間時(shí)，輸入噪聲容限VNA將隨tW縮小而明顯增大。 傳輸延遲時(shí)間與電源電壓和負(fù)載電容有關(guān)，因此VDD和CL都對(duì)交流噪聲容限有影響。 動(dòng)態(tài)情況下，T1,T2會(huì)短時(shí)同時(shí)導(dǎo)通，產(chǎn)生附加功耗，其值隨輸入信號(hào)頻率增加而增加。定量估算可得動(dòng)態(tài)功耗PC的公式：PC=CLfV2DD負(fù)載電容經(jīng)T1、T2充、放電，也會(huì)產(chǎn)生功耗。 53 二、其他類型的CMOS門電路1.與非門特點(diǎn)：N溝道管串聯(lián)、P溝道管并聯(lián)； 設(shè)：MOS管的導(dǎo)通電阻為RON、門電路的輸出電

24、阻為RO。輸出電阻隨輸入狀態(tài)變化。使用帶緩沖級(jí)的門電路 可以克服上述缺點(diǎn)。2.或非門特點(diǎn)：P溝道管串聯(lián)、N溝道管并聯(lián)；2RON RON/211 RON R0N01 RON RON10 RON/2 2R0N00 RO（與非) RO（或非）BA輸出高電平偏低輸出低電平偏高此外，輸入狀態(tài)還會(huì)影響這兩個(gè)門的電壓傳輸特性。（一）其他邏輯功能的CMOS門電路 54 （二）帶緩沖級(jí)的CMOS門電路1.與非門：Y= AB = A + B = A + B 2.或非門Y = A + B = A B = A B 特點(diǎn)：輸出電阻恒為RON；輸出電平和電壓傳輸特性都不受輸入狀態(tài)影響。 55 （三）漏極開路門電路（OD）

25、 普通CMOS門不能接成線與形式。 OD門輸出端只是一個(gè)N溝道管，因此可以按OC門的辦法連成總線形式。特點(diǎn)：V DD1和VDD2可取不同值； 允許灌入電流較大。如： CC40107在VOLRTG 則O IC=0時(shí)，傳輸門截止；C=1,傳輸門導(dǎo)通。I O IO C 57 VGS(th)P VGS(th)NVDD0V IN溝道管導(dǎo)通P溝道管導(dǎo)通分析原理。先分析只有一個(gè)管時(shí)的情況：?jiǎn)喂芄ぷ鞯娜秉c(diǎn)是：1.有死區(qū)；2.導(dǎo)通電阻隨輸入電壓變化很大。采用雙管可克服這些缺點(diǎn)。 58 2.模擬開關(guān)將電壓傳輸系數(shù)定義如下：K TG= =OI TGL LRR R 采用改進(jìn)電路的CMOS四模擬開關(guān)CC4066在VDD

26、=15V時(shí)，RTG值不大于240。而且在 變化時(shí)，RTG基本保持不變。I 目前，某些精密CMOS模擬開關(guān)的導(dǎo)通電阻已降低到20 以下。O I 59 （五）三態(tài)輸出的CMOS門電路 60 三、改進(jìn)的CMOS門電路1.高速CMOS電路 CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)是低功耗、高抗干擾能力。缺點(diǎn)是速度低。改進(jìn)后的CMOS電路的速度已達(dá)到TTL電路的水平。 右圖說明MOS管的寄生電容情況。 減小寄生電容是提高速度的關(guān)鍵。 關(guān)鍵措施是采用短溝道硅柵自對(duì)準(zhǔn)工藝。 高速CMOS通用系列是54HC/74HC系列。 它們采用+5V電源，輸出高低電平與TTL電路兼容。平均傳輸業(yè)延遲時(shí)間小于10nS。與TTL電路相當(dāng)。 61

27、2.Bi-CMOS電路雙極型-CMOS電路的簡(jiǎn)稱。Bipolar-CMOS。 邏輯部分采用CMOS電路，輸出部分采用雙極型三極管。因此，它兼有CMOS電路低功耗和雙極型電路低輸出內(nèi)阻的特點(diǎn)。 目前，Bi-CMOS反相器的傳輸延遲時(shí)間可 達(dá)到1nS以下。 62 四、CMOS電路的正確使用1.輸入電路的靜電防護(hù) CMOS電路的輸入保護(hù)電路承受靜電電壓和脈沖功率的能力有限。因此，在儲(chǔ)存，運(yùn)輸，組裝和調(diào)試過程中，仍需采取防靜電措施。 (1)儲(chǔ)存和運(yùn)輸不要使用化纖織物包裝，最好用金屬屏蔽層包裝；(3)不用的輸入端不應(yīng)懸空。2.輸入電路的過流保護(hù) 保護(hù)二極管只能承受1mA電流，因此下列三種情況下輸入端要串

28、入保護(hù)阻。(1)輸入端接低內(nèi)阻信號(hào)源； (2)輸入端接有大電容；(3)輸入端接長(zhǎng)線。 (2)操作時(shí)使用的電烙鐵等，要妥善接地； 63 3.CMOS電路鎖定效應(yīng)的防護(hù) 產(chǎn)生鎖定效應(yīng)將造成CMOS電路永久失效?？稍谳斎搿⑤敵龆私尤脬Q位保護(hù)電路，在電源輸入端加去偶電路。 應(yīng)確保CMOS電路先通電、后斷電。 64返回H系列返回S系列返回LS系列 表中dp積是延遲功耗積（Delay-Power Product），可用于衡量門電路的綜合指標(biāo)。 65 GI輸出低電平時(shí)：mABR 167.4 GI輸出高電平時(shí)：05.03.4100 56.1 7.4 7.4 BR解上述兩式可得： 【題2.9】11RB RC 5VG1 4.7K KRK B 7.303.0 66 +-P N+ -回5 67 PN+ -N+ ebc回8